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2023年9月6日 · 第三代半導體過去因特斯拉率先使用碳化矽在電動車上，引發需求與話題；2023/3特斯拉又宣布要大減75%碳化矽用量，讓氮化鎵躍上檯面。 優分析之前文章已提過氮化鎵未來在電動...
氮化鎵（GaN）、碳化矽（SiC） 是什麼？ 了解了半導體與其運作原理後，接下來我們趕緊來認識一下今天的主軸 —— 第三代半導體。 第三代半導體，不同於第一代半導體材料（矽 Si、鍺 Ge）與第二代半導體材料（砷化鎵 GsAs、磷化銦 InP），第三代半導體的主要材料則為碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）兩種，由於產品特性的不同，各代半導體也分別有不同領域的應用。
2021年8月22日 · 第1代半導體拼資本，第3代門檻低. 工研院產科國際所研究總監楊瑞臨表示，第1代矽基半導體製程技術不斷推進，資本支出龐大，台積電1年資本支出金額高達300億美元，美國亞利桑那州5奈米12吋晶圓廠將投資120億美元，是許多企業負擔不起。. 反觀第3代半導體 ...
2022年12月14日 · 第三，由於材料的進步，將會加快晶圓代工廠對於8吋碳化矽、氮化鎵（GaN）的製程開發。. 今年11月底，世界先進就已發布8吋0.35微米650V的新基底高電壓氮化鎵製程，已經完成驗證並進入量產。. 資策會認為，2023年還會有更多好消息宣布。. 最後，資策會認為 ...
2021年12月24日 · 第三代半導體又稱寬能隙半導體（Wide-bandgap Semiconductor，WBG），以 SiC（碳化矽）、GaN（氮化鎵）兩種化合物半導體為代表。 與傳統的 Si 相比，擁有耐高溫高壓、高功率、低耗損等優勢。
2022年7月18日 · 第三代半導體——碳化矽材料之製程與分析. SiC功率電子是加速電動車時代到來的主要動能。. 以SiC MOSFET取代目前的Si IGBT，不僅能使電力移轉時的能源損耗降低80%以上，同時也可讓晶片模組尺寸微縮至原本的1/10，達到延長電動車續航里程及縮短充電時間的功效 ...
2021年11月15日 · 第三代半導體應用起飛！. 嘉晶砸4千萬美元拚擴廠，碳化矽產能上看8倍. 半導體廠嘉晶，預計在未來2~3年，投入4000萬到5000萬美元資金擴廠，除了看好第三代半導體應用，未來在元宇宙也有商機。. ＃半導體產業. 高敬原. 分享. 收藏. 不論是電動車、5G或是智慧 ...
