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2020年1月7日 · 1、硅片环节设备，有望受益下游单晶硅片扩产. （1）单晶取代多晶路线确定，高效单晶市场份额逐渐扩大. 单晶电池相对于多晶，产品效率方面有天然的优势：2018 年，规模生产的 单多晶电池基本采用高效技术，其中多晶电池全面应用黑硅技术，单晶领 域则大规模普及 PERC 技术，预计 2-3 年内在多晶领域也将全部由 PERC 技术替代。 大规模生产的单多晶电池平均转换效率也分别从 2010 年的17.5%和 16.5%提升至 2018 年的 21.8%和 19.2%。 由于晶体生长工艺不同，导致单晶硅片与多晶硅片在晶体品质、电学性能、 机械性能方面与单晶相比有显著差异。 相比而言单晶硅以下优势：更少的 缺陷、更高的机械强度、更低的碎片率、更大的效率提升空间、更高的集 约性、更长的衰减期。
2023年11月21日 · N型高效电池技术进展与展望. 类别：太阳能电池 来源：PVInfoLink 2021-09-17 18:27:41. 因为其沉积速率高和对硅片钝化效果好的优势，部分厂商也在开始尝试该路线；tco制备环节，磁控溅射pvd法因为工艺简单，膜层均匀易控制且靶材利用率高制造成本低等优势已然成为制备tco的主流工艺，而反应等离子体沉积 rpd. N型高效电池 光伏技术 PERC电池. 平均转化效率24.2% 爱康湖州基地异质结电池量产获新突破. 类别：太阳能电池 来源：苏大光伏校友会 2021-04-09 10:16:15.
2022年7月4日 · 晟成光伏 全自动叠焊机ALU系列主要用于常规组件、半片组件和双玻组件等组件汇流条焊接，兼容电池片156*156mm-230*230mm/5BB-24BB，兼容组件尺寸最大为2700*1500mm。 ALU系列叠焊机集成了旁路焊双跳线可选功能，自带排版功能，可以直接对接串焊机，节省排版机和空间布局。 现全新升级ALU-HJP全自动超高速叠焊机，满足客户更高产能需求。 全新升级ALU-HJP叠焊机优势特点. 1、常规组件节拍≤12s，开启旁路焊节拍≤14s； 2、同时兼容横版，竖版组件； 3、同时兼容2-6大串组件版型； 4、同时兼容 PERC、TOPCON（SMBB)、HJT、 HBC (IBC)及叠瓦组件； 5、可以自动贴汇流条上的条形码； 6、具备汇流条和EVA点烫功能；
2020年1月31日 · 光伏组件自动化生产线核心设备有：玻璃上料机械手、串焊机、焊接机、 EVA/背板裁切机、EL 外观检测一体机、层压机、修边机、装框机、分档机 械手等。目前龙头生产厂商均以光伏组件生产线交钥匙工程为主要业务形 式。
2023年11月24日 · 目前，国内市场中外国设备制造企业已基本退出，高测股份等国内设备制造商成为国内主导力量，且在国际市场上颇具影响力。 正是基于在硅片切割设备的技术引领，高测股份的市场占有率逐年提升，并在2021年超过50%以上，成为名副其实的硅片切割设备龙头。 效率提升10%以上，GC-800X金刚线晶硅切片机布局“未来”！ 一代工艺，一代设备。 近两年，硅片行业呈现“大硅片”、“薄片化”、“n型”新趋势，并带来了设备更新的需求。 2023年，为进一步助力客户降本增效，高测股份重磅推出新一代GC-800X金刚线晶硅切片机，该设备可同步兼容异质结和TOPCon等新型电池的大尺寸、薄片化、半片、矩形片发展需求，在高效率工艺下，仍可保持设备整体高稳定性，切割异常大幅降低，是高测股份提升设备性能的又一力作。
2022年9月24日 · 庄辉虎首先介绍了实现异质结产业化的主要途径，实现异质结产线的 GW产能有两种方式，一种是腔室串联，另一个是做大腔室，但是腔体不可能无限串联，因此要做到GW单线产能，多腔室串联+大腔体是必经之路。 从异质结产业化规模量产角度出发，庄辉虎介绍了金石能源最新推出的“单机1GW产能异质结电池生产线”，据悉，“单机1GW产能异质结电池生产线”在生产节拍、小时产能方面，均有较大优化和提升，在核心技术指标上已经是遥遥领先！ 其中，生产节拍减少至51S，小时产能则提升了20%以上。 以210mm半片产线为例，800MW产能异质结电池生产线的小时产能是19314片，单机1GW产能异质结电池生产线的小时产能达到23859片，产能提升了23.5%！
2012年5月24日 · 化学气相沉积 (CVD)是反应气体在一定条件下分解并发生化学反应，最终生成固态物质沉积在基体表面继而形成薄膜的一种技术。 在工艺上与其他薄膜沉积技术相比，具有沉积速度快、膜层质量好等优点，且已广泛应用于电子、光电子、表面改性等领域。 该技术的缺点是沉积工艺温度过高，一般在 (900℃～1200℃)之间，被处理的基体在高温下易变形、基体晶粒长大、致使基材性能发生改变，甚至某些相对低熔点的合金基材：如 (Al合金)无法涂覆，而PECVD在很大程度上改进了CVD的这些缺点。 PECVD技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电 (或另加发热体)使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。
