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  1. - iFuun. 當前位置: 193nm波長的光刻機,是怎麼刻出來28nm線寬的晶元? 最新 04-26. 想當年整個晶元工業各家包括intel ,GF, 台積電三星都在三星都在22nm,28nm這個節點卡了很久想必是遇到193nm ArF的極限了。 然而193nm能做出50nm以下,1/4波長的尺度,已經非常神奇了不是嗎? 在知乎上有一個問題,「晶元產業中的光刻機是怎麼雕刻出遠遠小於自己波長的線寬的? 」這個問題很有意思。 半導體工藝1年一變,學生在學校看到的教材,實在跟不上。 想當年整個晶元工業,各家包括intel ,GF, 台積電,三星都在三星都在22nm,28nm這個節點卡了很久,想必是遇到193nm ArF的極限了。

  2. 圖源台積電 從台積電透露的時間表來看其第一個N2節點預計將於2024年或2025年推出與英特爾20A工藝時間相差無幾不過如此謹慎的態度是否影響台積電的發展步伐而沒有背面供電技術的GAA工藝在與英特爾對撞時又是否會處於劣勢地位

  3. 電壓的定義:電壓(voltage),也稱作電勢差或電位差,是衡量單位電荷在靜電場中由於電勢不同所產生的能量差的物理量。 其大小等於單位正電荷因受電場力作用從A點移動到B點所做的功,電壓的方向規定為從高電位指向低電位的方向。 說白了就是: 某個點的電壓就是相對於一個參考點的電勢之間的差值。 V某=E某-E參。 一般我們把供電電源負極當作參考點。 電源電壓就是Vcc=E電源正-E電源負。 想產生負電壓,就讓他相對於電源負極的電勢更低即可。 要想更低,必須有另一個電源的介入,根本原理都是利用兩個電源的串聯。 電源2正極串聯在參考電源1的負極後。 電源2負極就是負電壓了。 一個負電壓產生電路:利用電容充電等效出一個新電源,電容串聯在GND後,等效為電源2。 則產生負電壓。

  4. 南京百識電子科技有限公司成立於2019年8月是一家專註第三代寬禁帶半導體的晶元製造企業以生產碳化硅及氮化鎵相關外延片為主要業務包含GaN on Silicon、GaN on Sic以及SiC on SiC涵蓋射頻微波等應用。 本文圖片來源於百識電子,經授權使用. 其創始人宣融畢業於台灣交通大學,並從學生時代開始接觸第三代半導體相關領域,撰寫過以第三代半導體材料的氮化鎵相關博士畢業論文,畢業後至工研參加第三代半導體相關工作,任職達11年,後於新竹科學園區繼續從事第三代半導體工作(6年),2019年創辦百識電子,至今已有20年相關行業從業經驗。

  5. 至純科技為華力微中芯國際合肥睿力長鑫)、長江存儲合肥晶合台積電南京SK海力士無錫華潤上華士蘭微等一線用戶提供高純工藝系統相關的產品和服務圖片來自PNC至純科技官微

  6. vivo維沃移動通信有限公司 首席天線專家 黃奐衢 博士闡述天線的意涵. 且黃博士分別梳理了國際電信聯盟 (ITU)以及中國IMT-2020推進組對5G的理解與詮釋,而所謂的5G,也就是第五代移動通信,基本是圍繞著三個主要應用場景:即增強的移動寬頻 (eMBB)、海量的機器式通信 (mMTC),與超高可靠性低延時通信 (uRLLC)。 而其中增強移動寬頻此場景又細分為連續廣域覆蓋與熱點高容量此兩子場景。 若簡單快速地認識5G主要技術的要求,對應前述的三大場景基本就是傳輸速率≧ 1 Gbps、時延≦ 1 ms,與每平方公里的機器連接數≧ 1百萬個。 而5G的頻段基本分布基本以6 GHz為界,低於6GHz一般稱之sub-6 GHz頻段,而高於6 GHz則常稱之毫米波 (mm-Wave)段。

  7. 蔡定平與台灣大學電機系管傑雄教授、南京大學介體超晶格實驗室專職研究人員王漱明合作,利用自創的「集成共振單元」研發出寬頻、且能消除色差的超透鏡(Achromatic Metalens),並在美國和台灣取得專利。 如果「消色差超透鏡」聽起來令人摸不著頭緒,那就得先了解一下超材料(Metamaterial)、超表面(Metasurfaces)。

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