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Wide-bandgap Semiconductor
- 第三代半導體又稱寬能隙半導體（Wide-bandgap Semiconductor，WBG），以 SiC（碳化矽）、GaN（氮化鎵）兩種化合物半導體為代表。
blog.fugle.tw/the-role-of-sic-in-ev-industry-2021/
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什麼是「第三代半導體」?
第3類半導體需要多少層?
第三類半導體適合應用於什麼元件?
台廠在第3類半導體的戰略是什麼?
2021年10月5日 · 工研院電光所所長吳志毅表示， 「第三代半導體」其實是中國取的名稱，建議台灣產官學界應該將碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）等正名為「化合物半導體」。 什麼是化合物半導體？ 隨著 電動車、5G、衛星通訊領域快速發展，砷化鎵（GaAs）、碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）等化合物半導體（Compound Semiconductor ）的戰略重要性大幅提升。 化合物半導體擁有耐高溫、高壓的特性，是帶領 5G、電動車、再生能源、工業 4.0 技術發展的下一步關鍵。 而透過化合物半導體材料製成的元件，可以讓電動車、5G 及綠色能源設備運作效率更加提升。 化合物半導體怎麼漸漸被叫成「第三代半導體」？
2021年11月5日 · 全球搶攻第三代半導體商機，也是台灣半導體產業重視的領域，但有專家指稱「第三代半導體」其實來自中國，且含中國對半導體產業的野心，所以建議台灣產官學界應該「正名」，但如果要改，該怎麼稱呼？
- 第三代半導體應用 1》高頻通訊如 5G、衛星通訊
- 第三代半導體應用 2》低電壓的電源供應器
- 第三代半導體應用 3》高電壓的汽車電源供應器
- 延伸閱讀
第 1，是將氮化鎵材料用來製作 5G、高頻通訊的材料（簡稱 RF GaN）。過去 20 年，許多人想用成熟的矽製程，做出可以用在 5G 高頻通訊上的零組件。 最有名的是高通在 2013 年推出的 RF 360 計畫。當時，市場上的擔心，高通這項新技術推出之時，就是生產通訊用化合物半導體製造商的「死期」，穩懋股價還曾因此重挫。 結果，高通生產出來的矽晶片非常燙，完全沒辦法用在手機；後來，連高通都回頭跟穩懋下單。業界人士觀察，通訊會愈來愈往高頻發展，未來高頻通訊晶片都是化合物半導體的天下，王尊民觀察，這個領域也是化合物半導體製造毛利率最高的部分，像穩懋和宏捷科的毛利都在三至四成。
第 2 個市場，是用氮化鎵製造電源轉換器（簡稱 Power GaN），這是目前最熱門的領域。過去生產相關產品，最難的部分是取得碳化矽的基板，記者採訪時，陽明交通大學國際半導體產業學院院長張翼拿出一片碳化矽基板給大家看，這一片 6 吋寬的圓片，要價高達 8 萬元台幣。 但近幾年，市場開始出現將氮化鎵堆疊在矽基板上的技術（GaN on Si）。這種技術大幅降低化合物半導體成本，用在生產處理數百伏特的電壓轉換，可以做到又小又省電。目前市面上已經可以看到，原本便當大小的筆電變壓器，已經能做到只有餅乾大小，OPPO、聯想等公司，更積極要把這種技術內建在高階手機和筆電裡。 3 月 1 日，野村證券發表題為「A GaN Changer」的產業報告，認為未來 2~3 年，第三代半導體將重塑全球消費性電源市場...
第 3 個市場則是碳化矽供電晶片（SiC）。碳化矽材料的特殊之處在於，如果要轉換接近 1,000 伏特以上的高電壓，就只有碳化矽能達到要求；換句話說，如果要用在高鐵，轉換風力發電，或是推動大型的電動船、電動車，碳化矽都能更有效率。 第三代半導體是未來各國搶占電動車、新能源，甚至國防、太空優勢，不能忽視的關鍵技術，誰在這個領域領先，誰就能在這個領域勝出。 （本文由 財訊 授權轉載；首圖來源：台積電）
2022年1月3日 · 【第3類半導體】又稱寬能隙半導體（Wide Band Gap Semiconductors），中國稱第3代半導體，但第3代並不能取代第1代或第2代，各類半導體皆有適用的應用領域. 以氮化鎵和碳化矽為主的第3類半導體材料的優勢是，比起第1類和第2類半導體材料，能夠承受更高功率、高頻率（如毫米波），而且擁有極佳的散熱性能，因此可在特殊應用領域大展身手，例如基地台、電動車、低軌衛星、太陽能源等。 「碳化矽在高功率、高電壓的元件上性能優異，能提供更高效率的電子轉換能力、帶來更好的節能效果，延長電動車電池的續航力， 有機會部分取代原本以矽為基礎的功率元件 。 」中央大學副校長綦振瀛指出。
2021年6月17日 · 」 拓墣產業研究院分析師王尊民說，現在所稱的第3代半導體， 指的是氮化鎵（GaN）和碳化矽（SiC）這兩種材料 ，「這是2000年之後才開始投入市場的新技術」。 圖／ 財訊. 尤其，第3類半導體並不好做，以通訊晶片為例，要按照不同的通訊需求，選擇不同的材料，在原子等級的尺度下精確排好，難度有如給你各種不同形狀的石頭，堆出一座穩固的高塔，誰能用這些材料，生產出更省電、性能更好的電晶體，就是這個市場的勝利者。 目前，第3代半導體有3個主要應用市場。 延伸閱讀： 阿里巴巴達摩院公布10大趨勢觀察：第三代半導體應用大爆發、腦機接口突破生物極限. 第三代半導體應用1：高頻通訊如5G、衛星通訊. 第一個應用，是將氮化鎵材料用來製作5G、高頻通訊的材料（簡稱RF GaN） 。
碳化矽(SiC, Silicon Carbide) 及 氮化鎵(GaN, Gallium Nitride) 簡稱第三代( 或稱第三類) SiC 與 GaN 個具優勢發展領域大不同. SiC(Silicon Carbide 碳化矽) SiC 是由矽(Si) 與碳(C) 組成,擁有低損耗高功率的特性非常適合用於高電壓及高功率的應用場景, 如電動車、 充電樁、 太陽能及風力發電等綠能設備。 GaN(Galliun Nitride 氮化鎵) GaN 擁有中等電壓(900V 以下工作電壓) 並擁有較高的工作頻率(Mhz) 因此非常適用於如充電器,5G 基地台,5G 通訊設備等應用。 磊晶技術使得SiC與 GaN 有天生上的應用差異.
半導體 （德語： Halbleiter, 英語： Semiconductor, 法語： Semi-conducteur ），是一种 电导率 在 绝缘体 至 导体 之间的物质或材料。 半导体在某个温度范围内，随温度升高而增加电荷 载流子 的浓度，使得电导率上升、 电阻率 下降；在绝对零度时，成为绝缘体。 依有无加入 掺杂剂 ，半导体可分为： 本征半导体 、 杂质半导体 （n型半导体、p型半导体）。 电导率 容易受控制的半导体，可作为資訊处理的元件材料。 从科技或是经济发展的角度来看，半导体非常重要。 很多电子产品，如 電腦 、 移动电话 、数字录音机的核心单元都是利用半导体的电导率变化来处理資訊。
