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2021年10月5日 · 第三代半導體材料掀起全球投資熱潮，但是這個名稱其實是來自中國用語，而且與當地產業發展脈絡密切相關。 工研院電光所所長吳志毅表示， 「第三代半導體」其實是中國取的名稱，建議台灣產官學界應該將碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）等正名為「化合物半導體」。 什麼是化合物半導體？ 隨著 電動車、5G、衛星通訊領域快速發展，砷化鎵（GaAs）、碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）等化合物半導體（Compound Semiconductor ）的戰略重要性大幅提升。 化合物半導體擁有耐高溫、高壓的特性，是帶領 5G、電動車、再生能源、工業 4.0 技術發展的下一步關鍵。 而透過化合物半導體材料製成的元件，可以讓電動車、5G 及綠色能源設備運作效率更加提升。 化合物半導體怎麼漸漸被叫成「第三代半導體」？
2021年8月12日 · 第三代半導體包含氮化鎵（GaN）與碳化矽（SiC），具有高頻、高輸出功率、高耐受電壓等特性，能承受 5G 高頻，以及電動車高電壓的工作環境，成為市場新寵兒。但氮化鎵與碳化矽的差異在哪？它們又各有怎樣的市場潛力？下文為你一一解析。 2021/02/24
2021年9月8日 · 第三代半導體是台灣的下一座護國神山？ 鴻海：得先掌握兩個關鍵. 鉅亨網. 2021-09-08. 分享本文. 【為什麼我們要挑選這篇文章】台灣矽基半導體產業發達，台積電被譽為護國神山；然而台灣的第三代半導體產業鏈相對較弱，但它卻是電動車的重要技術。 因此，鴻海期望透過 MIH 完善台灣的電動車產業鏈，進而帶動第三代半導體的發展。 未來，第三代半導體能成為台灣的下一個護國神山嗎？ （責任編輯：郭家宏） 鴻海董事長劉揚偉 6 日表示，台灣要發展化合物半導體產業鏈必須掌握二個關鍵，首先就是打造電動車（EV）產業鏈，第二就是複製過往 Silicon-Based（矽基礎）的成功經驗，複製到 SiC 上，未來台灣在第三代半導體上，會多一個護國神山。 打造電動車產業鏈，是建立第三代半導體產業鏈的重要條件.
- 第三代半導體已具備商業化量能，國際大廠搶研發
- 台廠悄悄布局，電動車成新興發展領域
- 5G 基地台也要用這種新材料！
- 氮化鎵快速充電效率高，同步帶動被動元件需求
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第三代半導體雖然發展已經有一段時間，不過，其實今年以來，才逐漸開始廣為人知，尤其是中國在今年發布的「145 規畫」（第 14 個 5 年規畫），將第三代半導體納入其中，再度引起市場對第三代半導體的關注。 第三代半導體材料的碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN），與第一代半導體材料的矽（Si）、第二代半導體材料的砷化鎵（GaAs）相比，有著尺寸小、效率高、散熱迅速等特性。適合應用於 5G 基地台、加速快充以及電動車充電樁等相關產品領域，也是目前為止，技術已經足以應用商業化的產品。 國際各大廠科銳（Cree）、英飛凌（Infineon），以及羅姆（ROHM）已進入量產碳化矽的階段。過去 3 年來，碳化矽、氮化鎵等化合物成本，已下降 20％ 至 25％，將有利於終端產品導入第三代半導體的比率逐漸增加。
至於台灣，漢磊（3707）是台廠當中，在碳化矽、氮化鎵領域，著墨最深的指標大廠。 今年 6 月，漢磊與旗下子公司嘉晶（3016）在碳化矽、氮化鎵領域，已開始加速布建產能，瞄準市場對於第三代半導體的需求，6 吋碳化矽晶圓已在試產階段，客戶端對於電動車需求最大。漢磊在第三季法說會上表示，下半年只要通過客戶驗證，對於明年出貨量、營收的貢獻，有望較今年成長。 尤其是最近熱門的電動車族群，是第三代半導體瞄準的重要領域。漢磊的 650 伏特高壓氮化鎵已經通過電動車的車用標準認證，並且開始逐漸導入，在電動車無法阻擋的趨勢下，可以看到第三代半導體在充電領域展現的效益。 除了漢磊，上游晶圓廠中美晶（5483）8 月投資 35 億元，入主砷化鎵晶圓代工廠宏捷科（8086），投入氮化鎵的製程開發，有望能達成上下游...
