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第三代半導體,不同於第一代半導體材料(矽 Si、鍺 Ge)與第二代半導體材料(砷化鎵 GsAs、磷化銦 InP),第三代半導體的主要材料則為碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)兩種,由於產品特性的不同,各代半導體也分別有不同領域的應用。
第三代半導體是什麼?簡單來說,就是使用氮化鎵(GaN)以及碳化矽(SiC)等化合物作為材料的半導體產品,相較第一、第二代半導體,第三代半導體具有「高能效」、「低能耗」等特色,在超過 100 度的高溫下能更加穩定。目前,各國正積極佈局第三代
- 2022/3/7
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- 00904
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三代半導體比較 第一代半導體 第二代半導體 第三代半導體 主要材料 矽 Si、鍺 Ge 砷化鎵 GaAs、磷化銦 InP 碳化矽 SiC、氮化鎵GaN 特性 製作容易、成本低 低耗損、抗輻射、高導熱 高功率、耐高溫高壓 主要應用 記憶體、CPU處理器 3D 感測、光通訊、射頻
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【產業評析】第三代半導體產業簡介、概念股、市場現況與展望 【產業評析】砷化鎵產業簡介、概念股、市場現況與展望 週餘
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