Yahoo奇摩 網頁搜尋

搜尋結果

1. kknews.cc › zh-tw › news靜電保護電路（ESD）如何設計？原理看這篇萬字長文 - 每日頭條

   kknews.cc › zh-tw › news

   當然有些客戶也會自己根據SPICE model的電性通過layout來設計ESD。 1、製程上的ESD：要麼改變PN結，要麼改變PN結的負載電阻，而改變PN結只能靠ESD_IMP了，而改變與PN結的負載電阻，就是用non-silicide或者串聯電阻的方法了。

2. read01.com › zh-tw › 3yPR22如何做好ESD保護，讓電路免受「騷擾」？ - 壹讀

   read01.com › zh-tw › 3yPR22

   先來談靜電放電 (ESD: Electrostatic Discharge)是什麼？. 這應該是造成所有電子元器件或集成電路系統造成過度電應力破壞的主要元兇。. 因為靜電通常瞬間電壓非常高 (>幾千伏)，所以這種損傷是毀滅性和永久性的，會造成電路直接燒毀。. 所以預防靜電損傷是所有IC ...

3. 其他人也問了

   ESD 會導致什麼樣的損壞範圍?

   • 由靜電放電引起的損壞範圍涵蓋漏電 (leakage)、短路、連接點斷裂、金屬化 (metallization)熔毀、閘極氧化層破裂 (gate oxide rupture)和金屬電阻器 (resistor-metal)介面劣化等。 由 ESD 引起晶片故障的實際範例可能包括智慧型手機產生電擊、健身追蹤器螢幕閃爍，或是自動緊急煞車系統故障。 為了能夠最大程度地減少 ESD 漏洞，半導體公司會將防護元件或電路整合至晶片中。 基本上，這些元件透過建立 低電阻率放電電流路徑 (low-resistivity discharge current paths) ，防止內部電路和防護元件本身在 ESD 情況下產生損壞。

   單一 SoC 和多晶粒系統的靜電放電(ESD)防護設計 - Synopsys

   www.synopsys.com/zh-tw/taiwan/blog/soc-multi-die-esd-protection.html

   查看此問題的所有搜尋結果

   ESD理論是什麼?

   • 一直想給大家講講ESD的理論，很經典。 但是由於理論性太強，任何理論都是一環套一環的，如果你不會畫雞蛋，註定了你就不會畫大衛。 先來談靜電放電 (ESD: Electrostatic Discharge)是什麼？ 這應該是造成所有電子元器件或集成電路系統造成過度電應力破壞的主要元兇。 因為靜電通常瞬間電壓非常高 (>幾千伏)，所以這種損傷是毀滅性和永久性的，會造成電路直接燒毀。

   靜電保護電路（ESD）如何設計？原理看這篇萬字長文 - 每日頭條

   kknews.cc/zh-tw/news/emzxnan.html

   查看此問題的所有搜尋結果

   ESD的測試方法是什麼?

   • ... ESD的測試方法類似FAB裡面的GOI測試，指定pin之後先給他一個ESD電壓，持續一段時間後 ，然後再回來測試電性看看是否損壞，沒問題再去加一個step的ESD電壓再持續一段時間，再測電性，如此反覆直至擊穿，此時的擊穿電壓為ESD擊穿的臨界電壓 (ESD failure threshold Voltage)。

   靜電保護電路（ESD）如何設計？原理看這篇萬字長文 - 每日頭條

   kknews.cc/zh-tw/news/emzxnan.html

   查看此問題的所有搜尋結果

   ESD 防護技術的挑戰是什麼?

   • 當先進製程技術不斷演進，大幅度地提升了晶片的工作效能時，如何在高效率的晶片上設計適當的ESD 防護機制 (須具備低觸發導通電壓、低箝制電壓、低洩漏電流以及低負載效應)，成為ESD 防護技術的重大挑戰。

   奈米晶片靜電放電防護技術 - 材料世界網

   www.materialsnet.com.tw/DocView.aspx?id=7234

   查看此問題的所有搜尋結果

4. www.alab.iee.nycu.edu.tw › ~mdker › ESD6.2 製程上 (Process Level)的改進方法

   www.alab.iee.nycu.edu.tw › ~mdker › ESD

   • 庫存頁面

   提昇輸出級的ESD防護能力，在製程上發展出Silicided Diffusion Blocking的製程技術，其概念乃把輸出級用的 NMOS元件中的silicided diffusion去除，使其汲極與源極的

5. www.getit01.com › p20190314247002485頭號難題！我是一ESD（上） - GetIt01

   www.getit01.com › p20190314247002485

   • 庫存頁面

   1、工藝製程上的ESD：要麼改變PN結，要麼改變PN結的負載電阻，而改變PN結只能靠ESD_IMP了，而改變與PN結的負載電阻，就是用non-silicide或者串聯電阻的方法了。

6. www.synopsys.com › zh-tw › taiwan單一 SoC 和多晶粒系統的靜電放電(ESD)防護設計 - Synopsys

   www.synopsys.com › zh-tw › taiwan

   • 庫存頁面

   ESD 全晶片工具可以突顯出有風險的設計、精準定位易受影響的元件，以及自動產出電流密度違規和高電阻路徑的報告，並執行全晶片和封裝的瞬態模擬，分析所有互連、防護元件和電感器(inductor)、電感(inductance)與電容器等元件。

7. www.materialsnet.com.tw › DocView奈米晶片靜電放電防護技術 - 材料世界網

   www.materialsnet.com.tw › DocView

   • 庫存頁面

   2008年9月30日 · 當先進製程技術不斷演進，大幅度地提升了晶片的工作效能時，如何在高效率的晶片上設計適當的ESD 防護機制（須具備低觸發導通電壓、低箝制電壓、低洩漏電流以及低負載效應），成為ESD 防護技術的重大挑戰。. 參佐摩爾定律 (Moore’s Law)將有助於使 ...

8. www.gushiciku.cn › dc_tw › 200635774經典！一文講透靜電保護（ESD）原理和設計_電子發燒友網 - 微文 ...

   www.gushiciku.cn › dc_tw › 200635774

   • 庫存頁面

   2019年5月26日 · 如果要改變這種問題，大概有兩種做法(因為triger的是電壓，改善電壓要麼是電阻要麼是電流)： 1、利用SAB(SAlicide-Block)在I/O的Drain上形成一個高阻的non-Silicide區域，使得漏極方塊電阻增大，而使得ESD電流分佈更均勻，從而提高洩放能力；2、增加一道P