想將氮化鎵應用在 5G 基地台，就必須從基地台的功率放大器（PA）切入。宏遠投顧分析師翁浩軒指出，在現行 PA 市場，仍使用材料為矽的「橫向擴散金屬氧化物半導體技術」（LDMOS），由於 LDMOS 僅適用低頻段，5G 使用的 3.5 GHz 高頻段，已觸碰到 LDMOS 製程的天花板。 隨著 5G 朝向更高頻段發展下，目前只有第三代半導體材料氮化鎵可滿足高頻、低雜訊、高功率、耐高壓及低耗電需求，自然也成為未來 5G 基地台的主要材料。 全新（2455）已經通過高通第二代 5G 功率放大器的認證，今年第四季已經開始出貨，只要高通的第二代 5G 銷售反應不錯，全新將可以跟著受惠，成為明年重要的營收動能。加上明年還有 5G 手機放量成長和 Wi-Fi 6 滲透率提升的趨勢，對於功率放大器的需求量...
至於將氮化鎵導入消費性電子領域，則是來自於射頻元件（RF）領域的高速成長。市場調研機構 Yole Développement 預估，氮化鎵在射頻元件滲透率年成長率高達 7 成以上。 以 iPhone 為例，據市場研調機構 TechInsights 分析，射頻元件占 iPhone 總成本的金額，從 11 Pro 的 33 美元，成長到 12 Pro 的 44.5 美元，漲幅超過 3 分之 1，是所有 iPhone 零組件當中，成長比率最高的元件。 （閱讀全文…） （本文訊息由 今周刊 提供，內文與標題經 TechOrange 修訂後刊登。新聞稿 / 產品訊息提供，可寄至： pr@fusionmedium.com，經編輯檯審核並評估合宜性後再行刊登。本文提供合作夥伴轉載。）
2021年8月24日 · 在第三代半導體市場中，台灣晶圓代工廠近期可能無法發揮優勢。 （責任編輯：郭家宏） 半導體產業高度分工，連半導體巨擘英特爾（Intel）也擴大與晶圓代工廠台積電合作。 但新興熱門的第 3 代半導體發展情況可能不同，產業分析師預期 3 至 5 年內仍是 IDM 廠主導，代工生存空間小。 第 3 代半導體資本門檻較低，由 IDM 廠主導. 半導體產業發展超過 60 年，產業高度垂直分工，台積電創辦人張忠謀開創晶圓代工商業模式，帶動 IC 設計業蓬勃發展。 近年整合元件製造（IDM）廠也逐步擴大委外代工，英特爾新繪圖晶片將採用台積電 5 奈米、6 奈米及 7 奈米三大先進製程。 第 3 代半導體發展至今也超過 30 年，只是近年隨著電動車、5G 快速發展，才日益受到各國政府與產業界關注。
2020年9月28日 · 第三代半導體材料氮化鎵（GaN）、碳化矽（SiC），因擁有小尺寸、耐高溫、耐高壓等特性，將帶動電源、工業、電動車等應用邁向下一個新時代，被動元件業者普遍看好，中高壓、高容值被動元件需求可望跟進成長趨勢，需求同步放大。 編按：半導體材料的發展主要歷經三個階段，第一代是矽（Si）、鍺（Ge）等基礎功能材料；第二代開始進入由兩種以上元素組成的化合物半導體材料，以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等為代表；第三代則是氮化鎵（GaN）、碳化矽（SiC）等寬頻化合物半導體材料。 第三代半導體適用於更嚴苛的作業環境，應用範圍廣.
2020年8月24日 · 隨著第三代半導體材料成為各半導體廠逐鹿之地，產業鏈的整合將加速產品開發進程，不過，目前氮化鎵 （GaN）、碳化矽 （SiC） 等化合物半導體產品量產最大困難，除成本高昂外，氮化鎵晶圓、碳化矽晶圓等上游材料製程難度高、使供應量不足，也是挑戰。 氮化鎵成明星材料，台廠環球晶、嘉晶前景看好！ 半導體材料歷經 3 個發展階段，第一代是矽（Si） 等基礎功能材料；第二代進入由 2 種以上元素組成的化合物半導體材料，以砷化鎵（GaAs）、磷化銦 （InP）等為代表；第三代則是氮化鎵（GaN）、碳化矽 （SiC）等寬頻化合物半導體材料。
