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- 184.00-2.00 (-1.08%)2024/09/19 07:50 臺灣股市 將在 1 小時 10 分鐘 期間開市 (報價延遲20分鐘)。
- 昨收186.00開盤184.50委買價0.00委賣價0.00
- 今日價格區間183.00 - 186.5052週價格區間155.50 - 244.50成交量3437 張平均成交量3483 張
- 市值107.860 億本益比 (最近12個月)10.75營運報告/法說會日期2024-10-29除權除息日2024-07-26
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2022年12月14日 · 分享本文. 本周，美中晶片戰再度「升級」，白宮方面確認正與日本、荷蘭商討將限制對中國出口晶片生產設備，而中國也迅速予以反擊，向世界貿易組織提出抗議。 白宮證實：美國正與日、荷商討從嚴管制對中國出口半導體生產設備. 《彭博社》（Bloomberg）報導， 日本、荷蘭兩國基本上已經同意加入由美方領導的科技出口管制行動 ，然而目前無論是日本經濟再生大臣西村康稔或荷蘭外交部發言人都拒絕對此事進行評論。 日本、荷蘭加入美國陣營，對中國半導體發展意味著什麼？ 《 南華早報 》形容，日本與荷蘭加入美方的舉動， 將代表幾乎完全封鎖中國購買、製造先進半導體設備的能力 ，因為美、日、荷是世界上製造先進半導體所需機械和專業知識的主要來源。
2018年1月5日 · 她是中美晶總經理、環球晶圓（簡稱環球晶）董事長，用不到 10 年的光陰，和中美晶董事長盧明光聯手為集團催生最強小金雞——半導體子公司環球晶。
2021年10月6日 · 由徐秀蘭領軍的中美晶集團，同樣是其中的佼佼者，環球晶除了已與美國碳化矽晶球廠 GTAT 簽下長約 外，也同樣透過入股結盟的方式，完成了結合基板與磊晶、砷化鎵代工廠宏捷科、車用二極體模組朋程的營運模式。
2022年1月3日 · 台廠面臨巨大壓力. 不過，目前仍在起飛階段的 SiC 半導體，卻是由 IDM 廠獨霸一方， 其中美國的 Wolfspeed（原名為「科銳」）居領導地位，在 SiC 基板、磊晶等材料及晶圓製造領域， 市占率均超過 6 成，日本有羅姆半導體、歐洲則有意法半導體與英飛凌。 目前擁有 SiC 晶圓量產能力的 Wolfspeed、羅姆半導體等 IDM 廠，從上游材料長晶到加工製程等設備，均是自行開發，跨足設備製造、基板及磊晶、設計與晶圓製造等產業鏈各環節。 隨著許多國家將 SiC 材料視為戰略性資源，採取出口管制， 對於擅長垂直分工模式的台廠來說，在原料及相關設備取得上都面臨很大的壓力。 發展 SiC 半導體，台廠走向「集團式 IDM 模式」
- 第三代半導體已具備商業化量能，國際大廠搶研發
- 台廠悄悄布局，電動車成新興發展領域
- 5G 基地台也要用這種新材料！
- 氮化鎵快速充電效率高，同步帶動被動元件需求
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第三代半導體雖然發展已經有一段時間，不過，其實今年以來，才逐漸開始廣為人知，尤其是中國在今年發布的「145 規畫」（第 14 個 5 年規畫），將第三代半導體納入其中，再度引起市場對第三代半導體的關注。 第三代半導體材料的碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN），與第一代半導體材料的矽（Si）、第二代半導體材料的砷化鎵（GaAs）相比，有著尺寸小、效率高、散熱迅速等特性。適合應用於 5G 基地台、加速快充以及電動車充電樁等相關產品領域，也是目前為止，技術已經足以應用商業化的產品。 國際各大廠科銳（Cree）、英飛凌（Infineon），以及羅姆（ROHM）已進入量產碳化矽的階段。過去 3 年來，碳化矽、氮化鎵等化合物成本，已下降 20％ 至 25％，將有利於終端產品導入第三代半導體的比率逐漸增加。
至於台灣，漢磊（3707）是台廠當中，在碳化矽、氮化鎵領域，著墨最深的指標大廠。 今年 6 月，漢磊與旗下子公司嘉晶（3016）在碳化矽、氮化鎵領域，已開始加速布建產能，瞄準市場對於第三代半導體的需求，6 吋碳化矽晶圓已在試產階段，客戶端對於電動車需求最大。漢磊在第三季法說會上表示，下半年只要通過客戶驗證，對於明年出貨量、營收的貢獻，有望較今年成長。 尤其是最近熱門的電動車族群，是第三代半導體瞄準的重要領域。漢磊的 650 伏特高壓氮化鎵已經通過電動車的車用標準認證，並且開始逐漸導入，在電動車無法阻擋的趨勢下，可以看到第三代半導體在充電領域展現的效益。 除了漢磊，上游晶圓廠中美晶（5483）8 月投資 35 億元，入主砷化鎵晶圓代工廠宏捷科（8086），投入氮化鎵的製程開發，有望能達成上下游...
