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場效電晶體 （英語： field-effect transistor ，縮寫： FET ）是一種通過電場效應控制電流的電子元件。 它依靠 電場 去控制導電通道形狀，因此能控制 半導體材料 中某種類型 載子 的通道的 導電性 。 場效應電晶體有時被稱為「單極性 電晶體 」，以它的單載子型作用對比 雙極性電晶體 。 由於半導體材料的限制，以及曾經雙極性電晶體比場效應電晶體容易製造，場效應電晶體比雙極性電晶體要晚造出，但場效應電晶體的概念卻比雙極性電晶體早。 [1] 歷史 [ 編輯] 主條目： 電晶體的歷史. 場效應電晶體於1925年由Julius Edgar Lilienfeld和於1934年由Oskar Heil分別發明，但是實用的元件一直到1952年才被製造出來（ 結型場效應電晶體 ）。
場效電晶體簡介. 一般場效電晶體(field effect transistor,簡稱 FET)和雙極電晶體一樣都有三隻接腳,不過工作原理卻完全不同。 FET 的控制接腳稱為閘極(gate,簡稱G 極),顧名思義閘極的功用就如同水壩的閘門;而水壩上方的水庫可以提供水,對應到FET 的另一接腳稱做源極(source ,簡稱S 極) ;水壩下方水的出口,對應到FET的第三隻腳稱為汲極(drain,簡稱D 極)。 水流呢?那就對應到電流嘍!不過半導體中的電流可以是電子流或電洞流,利 用電子流來工作的稱為n通道場效電晶體. (n-channel FET),利 用電洞流來工作的稱為p 通道場效電晶體(p-channel FET)。
Q:如何計算單位通道長度的電 荷(Q/uL)? A: 採用式(5.2) 來計算單位 通道長度的電荷 Q: 如何計算電子飄移速度？ A: v DS 會建立一個跨越通道 的電場E ，這可用來計算電 子飄移速度 divide both sides by 2 (eq5.2) in (eq5.4) in / (eq5.5) in / (eq5 =
場效應電晶體又分為 金屬氧化半導體場效電晶體(MOSFET)和接面場效電晶 體(junction FET，JFET) 如下(圖1) ，其中MOSFET 依其通道形成方式又可分成增強型 ( Enhancement-Type )與空乏型( Depletion-Type )兩種。 場效應電晶體的三個極則分別是源極 （Source）、閘極（Gate）和汲極（Drain）。 (圖1) 常見的電晶體分類 . （二） 關於MOSFET . MOSFET 應該是人類使用最多的電晶體種類，特別是在電腦及通訊相關的電子設備中，大量的 這種電晶體開關幫助我們處理、運算及記憶大量的數據。 由於MOSFET 的結構特別適合被縮小化， 而且功率需求也小，在同一晶片上製作上千萬個電晶體開關變得可行。
當一個夠大的電位差施於金氧半場效電晶體的閘極與源極之間時，電場會在氧化層下方的 半導體 表面形成感應電荷，而這時就會形成 反轉通道 （inversion channel）。 通道的極性與其汲極（drain）與源極相同，假設汲極和源極是n型，那麼通道也會是n型。 通道形成後，金氧半場效電晶體即可讓電流通過，而依據施於閘極的電壓值不同，可由金氧半場效電晶體的通道流過的電流大小亦會受其控制而改變。 電路符號 [ 編輯] 常用於金氧半場效電晶體的電路符號有多種形式，最常見的設計是以一條垂直線代表通道（Channel），兩條和通道平行的接線代表源極（Source）與汲極（Drain），左方和通道垂直的接線代表閘極（Gate），如下圖所示。
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場效電晶體. 一. 實驗器材. 二. 預習作業. 以方塊圖表示n‐channel FET 結構。 以n‐channel 的FET 為例說明ID(Drain current )與VDS(Drain 與Source 之電壓差)的關係分別討論VGS = 0 及VGS < 0 兩情況時,ID‐VDS之關係。 當VDS 保持一定時,ID‐VGS的關係如何變化?試說明之。 三. 實驗步驟. ( 一) 利用三用電表判斷FET 的G、D、S端. 取一FET,記錄其編號。 三用電表旋至(R×1KΩ)檔,根據 ”參考資料 ( 一) ” 找出G極,並判斷其通道為p‐ 或n‐ channel ? ”參考資料 ( 二) ”, 找出D、S 極。
2021年10月4日 · MOSFET 是目前半導體產業最常使用的一種場效電晶體，科學家將它製作在矽晶圓上，是數位訊號的最小單位，我們可以想像一個MOSFET代表一個0或一個1，就是電腦裡的一個「位元」。 電腦是以0與1兩種數位訊號來運算；我們可以想像在矽晶片上有數十億個MOSFET，就代表數十億個0與1，再用金屬導線將這數十億個MOSFET 的源極、汲極、閘極連結起來，電子訊號在這數十億個0與1之間流通就可以交互運算，最後得到使用者想要的加、減、乘、除運算結果，這就是電子計算機（電腦）的基本工作原理。 晶圓廠像台積電、聯電，就是在矽晶圓上製作數十億個MOSFET的工廠。 閘極長度：半導體製程進步的關鍵.
