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穿透式電子顯微鏡 （英語： Transmission electron microscope ，縮寫： TEM 、 CTEM ），簡稱 透射電鏡 ，是把經加速和聚集的 電子 束投射到非常薄的樣品上，電子與樣品中的原子碰撞而改變方向，從而產生立體角散射。 散射角 的大小與樣品的密度、厚度相關，因此可以形成明暗不同的影像，影像將在放大、聚焦後在成像器件（如 螢光屏 、 膠片 、以及 感光耦合組件 ）上顯示出來。 由於電子的 德布羅意波長 非常短，透射電子顯微鏡的解析度比光學顯微鏡高的很多，可以達到0.1～0.2 nm，放大倍數為幾萬～百萬倍。 因此，使用穿透式電子顯微鏡可以用於觀察樣品的精細結構，甚至可以用於觀察僅僅一列原子的結構，比光學顯微鏡所能夠觀察到的最小的結構小數千倍。
穿透式電子顯微鏡 (Transmission Electron microscopy, TEM)主要是一種使用高能量電子束讓超薄的樣品成像，其影像解析度可達0.1奈米的原子等級，用以觀察材料微結構或晶格缺陷的分析儀器。 破解半導體差排軌跡 TEM技術找出晶片漏電真因. 氮化鎵磊晶層差排類型分析唯一利器 如何用TEM解開謎團. 靠這招 速找寬能隙GaN晶片異常點. 突破先進封裝技術 奈米壓痕及刮痕測試的四大應用. 如何以低成本TEM 技術 解析原子級異質晶體界面. 關於TEM材料分析你不知道的事，五大案例揭開TEM的暗黑功能. 比GaN與SiC更寬能隙的半導體材料即將出現 如何選. 車用被動元件AEC-Q200規範 2023年最新改版懶人包.
2009年9月9日 · 穿透式電子顯微鏡 (Transmission Electron Microscopy：TEM) 國立彰化師範大學物理所陳建淼研究生/國立彰化師範大學物理學系洪連輝教授責任編輯. A.TEM簡介. 自1930年代第一台商用電子顯微鏡於英國建立以來，由於影像解析度受限於所供輸電子能量，隨著高壓設備之成熟技術發展與建立，穿透式電子顯微鏡不斷地進步與突破。 1938年，穿透式電子顯微鏡，解析度約20~30埃，到1963年，解析度提升至2~3埃；到目前為止，一百萬電子伏特 (eV)以上之超高電壓穿透式電子顯微鏡也已問世 (HRTEM)。 因此原子級的影像解析度早已不再是遙不可及之夢想。
穿透式電子顯微鏡 （TEM）可以直接獲得一個樣本的投影。 在這種顯微鏡中電子穿過樣本，因此樣本必須非常薄。 樣本的厚度取決於組成樣本的原子的原子量、加速電子所用的電壓和所希望獲得的解析度。 樣本的厚度可以從數奈米到數微米不等。 原子量越高、電壓越低，樣本就必須越薄。 通過改變物鏡的透鏡系統人們可以直接放大物鏡的焦點的像。 由此人們可以獲得電子衍射像。 使用這個像可以分析樣本的晶體結構。 在 能量過濾穿透式電子顯微鏡 （Energy Filtered Transmission Electron Microscopy，EFTEM）中人們測量電子通過樣本時的速度改變。 由此可以推測出樣本的化學組成，比如 化學元素 在樣本內的分布。
2022年4月1日 · 電子顯微鏡的解析度是光學顯微鏡的1000 倍之多，甚至可以達到奈米等級。 電子顯微鏡主要分為SEM 及TEM兩種。 前者藉由電子束掃描樣品的表面，使樣品表面上產生電子訊號，再經電子偵測器接收後合成圖像；後者則是利用較高的電壓，使電子束獲得足夠的能量穿透樣品，並由偵測器接收訊號。 SEM 的特色為價格較低，容易建置與操作；TEM則價格高昂且需要更大的專屬空間，並需要由專業人員操作，但影像解析能力較強。 1931 年，德國物理學家魯斯卡（Ernst Ruska）製造出第一臺電子顯微鏡（electron microscopes），這項發明也讓他在1986年獲得了諾貝爾物理學獎。 而電子顯微鏡的誕生其實源自於一個想法：「我們可以使用電子而非光波來激發樣品表面，並由產生的電子訊號組成圖像嗎？
分析穿透式電子顯微鏡 (analytical electron microscopy, AEM) 以掃描穿透式電子顯微鏡 (scanning transmission electron microscopy, STEM) 形式為主，加裝 X 射線能量散布分析儀 (energy dispersive X-ray spectrometer, EDS) 和電子能量損失譜儀 (electron (3,4)。
穿透式電子顯微鏡. 1.穿透影像觀察 (可至nm等級) 2.電子繞射作晶體結構分析 (可作SAD及NBD)。. 3.提供高亮度空間解析度的電子束，適合多樣化的試片分析。. 影像觀察，解析度可達0.23nm (AHR)，倍率可達百萬以上，並可利用OBJ aperture觀察明場像 (Bright field image，一般 ...
