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  2. 氮化鎵概念股是指第三代半導體氮化鎵 (GaN) 」有關的產品開發設備製造技術服務及業務銷售等公司股票包含半導體材料應用產業的上游中游下游廠商合稱的一種股市術語也是投資人用來挑選 氮化鎵 (GaN)相關股票 的選股方式。 上游:IC設計、IDM、生產原料製造商、進出口貿易商。 中游:氮化鎵 (GaN)材料晶圓製造、代工、設備廠商。 下游:氮化鎵 (GaN)半導體封裝測試與產品應用,包括:電動車、太陽能、柴油車…等。 基本上,與「氮化鎵 (GaN)開發、生產與應用」有高度相關或佔據一定比例的公司或行業,相關個股價格和產業發展都會有密切關係,例如:半導體材料、碳化矽Sic、封測、電動車、再生能源、IC設計、晶圓代工…等。

    • 應用範圍廣泛 進入門檻不低
    • 聚焦晶圓代工廠 台積電領先布局
    • 富采具轉機 太極子公司富潛力
    • 延伸閱讀

    根據工研院產科國際所統計,目前第 1 代半導體材料的市占率約九成,第 2、3 代合計約10%。化合物功率半導體(即第 2、3 代半導體)去年市場規模約 298 億美元,但 2025 年成長到 361.7 億美元,2030 年更可上看 435 億美元,成長潛力大。 國際氮化鎵元件供應商除 Cree 和 ROHM 等外,主要集中在上游 IC 設計及 IDM 廠,可歸類為三五族公司,如 Skyworks、Qorvo、Broadcom、MURATA,以及生產設計功率元件公司如英飛凌、STM、NXP、TI 等。此外,碳化矽供應鏈則可分為長晶/晶錠、晶圓加工、磊晶、IC 設計及晶圓製造等。 台灣相關業務主要集中在晶圓代工廠,包括台積電、穩懋、世界先進、漢磊,以及磊晶廠全新、嘉晶、環球晶。另外,太極能源子...

    此外,台積電的子公司世界先進,在氮化鎵與碳化矽領域代工生產,已經布局 4 年,今年將可進入量產的前期商機。台積電集團高階封裝廠精材,也投入氮化鎵射頻功率放大器的商機,今年也將進入量產階段。 許豐祿指出,半導體上游長晶市占率世界第 4 的環球晶,今年斥資逾千億元公開收購德國世創(Siltronic)已經過關,未來市占率提升為世界第 2;該公司投入第 3 代半導體布局超過 4 年,其中 4 吋半絕緣產品已小量量產,6 吋導電型產品應用於 IGBT(絕緣柵雙極電晶體)等領域以及氮化鎵產品,都進入量產階段。環球晶結合下游相關公司,如宏捷科、強茂、朋程、台半、茂矽等公司,未來有可能成為世界第一的半導體上游長晶公司。 晶電及隆達合併的富采投控,今年最大轉機在量產 Mini LED 產品,第 2 季可大幅...

    太極子公司盛新材料布局長晶,生產碳化矽基板送樣客戶測試,預計今年第 1 季即可通過,有機會進入量產階段。根據公司員工透露,生產的晶圓良率超過 3 成就能賺錢,今年公司內部希望良率突破 6 成,量產可能要等到第 2 季底。 嘉晶是台灣有能力量產 4 吋、6 吋碳化矽磊晶及 6 吋氮化鎵磊晶的公司,擁有磊晶相關專利技術,品質也獲得國際 IDM 大廠認可。集團運用漢磊晶圓代工,據悉氮化鎵良率達九成以上,由於嘉晶集團投入第 3 代半導體的研發已經 10 年,今年有機會展現成果,讓嘉晶與漢磊今年將轉虧為盈。 ▲漢磊嘉晶集團在榮譽董事長黃民奇的支持下,布局第三代半導體10年,今年開始收割成果。 此外,穩懋、宏捷科,在第 2 代半導體材料砷化鎵代工領域業務逐年提升中,目前也積極投入第 3 代半導體事業的布...

  3. 2023年3月15日 · 華冠投顧分析師劉烱德表示第三類半導體碳化矽SiC)、氮化鎵GaN的特性是在高功率及耐高溫耐高壓剛好就是全球發展電動車充電樁低軌衛星5G 通訊ESG 企業永續經營綠能及儲能所必須用到的新材料劉烱德指出台廠在第三類半導體目前是晶圓代工的製造強但是上游基板及 IC 設計的兩端弱,而製造晶圓的成本,基板占 50%、磊晶占 25%、元件晶圓占 20%,主要廠商都在國外,台廠又缺全方位 IC 設計人才,像是第三類半導體晶片 IC 設計需要結合數學、物理、電磁波、電子、電機、機械多面向專業。

  4. 2021年9月2日 · 隨第三代半導體材料的寬能隙WBG功率元件開始被大量應用在5G基地台低軌道衛星電動車手機快充等市場台灣 半導體生產鏈近年來在氮化鎵GaN及碳化矽SiC領域布局已有不錯成果法人看好台積電2330)、世界先進5347)、漢磊

  5. 2023年9月22日 · 氮化鎵概念股有哪些相關同類第三代半導體在電動車、5G等領域扮演關鍵角色,市場潛力龐大,反映科技發展趨勢,帶你認識氮化鎵概念股及相關概念。所謂的半導體指的是是一種電導率在絕緣體至導體之間的物質或材料,當我們將不同功能的電子元件整合

  6. 2023年9月17日 · 第三代半導體應用市場產值成長快速鏵德科技具有第三代半導體磊晶製程及封裝上下游整合專業技術也是最具有市場競爭力的第三代半導體廠商將繼續投入更多的資源持續發展氮化鎵功率半導體技術與電源供應方案應用預計於2024年進行申請興櫃等相關事宜邁向資本市場。 ※...

  7. 2020年8月18日 · 第三代半導體材料被稱為 「寬能隙半導體」(WBG) ,相對於以往的材料有著更寬的帶隙,帶隙越寬,越能 耐高溫 、 高壓 、 高頻 、 高電流 ,能源轉換效率也較好因此氮化鎵集合了散熱佳體積小能源耗損小功率高四種優良特性氮化鎵成為三原色LED最後一塊拼圖. 自1993年,氮化鎵大量使用在科技產業,日亞化學工業的中村修二成功透過氮化鎵製作出 藍色LED ,終於湊齊LED光三原色的最後一色。 所以氮化鎵開始廣為科技業使用並非是從電力或通訊設備開始。 5G時代來臨. 通訊進入5G時代後,科技發展逐漸走向 高頻 ,矽與砷化鎵開始無法負荷通訊設備高漲的頻率,而這也正好符合 氮化鎵高工作頻率的特性 ,高頻狀態下除了保持優異效能外也能維持穩定度。

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