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2024年1月2日 · 鴻鎵科技攜手日本電信集團子公司NTT-AT，將氮化鎵快充導入日本市場販售，為台灣第一家GaN廠商與日本大廠合作；雙方持續擴大合作領域，開發新款100W氮化鎵快充，估計2024年問世。 未來將會與手機大廠一同開發，將GaN功率元件導入旗下品牌快充、積極跨進國際市場。 在半導體技術部分，鴻鎵亦積極搶進。 隨著AI、電動車、低軌衛星應用，半導體元件全面導入10奈米以下先進製程，然而在封裝過程中，將遇到嚴重靜電效應，生產良率降低等問題。 鴻鎵科技推出全新領先全球耐高溫300℃、具高耐磨特性的抗靜電技術，不僅可應用於GaN封裝製程良率提升，同時為先進半導體產業市場提供高效率、高可靠度的抗靜電解決方案。 鴻鎵科技指出，公司研發團隊長期致力半導體等級新材料研發。
2020年12月15日 · 主因是碳化矽、氮化鎵這兩款新材料的生產不易，嘉晶電子董事長徐建華從兩方面來解釋：其一，製造碳化矽晶圓的原料，大多需要從國外少數供應商進口，且製造成本偏高。 其二，技術難度也是一大挑戰。 以氮化鎵為例，在製程上，必須將氮化鎵磊晶長在矽晶圓基板上，由於兩者的晶格不同，製作過程中容易翹曲破片，矽晶圓基板也有規格要求，導致整體量產難度高。 在半導體產業中，磊晶屬於材料部分，有耐高溫、耐高壓的特性，晶圓（Wafer）在製作過程中，有些IC設計公司及IDM（垂直整合製造）廠商的產品，需要用到有磊晶的晶圓，就會希望有業者協助備妥基板（substrate）和磊晶，嘉晶就是瞄準這些客群。 嘉晶董事長徐建華分析，磊晶有其特殊性，不容易用標準化方式生產，正因為嘉晶握有磊晶專利技術，得以創造與同業差異。
2023年9月6日 · 而MOSFET全球市場規模2022-2023年約已達百億美元，也就是說，氮化鎵未來能取代的中低壓市場價值也有高達數十億美元。 接下來我們來了解： 1. 什麼是MOFEST與氮化鎵？ 2. EPC(宜普)是誰？說話有份量嗎？ 3. 全球氮化鎵大廠市占情況，台廠與大廠的合作
鴻鎵科技股份有限公司 – GaN Power Tech 氮化鎵. GaN 專業供應商. GaN EPI Wafer｜GaN Process Wafer｜GaN FET｜Applications. GaN 領先科技. Leading the Technology by GaN Power Tech. (GPT) 產品介紹. 我們是全球唯一授權來自 NTT-AT 優秀氮化鎵磊晶技術. GaN EPI Wafer. GaN Process Wafer. GaN FET. 代理產品. 公司新聞 產品新聞. 2023 年 12 月 29 日. 公司新聞 產品新聞. 2022 年 10 月 21 日. 產品新聞. 2022 年 10 月 21 日. 公司新聞. 2020 年 7 月 15 日.
2023年2月20日 · 撰文： 數位時代／邱品蓉 分類： G公司治理 圖檔來源： 數位時代／蔡仁譯攝影 日期： 2023-02-20. 「我們是全世界把氮化鎵（GaN）帶入車用上，唯一有實績（proven record）的公司。. 」GaN Systems全球業務發展副總裁莊淵棋在談到氮化鎵的未來時，信心滿滿。. 你或許 ...
2020年5月26日 · （責任編輯：郭家宏） 晶圓代工廠近來積極佈局第三代半導體材料氮化鎵（GaN），除龍頭廠台積電已提供 6 吋 GaN-on-Si（矽基氮化鎵）晶圓代工服務外，世界先進 GaN 製程也預計年底送樣，聯電同樣積極投入 GaN 製程開發，攜手子公司聯穎佈局高效能電源功率元件市場。 聯電投入氮化鎵製程開發，初期將以 6 吋晶圓代工為主. 聯電表示，GaN 製程開發是現有研發計畫中的重點項目之一，目前與轉投資公司砷化鎵（GaAs）晶圓代工廠聯穎合作，仍處於研發階段，初期將以 6 吋晶圓代工服務為目標，未來也會考慮邁向 8 吋代工。
2024年1月4日 · 台廠首家! 氮化鎵 廠商鴻鎵科技正式啟動日系 供應鏈 。 鴻鎵科技致力於氮化鎵（GaN）相關研發，專注提供節能省電的功率 半導體 元件及終端產品，近年與日本電信集團子公司NTT-AT合作，將氮化鎵快充導入日本市場；今年鴻鎵科技預計除了與手機大廠進行共同開發，將GaN功率元件積極推進國際市場。 鴻鎵科技與日本NTT-AT深化合作，預計新款100W氮化鎵快充今年可問世。 圖／123RF. 鴻鎵科技與日本電信集團子公司NTT-AT合作，將氮化鎵快充導入日本市場，成為台灣第一家與日本大廠合作的GaN廠商，鴻鎵科技提供65W氮化鎵快充，並通過日本PSE認證；雙方也將持續擴大合作領域，開發新款100W氮化鎵快充，估計今年便可問世。 更多新聞： 石墨的量子飛躍 原子科學照亮超導之路.
公司組織. 全球版圖. 氮化鎵半導體技術人員. & 強大的電路設計人才組成技術團隊. 2018年公司設立，登記資本額新台幣5億元。 生產基地在竹南科學園區，EPI產能為3,000片/年以上。 從日本 NTTu0002AT公司技轉6吋與8吋的氮化鎵功率磊晶技術來生產氮化鎵功率電晶體。 產品以GaNFETs 650V（DFN，TO220）為主，專利數量超過35個。 銷售EPI/ Process Wafer/ GaN FET並提供代工服務。 鴻鎵科技股份有限公司本公司是由前廣鎵光電公司資深的氮化鎵半導體技術人員和強大的電路設計人才組成技術團隊。 磊晶技術除了持續開發耐壓650V外，為了因應更多的產品應用，也將開發耐壓200V以下的，並且持續與NTT AT密切合作，應用其技術，研發更多的新產品。
宜普電源轉換公司是基於氮化鎵（GaN）的功率管理元件的領先供應商，爲首家公司推出矽基增强型氮化鎵（eGaN)電晶體，其目標應用包括無綫電源傳送、全自動汽車、高速行動通訊、低成本的衛星、醫療元件及D類音頻放大器等應用。 氮化鎵元件的性能比最好的矽功率MOSFET元件高出很多倍。
2020年12月2日 · 漢磊的650伏特高壓氮化鎵已經通過電動車的車用標準認證，並且開始逐漸導入，在電動車無法阻擋的趨勢下，可以看到第三代半導體在充電領域展現的效益。 除了漢磊，上游晶圓廠 中美晶 （5483）8月投資35億元，入主砷化鎵晶圓代工廠宏捷科（8086），投入氮化鎵的製程開發，有望能達成上下游互補效應，取得綜效，未來在半導體化合物的市場中，發展潛力值得關注。 活動4/30截止📣訂閱《今周刊》，加碼贈【全聯購物金$1000元】 續訂加贈4期💁投資腦袋 放大荷包 讓我們一起學習如何讓錢滾動起來💰立即購＞＞. 半導體 概念股 科技產業 5G 電動車 充電站. 第3代半導體碳化矽、氮化鎵，是半導體提高效能的解方之一。 在效率更高、體積更小的情形之下，有哪些產業會跟著第3代半導體一起成長茁壯？
