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2021年10月5日 · 工研院電光所所長吳志毅表示, 「第三代半導體」其實是中國取的名稱,建議台灣產官學界應該將碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等正名為「化合物半導體」。 什麼是化合物半導體? 隨著 電動車、5G、衛星通訊領域快速發展,砷化鎵(GaAs)、碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)等化合物半導體(Compound Semiconductor )的戰略重要性大幅提升。 化合物半導體擁有耐高溫、高壓的特性,是帶領 5G、電動車、再生能源、工業 4.0 技術發展的下一步關鍵。 而透過化合物半導體材料製成的元件,可以讓電動車、5G 及綠色能源設備運作效率更加提升。 化合物半導體怎麼漸漸被叫成「第三代半導體」?
2021年8月12日 · 什麼是第三代半導體? 半導體世代以「材料」的發展作區別,第一代是矽(Si),第二代是砷化鎵(GaAs)。但近年 5G、電動車快速發展,前兩代的半導體性能已不敷要求。第三代半導體包含氮化鎵(GaN)與碳化矽(SiC),具有高頻、高輸出功率、高耐受
- 第三代半導體已具備商業化量能,國際大廠搶研發
- 台廠悄悄布局,電動車成新興發展領域
- 5G 基地台也要用這種新材料!
- 氮化鎵快速充電效率高,同步帶動被動元件需求
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第三代半導體雖然發展已經有一段時間,不過,其實今年以來,才逐漸開始廣為人知,尤其是中國在今年發布的「145 規畫」(第 14 個 5 年規畫),將第三代半導體納入其中,再度引起市場對第三代半導體的關注。 第三代半導體材料的碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN),與第一代半導體材料的矽(Si)、第二代半導體材料的砷化鎵(GaAs)相比,有著尺寸小、效率高、散熱迅速等特性。適合應用於 5G 基地台、加速快充以及電動車充電樁等相關產品領域,也是目前為止,技術已經足以應用商業化的產品。 國際各大廠科銳(Cree)、英飛凌(Infineon),以及羅姆(ROHM)已進入量產碳化矽的階段。過去 3 年來,碳化矽、氮化鎵等化合物成本,已下降 20% 至 25%,將有利於終端產品導入第三代半導體的比率逐漸增加。
至於台灣,漢磊(3707)是台廠當中,在碳化矽、氮化鎵領域,著墨最深的指標大廠。 今年 6 月,漢磊與旗下子公司嘉晶(3016)在碳化矽、氮化鎵領域,已開始加速布建產能,瞄準市場對於第三代半導體的需求,6 吋碳化矽晶圓已在試產階段,客戶端對於電動車需求最大。漢磊在第三季法說會上表示,下半年只要通過客戶驗證,對於明年出貨量、營收的貢獻,有望較今年成長。 尤其是最近熱門的電動車族群,是第三代半導體瞄準的重要領域。漢磊的 650 伏特高壓氮化鎵已經通過電動車的車用標準認證,並且開始逐漸導入,在電動車無法阻擋的趨勢下,可以看到第三代半導體在充電領域展現的效益。 除了漢磊,上游晶圓廠中美晶(5483)8 月投資 35 億元,入主砷化鎵晶圓代工廠宏捷科(8086),投入氮化鎵的製程開發,有望能達成上下游...
想將氮化鎵應用在 5G 基地台,就必須從基地台的功率放大器(PA)切入。宏遠投顧分析師翁浩軒指出,在現行 PA 市場,仍使用材料為矽的「橫向擴散金屬氧化物半導體技術」(LDMOS),由於 LDMOS 僅適用低頻段,5G 使用的 3.5 GHz 高頻段,已觸碰到 LDMOS 製程的天花板。 隨著 5G 朝向更高頻段發展下,目前只有第三代半導體材料氮化鎵可滿足高頻、低雜訊、高功率、耐高壓及低耗電需求,自然也成為未來 5G 基地台的主要材料。 全新(2455)已經通過高通第二代 5G 功率放大器的認證,今年第四季已經開始出貨,只要高通的第二代 5G 銷售反應不錯,全新將可以跟著受惠,成為明年重要的營收動能。加上明年還有 5G 手機放量成長和 Wi-Fi 6 滲透率提升的趨勢,對於功率放大器的需求量...
至於將氮化鎵導入消費性電子領域,則是來自於射頻元件(RF)領域的高速成長。市場調研機構 Yole Développement 預估,氮化鎵在射頻元件滲透率年成長率高達 7 成以上。 以 iPhone 為例,據市場研調機構 TechInsights 分析,射頻元件占 iPhone 總成本的金額,從 11 Pro 的 33 美元,成長到 12 Pro 的 44.5 美元,漲幅超過 3 分之 1,是所有 iPhone 零組件當中,成長比率最高的元件。 (閱讀全文…) (本文訊息由 今周刊 提供,內文與標題經 TechOrange 修訂後刊登。新聞稿 / 產品訊息提供,可寄至: pr@fusionmedium.com,經編輯檯審核並評估合宜性後再行刊登。本文提供合作夥伴轉載。)
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第三代半導體是什麼?
台灣的半導體製程有哪些優勢?
半導體材料是什麼?
2020年9月28日 · 第三代半導體適用於更嚴苛的作業環境,應用範圍廣. 氮化鎵應用包括 5G 基地台與手機、電源、電動車等三大領域,碳化矽相較氮化鎵,更耐高溫、耐高壓,較適合應用於嚴苛的環境,應用包括不斷電系統、智慧電網、電源供應器等高功率應用領域。 被動元件業者分析,第三代半導體材料發展勢必同步帶動大功率被動元件需求,以氮化鎵為例,由於氮化鎵 Mosfet 具有小巧、高效、發熱低等特點,電源內部設計空間因此增加,原本尺寸小的電解電容及 Disc 安規電容,皆將轉換為大尺寸 MLCC。 大環境對第三代半導體的需求高漲!
2021年9月8日 · 台灣矽基半導體產業發達,台積電被譽為護國神山;然而台灣的第三代半導體產業鏈相對較弱,但它卻是電動車的重要技術。 因此,鴻海期望透過 MIH 完善台灣的電動車產業鏈,進而帶動第三代半導體的發展。
2021年8月9日 · 第三代半導體材料是以碳化矽 SiC 及氮化鎵(GaN)為材料主流,相較傳統第一、二代材料如矽(Si)、砷化鎵(GaAs)等,第三代半導體具備尺寸小、效率高、散熱迅速等特性。適合應用在 5G 基地台、加速快充以及電動車充電樁等應用。
2020年8月24日 · 半導體材料歷經 3 個發展階段,第一代是矽(Si) 等基礎功能材料;第二代進入由 2 種以上元素組成的化合物半導體材料,以砷化鎵(GaAs)、磷化銦 (InP)等為代表;第三代則是氮化鎵(GaN)、碳化矽 (SiC)等寬頻化合物半導體材料。 從台廠材料端來看,環球晶已有 6 吋 GaN on Si(矽基氮化鎵)量產能力,GaN on SiC(碳化矽基氮化鎵) 由於製程難度較高,目前只做到 4 吋,SiC(碳化矽) 產能則在取得認證中。 而漢磊投控旗下磊晶矽晶圓廠嘉晶則具備 4 吋、6 吋碳化矽磊晶,及 6 吋氮化鎵磊晶量產能力。 製程技術門檻高、原料取得不易,成第三代半導體材料難以量產主因.