第三代半導體 碳化矽 相關
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Onsemi EliteSiC 碳化矽系列產品有何特色?
2023年11月9日 · 第三類半導體主要材料為碳化矽 （SiC）與 氮化鎵 （GaN）兩種，如果以市場來應用來看，又可分為高頻通訊元件及功率元件兩大類。 資策會MIC於第36屆MIC FORUM...
2022年12月14日 · 由於當前諸如第三類半導體材料大廠Wolfspeed、II-VI（貳陸）等企業開始啟動8吋晶圓量產，顯示碳化矽（SiC）正逐漸從過去常見的6吋往8吋轉進，資策會指出，這對於台廠在2023年8吋碳化矽的量產開發上，將產生四項影響。 延伸閱讀： 無懼對手虎視電動車大餅，Wolfspeed如何穩居碳化矽基板之王？ 首先，是部分台廠將會跟進8吋碳化矽晶圓的開發。 以現階段來看，例如盛新材料在7月起開始投入8吋碳化矽晶圓，預計到2025年將會有明顯成果，同時盛新也投入長晶爐設備的開發。 資策會指出，2023年台廠對於8吋矽晶圓的發展，將會試圖擺脫國際大廠的控制。 碳化矽晶圓如今正逐步從6吋轉往8吋，將會在2023年帶動更多發展。 圖為盛新材料董事長謝明凱。 圖／ 蔡仁譯攝影.
2021年12月24日 · 第三代半導體又稱寬能隙半導體（Wide-bandgap Semiconductor，WBG），以 SiC（碳化矽）、GaN（氮化鎵）兩種化合物半導體為代表。 與傳統的 Si 相比，擁有耐高溫高壓、高功率、低耗損等優勢。 以 SiC 為例，其能隙為 Si 的 3 倍，使其可承受電壓為 Si 的 10 倍，可承受溫度為 3 倍，因此非常適合用在電動車、5G 等要求高壓、大電流且須高溫運行的應用。 Source：engineering.com. 而 GaN 則通常以磊晶方式長在 Si 或 SiC 上（關於磊晶，可參考 <第三代半導體發展近況？
2023年3月28日 · 比起第一、第二類半導體，以碳化矽（SiC）及氮化鎵（GaN）為首的第三類半導體因為能在高溫、高壓、高頻及高功率應用領域中展現無與倫比的低功耗及高可靠性優勢，因此受到自動車、通訊、消費性及資料中心等產業的高度重視與興趣。 身為全球最重要半導體生產基地的台灣，為了延續今後在全球半導體的影響力並為今後經濟發展灌注新動能，自然會全力推動第三類半導體相關技術與元件的研發與量產。 在過去豐富的半導體工藝製程的基礎下，台灣擁有一定程度的第三類半導體發展實力。 TrendForce 調研運營中心營運長張小彪表示，雖然在 COVID-19 疫情與俄烏戰爭先後交互的衝擊下，更進一步加劇全球通貨膨脹，但全球在面臨氣候變遷及能源危機之際，也在節能減碳上找到新的發展機遇。
2021年9月22日 · 第三代半導體是目前高科技領域最熱門的話題，在 5G、電動車、再生能源、工業 4.0 發展中扮演不可或缺的角色，即使常聽到這些消息，相信許多人對它仍一知半解，好比第三代半導體到底是什麼？ 為何台積電、鴻海積極布局？ 台灣為什麼必須跟上這一波商機？ 對此，本系列專題將用最淺顯易懂、最全方位的角度，帶你了解這個足以影響科技產業未來的關鍵技術。 從這裡可透過《Google 新聞》追蹤 TechNews. 科技新知，時時更新. 科技新報粉絲團 加入好友 訂閱免費電子報. 關鍵字: 5G , GaN , SiC , 第三代半導體 , 電動車. Post navigation.
2023年4月13日 · 第三類半導體包括碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN），整體產值又以SiC占80%為重。 SiC適合高壓、大電流的應用場景，能進一步提升電動車與再生能源設備系統效率。...
2021年8月22日 · 產業分析師表示，碳化矽基板是發展最大關鍵。 第3代半導體熱起來，有3推力. 工研院產科國際所研究總監楊瑞臨說，第3代半導體近年成為各國政府與產業界關注的熱門焦點，主要有3個催化劑。 第一是美國電動車大廠特斯拉（Tesla）搶先採用第3代半導體碳化矽（SiC），讓SiC元件得以實際發揮散熱性佳，及提高電動車續航力等特色。 特斯拉率先用SiC功率元件，掀起同業跟進熱潮。 圖／ 特斯拉. 第二是全球環保意識抬頭，各國政府為達到碳中和、淨零碳排，紛紛訂定淘汰燃油車的時間表，促使車廠加速轉進電動車。 第三是中國為記取矽基半導體受制於美國的教訓，政策大力支持發展第3代半導體。 充電樁建置潮掀起SiC熱.