想將氮化鎵應用在 5G 基地台，就必須從基地台的功率放大器（PA）切入。宏遠投顧分析師翁浩軒指出，在現行 PA 市場，仍使用材料為矽的「橫向擴散金屬氧化物半導體技術」（LDMOS），由於 LDMOS 僅適用低頻段，5G 使用的 3.5 GHz 高頻段，已觸碰到 LDMOS 製程的天花板。 隨著 5G 朝向更高頻段發展下，目前只有第三代半導體材料氮化鎵可滿足高頻、低雜訊、高功率、耐高壓及低耗電需求，自然也成為未來 5G 基地台的主要材料。 全新（2455）已經通過高通第二代 5G 功率放大器的認證，今年第四季已經開始出貨，只要高通的第二代 5G 銷售反應不錯，全新將可以跟著受惠，成為明年重要的營收動能。加上明年還有 5G 手機放量成長和 Wi-Fi 6 滲透率提升的趨勢，對於功率放大器的需求量...
至於將氮化鎵導入消費性電子領域，則是來自於射頻元件（RF）領域的高速成長。市場調研機構 Yole Développement 預估，氮化鎵在射頻元件滲透率年成長率高達 7 成以上。 以 iPhone 為例，據市場研調機構 TechInsights 分析，射頻元件占 iPhone 總成本的金額，從 11 Pro 的 33 美元，成長到 12 Pro 的 44.5 美元，漲幅超過 3 分之 1，是所有 iPhone 零組件當中，成長比率最高的元件。 （閱讀全文…） （本文訊息由 今周刊 提供，內文與標題經 TechOrange 修訂後刊登。新聞稿 / 產品訊息提供，可寄至： pr@fusionmedium.com，經編輯檯審核並評估合宜性後再行刊登。本文提供合作夥伴轉載。）
2021年8月24日 · 解析鴻海的碳化矽車用半導體布局. 楊瑞臨表示，觀察目前國內投入的鴻海、中美晶及漢民等廠商，也多以集團式整合製造的結構發展，預期未來將持續朝上游基板領域發展，完善垂直整合布局，強化競爭力。 （本文經合作夥伴 中央社 授權轉載，並同意 TechOrange 編寫導讀與修訂標題，原文標題為〈第3代半導體與先進製程有別 晶圓代工發展待觀察〉。 首圖來源：Shutterstock） 台積電是全球頂尖的半導體代工廠，製造了超過九成的先進製程晶片。 然而第三代半導體的資本門檻較低，加上 IDM 廠能滿足客戶多元需求，因此主導第三代半導體的大多是 IDM 廠。 在第三代半導體市場中，台灣晶圓代工廠近期可能無法發揮優勢。
2021年3月22日 · 分享本文. 1968 年，Robert Noyce 與 Gorden Moore 創立 Intel，並在 1971 年推出全球第一個微處理器，開啟半導體產業的商用時代。. 隨後，Intel 在內的美國半導體企業主導全球市場數十年。. 只不過到了現在，美國逐漸失去半導體產業優勢，取而代之的是 ARM、台 ...
