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  1. 2007年9月5日 · 内存的Parity、ECC和SPD解析. Parity就是内存的奇偶校验。. 比特 (bit)是内存中的最小单位,也称“位”、它只有两个状态分别以1和0表示。. 我们将8个连续的比特叫做一个字节 (byte)。. 非奇偶校验内存的每个字节只有8位,若它的某一位存储了错误的值,就会使其中 ...

  2. 2008年9月8日 · DDR2芯片内部终结ODT技术解析. 来源: 2008-09-08 00:00:00. 经常有人会说支持DDR2的主板存在偷工减料的现象。. 事实上这是由于DDR2内存中使用了一项新的ODT技术,它可以在提高内存信号稳定性的基础上节省不少电器元件。. 主板终结是一种最为常见的终结主板内干扰 ...

  3. 2009年2月14日 · 什么是三通道内存技术?. 要说三通道内存技术,我们可以追溯到双通道内存技术。. 双通道内存技术,就是在北桥 (又称之为GMH)芯片组里制作两个内存控制器,这两个内存控制器是可以相互独立工作的。. 在这两个内存通道上,CPU可以分别寻址、读取数据,从而 ...

  4. 2007年2月8日 · 其它的内存技术. 来源: 2007-02-08 00:00:00. Enhanced SDRAM (ESDRAM 增强型同步动态内存) 为了提高标准内存模块的速度与效率,某些制造厂将一小部份的 SRAM 直接合并于芯片上,制成一个芯片上的快速缓冲储存区 ESDRAM 本身是一个 SDRAM 加上一个小容量的 SRAM 快速缓冲储存 ...

  5. 2011年5月9日 · PCRAM的概念. 相变内存(PCRAM)的英文是“Phase Change Random Access Memory”,简称“PCM”,是一种非易失性的内存。. 相变内存是新世代内存(闪存)技术,国内外多家厂商都纷纷对此项技术进行开发。. 目前PCRAM技术合作及研究成果的厂商(机构)列表. PCRAM的优点 ...

  6. 2021年10月29日 · 10月29日,澜起科技宣布DDR5第一子代内存接口及模组配套芯片已成功实现量产。 据介绍,该系列芯片是DDR5内存模组的重要组件,包括寄存时钟驱动器 (RCD)、数据缓冲器(DB)、串行检测集线器 (SPD Hub)、温度传感器 (TS) 和电源管理芯片 (PMIC),可为DDR5 ...

  7. 2018年2月7日 · 据媒体报道,目前花莲陆续传出建筑倒塌、人员伤亡等灾情,根据统计,已造成2人死亡、逾200人轻重伤。. 此外,因为台湾地区半导体产业在全球市场有着举足轻重的地位,由地震造成的局部区域停电是否对半导体厂商生产制造带来影响,备受业界关注。. 根据 ...

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