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雜質半導體 （英語： extrinsic semiconductor ）又稱 外質半導體 、 非本徵半導體 ，是摻雜了雜質的 半導體 ，即在 本徵半導體 中加入 摻雜物 ，使得其電學性質較無雜質半導體發生了改變，其電荷 載子 濃度取決於雜質或其他缺陷。 雜質半導體一般分為含n型或p型的雜質，在一定條件下（例如加熱），可迫使其標準狀態產生新的 電子帶 或 電子間隙 ，分別稱為n型半導體與p型半導體。 n型半導體 [ 編輯] 參見： 半導體. n型半導體 （n-type semiconductor）又稱 電子型半導體 ，因摻有「施主雜質」使其原子的電子密度與電洞密度不平衡，導電的電子密度超過流動的電洞密度（產生超額的電子），導電性則由這些多數 載子 為帶負電荷的電子來決定。
摻 ㄔㄢ 雜 （英語： doping ）是 半導體 製造工藝中，為純的 本質半導體 引入雜質，使之電氣屬性被改變的過程。 此雜質稱為 摻雜劑 （dopant）或 摻雜物 ，而引入的雜質與要製造的半導體種類有關。 輕度和中度摻雜的半導體被稱作是 雜質半導體 ，而更重度摻雜的半導體則需考慮 費米統計律 帶來的影響，這種情況被稱為 簡併半導體 。 載流子濃度 [ 編輯] 摻雜物濃度對於半導體最直接的影響在於其 載流子 濃度。 在熱平衡的狀態下，一個未經摻雜的本徵半導體，電子與空穴的濃度相等，如下列公式所示： 對於非本徵半導體在熱平衡的狀態下，這個關係變為 (對輕摻雜而言): 其中 n0 是半導體內的電子濃度、 p0 則是半導體的空穴濃度， 則是本徵半導體的 載流子 濃度。
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半導體 （德語： Halbleiter, 英語： Semiconductor, 法語： Semi-conducteur ），是一種 電導率 在 絕緣體 至 導體 之間的物質或材料。 半導體在某個溫度範圍內，隨溫度升高而增加電荷 載子 的濃度，使得電導率上升、 電阻率 下降；在絕對零度時，成為絕緣體。 依有無加入 摻雜劑 ，半導體可分為： 本徵半導體 、 雜質半導體 （n型半導體、p型半導體）。 電導率 容易受控制的半導體，可作為資訊處理的元件材料。 從科技或是經濟發展的角度來看，半導體非常重要。 很多電子產品，如 電腦 、 行動電話 、數位錄音機的核心單元都是利用半導體的電導率變化來處理資訊。
杂质半导体 （英語： extrinsic semiconductor ）又称 外质半导体 、 非本征半导体 ，是掺杂了杂质的 半导体 ，即在 本征半导体 中加入 掺杂物 ，使得其电学性质较无杂质半导体发生了改变，其电荷 载流子 浓度取决于杂质或其他缺陷。. 杂质半导体一般分为含n型或p ...
半導體 （德語： Halbleiter, 英語： Semiconductor, 法語： Semi-conducteur ），是一种 电导率 在 绝缘体 至 导体 之间的物质或材料。 半导体在某个温度范围内，随温度升高而增加电荷 载流子 的浓度，使得电导率上升、 电阻率 下降；在绝对零度时，成为绝缘体。 依有无加入 掺杂剂 ，半导体可分为： 本征半导体 、 杂质半导体 （n型半导体、p型半导体）。 电导率 容易受控制的半导体，可作为資訊处理的元件材料。 从科技或是经济发展的角度来看，半导体非常重要。 很多电子产品，如 電腦 、 移动电话 、数字录音机的核心单元都是利用半导体的电导率变化来处理資訊。
雜質半導體 （英語： extrinsic semiconductor ）又稱 外質半導體 、 非本徵半導體 ，是摻雜了雜質的 半導體 ，即在 本徵半導體 中加入 摻雜物 ，使得其電學性質較無雜質半導體發生了改變，其電荷 載流子 濃度取決於雜質或其他缺陷。 雜質半導體一般分為含n型或p型的雜質，在一定條件下（例如加熱），可迫使其標準狀態產生新的 電子帶 或 電子間隙 ，分別稱為n型半導體與p型半導體。 n型半導體 [ 編輯] 參見： 半導體. n型半導體 （n-type semiconductor）又稱 電子型半導體 ，因摻有「施主雜質」使其原子的電子密度與空穴密度不平衡，導電的電子密度超過流動的空穴密度（產生超額的電子），導電性則由這些多數 載流子 為帶負電荷的電子來決定。
序言. 載流子濃度. 摻雜對半導體能帶結構的影響. 參考資料. 掺杂 (半导体) 掺 chān 杂 （英語： doping ）是 半导体 制造工艺中，为纯的 本質半導體 引入杂质，使之电气属性被改变的过程。 此杂质称为 掺杂剂 （dopant）或 掺杂物 ，而引入的杂质与要制造的半导体种类有关。 轻度和中度掺杂的半导体被称作是 杂质半导体 ，而更重度掺杂的半导体则需考虑 费米统计律 带来的影响，这种情况被称为 简并半导体 。 載流子濃度. 摻雜物濃度對於半導體最直接的影響在於其 載流子 濃度。 在熱平衡的狀態下，一個未經摻雜的本征半導體，電子與空穴的濃度相等，如下列公式所示： 对于非本征半导体在热平衡的状态下，这个关系变为 (对轻掺杂而言):
