搜尋結果
2015年6月23日 · 揭秘英特尔3D NAND Flash芯片. 来源： 2015-06-23 00:00:00. 最近，Intel & Richmax举办了一场技术讲解会3D Nand Technical Workshop，Intel的技术人员在会上具体揭示了Intel 3D NAND的计划以及一些技术上的细节。. 3D NAND Flash优势. 1）存储密度可以达到现有闪存的三倍以上，未来甚至 ...
2019年9月23日 · 本网站有权但无此义务，改善或更正在本网站的任何部分之错误或疏失。 2、任何在「DRAMeXchange-全球半导体观察」上出现的信息（包括但不限于公司资料、资讯、研究报告、产品价格等），力求但不保证数据的准确性，均只作为参考，您须对您自主决定的行为负责。
2018年2月7日 · 本网站有权但无此义务，改善或更正在本网站的任何部分之错误或疏失。 2、任何在「DRAMeXchange-全球半导体观察」上出现的信息（包括但不限于公司资料、资讯、研究报告、产品价格等），力求但不保证数据的准确性，均只作为参考，您须对您自主决定的行为负责。
2008年1月2日 · 在使用DDR SDRAM的主板上有几百颗的信号终结电阻，只要你注意观察DIMM 插槽下方那些大量的电阻器，它们就是所谓的终结电阻，大量的终结电阻会增加主板的制造成本。. DDR2把终结电路直接内建在核心中，因此就不再需要主板上提供终结电路。. 实际上，不同的 ...
存储器资讯中心，全球半导体观察为您提供存储器资讯，包括内存、闪存和固态硬盘等产品资讯。 SK海力士宣布将清州M15X定为DRAM生产基地 总共投资20万亿韩元 2024-04-24 2024年4月24日，SK海力士宣布，为应对用于AI的半导体需求剧增，决定扩充AI基础 ...
2020年10月9日 · 荷兰女王特使德里斯·范·阿格特参观了ASML的超净室 图源《光刻巨人：ASML的崛起之路》 最初被“骗”到ASML，接手“烂摊子”时，完全不懂光刻机的斯密特曾以为自己差点上当，但听到的信息碎片和故事越多，他心中的迷雾消散得越快。
2018年9月4日 · 丹利电子产品线涵盖标准存储器测试 (DDR2, DDR3, DDR4)、低功耗存储器测试 (LPDDR2, LPDDR3, LPDDR4)、快闪存储器测试 (2D/3D NANDFlash)以及不同封装方式的测试 (eMMC, eMCP)。. 合作客群部分，除包含全球前三大模组厂，中国大陆前三大模组厂，以及全球前三大工控模组厂 ...
