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2021年11月5日 · 全球搶攻第三代半導體商機，也是台灣半導體產業重視的領域，但有專家指稱「第三代半導體」其實來自中國，且含中國對半導體產業的野心，所以建議台灣產官學界應該「正名」，但如果要改，該怎麼稱呼？ 中國取名為第三代半導體，主要是為了與第一代半導體、第二代半導體區分，並成為 ...
2023年11月3日 · 第三代半導體是什麼 半導體是一種具有特殊導電性質的材料，介於金屬（具有良好的電導性）和非金屬（具有較差的電導性）之間，它的導電性介於 ...
2020年8月18日 · 第三世代半導體材料 – 氮化鎵GaN是什麼？ 第三代半導體材料被稱為 「寬能隙半導體」（WBG） ，相對於以往的材料有著更寬的帶隙，帶隙越寬，越能 耐高溫 、 高壓 、 高頻 、 高電流 ，能源轉換效率也較好，因此氮化鎵集合了散熱佳、體積小、能源耗損小、功率高四種優良特性。
2021年9月22日 · 搞懂第三代半導體與前兩代的差異關鍵，不同世代半導體的消長與共存. 隨著全球進入 IoT、5G、綠能、電動車時代，能徹底展現耐高壓、高溫、高頻能耐，並滿足當前主流應用對高能源轉換效率要求的寬能隙（Wide Band Gap，WBG）半導體開始成為市場寵兒，半導體 ...
2023年7月14日 · 新聞上經常提及三星、台積電在先進製程工藝上的差距，包含 GAA、FinFET、GAA、Nanosheet 等技術，到底半導體是什麼？第三代半導體又有甚麼樣的優勢？本篇就帶大家來認識，一起來看看吧！ 一、半導體是什麼？介於導電、不導電間的的材料
2022年1月3日 · 台積電即是採用此晶圓代工技術，為第3類半導體元件龍頭納微半導體（Navitas）代工生產氮化鎵功率元件。 長期而言， 碳化矽基氮化鎵（GaN on SiC）被視為是未來的主流技術，因為碳化矽基板的導熱性優異，氮化鎵磊晶層的品質較佳，適合高溫、高頻、高功率的產品，如5G基地台、低軌衛星應用。
2020年5月27日 · 第三代半導體材料 起源時間：美國早在1993年就已經研製出第一支氮化鎵的材料和器件，而我國最早的研究隊伍——中國科學院半導體研究所在1995年也起步該方面的研究，並於2000年做出HEMT結構材料。 代表材料：第三代半導體材料主要以碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁 ...
