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2023年9月6日 · 上述都是以矽為基礎的功率元件，而後來新一代的寬能隙(Wide Band-gap)半導體材料、又稱為第三代半導體的 SiC (碳化矽) 和 GaN (氮化鎵)出現，由於能隙更大，這使它們具有耐高電壓、耐高溫、低電阻、低切換損失、適合高頻操作的優越特性，被看好一顆抵
2023年11月9日 · 第三類半導體主要材料為碳化矽 （SiC）與 氮化鎵 （GaN）兩種，如果以市場來應用來看，又可分為高頻通訊元件及功率元件兩大類。 資策會MIC於第36屆MIC FORUM...
2021年4月6日 · 工研院產科國際所研究總監鄭華琦指出，第 2、3 代半導體材料為化合物半導體，重要特性為寬能隙（Wide band gap），比傳統半導體材料矽要寬很多，因此有耐高電壓、高電流的特性，可因應電動車、綠能、5G 基站、雷達及快充等終端應用趨勢。 應用範圍廣泛 進入門檻不低. 根據工研院產科國際所統計，目前第 1 代半導體材料的市占率約九成，第 2、3 代合計約10%。 化合物功率半導體（即第 2、3 代半導體）去年市場規模約 298 億美元，但 2025 年成長到 361.7 億美元，2030 年更可上看 435 億美元，成長潛力大。
2022年1月3日 · 以氮化鎵和碳化矽為主的第3類半導體材料的優勢是，比起第1類和第2類半導體材料，能夠承受更高功率、高頻率（如毫米波），而且擁有極佳的散熱性能，因此可在特殊應用領域大展身手，例如基地台、電動車、低軌衛星、太陽能源等。
2020年8月18日 · 第三代半導體材料被稱為「寬能隙半導體」（WBG），相對於以往的材料有著更寬的帶隙，帶隙越寬，越能耐高溫、高壓、高頻、高電流，能源轉換效率也較好，因此氮化鎵集合了散熱佳、體積小、能源耗損小、功率高四種優良特性。.
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2021年6月17日 · 收藏. 第3代半導體是目前高科技領域最熱門的話題，不只中國想要這個技術，從歐洲、美國到台灣，所有人都在快速結盟，想在這個機會裡分一杯羹。 為什麼第三代半導體這麼火熱？ 它的應用與商機在哪裡？ 過去30年，台積電、聯電擅長製造的邏輯IC，基本上都是以矽做為材料。 但矽也有一些弱點，如果用門做比喻，用矽做的半導體，就像是用木頭做的木門，輕輕一拉就能打開（從絕緣變成導電）。 用第2代或第3代化合物半導體就像是鐵門，甚至金庫的大門，需要很大的力氣，要施加大的電壓，才能讓半導體材料打開大門，讓電子通過。 因此，要處理高電壓、高頻訊號，或是在訊號的轉換速度上，第3代半導體都優於傳統的矽。 目前，坊間所稱的第2代半導體，指的是砷化鎵、磷化銦這兩種半導體材料，「這是1980年代發展出來的技術。
2023年9月16日 · 第三代半導體則以碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表，其主要特色包括材料的變革、能源效率的提升、高頻率操作、高溫操作、高功率密度、高 ...
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