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  1. 通管 相關
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  1. 連通管原理 - 維基百科,自由的百科全書

    zh.wikipedia.org › zh-tw › 連通管原理

    本頁面最後修訂於2020年4月20日 (星期一) 16:37。 本站的全部文字在創用CC 姓名標示-相同方式分享 3.0協議 之條款下提供,附加條款亦可能應用。 (請參閱使用條款) Wikipedia®和維基百科標誌是維基媒體基金會的註冊商標;維基 是維基媒體基金會的商標。 ... ...

  2. 南化水庫 - 維基百科,自由的百科全書

    zh.wikipedia.org › zh-tw › 南化水庫
    • 沿革
    • 設施及工程
    • 基本資料
    • 觀光資源
    • 參考
    • 外部連結

    背景

    臺南及高雄為臺灣南部用水高度成長之地區,政府當局於1980年代推估該兩地區於2001年每日平均總需水量約為269萬立方公尺,而當時供水能力平均每日約141萬立方公尺,正開發的新水源量平均每日約49萬立方公尺,故需開發平均每日約79萬立方公尺的新水源量,後於1984年由臺灣省水利局完成南化水庫調查規劃報告,1985年完成南化水庫計畫及檢討報告,預估完成後於平均每日提供80萬立方公尺的用水量,可有效改善台南、高雄之缺水及水質不佳問題,並可滿足該地區至2001年之用水需求量。 計畫時原訂名後堀水庫,但省府以名稱不雅為由,於1985年決定改以所在地南化鄉(今臺南市南化區)命名。

    第一期興建

    第一期工程為主體水壩興建工程,於1986年由行政院核定興建,1988年12月開工,於1993年7月封堵蓄水,1993年11月全部完工。

    第二期興建

    第二期工程原稱為「南化水庫越域引水工程計畫」,因水庫上游山區降雨較少,而其東側三公里外的旗山溪因發源於玉山主峰西南坡,雨量較為豐沛,因此,此工程即於高雄市甲仙大橋上游約450公尺處設甲仙堰取水,以輸水隧道將旗山溪豐水期(每年6月至10月)多餘之水量(平均每日約30萬噸)引入南化水庫運用,提高南化水庫之供水量達每年2億9千萬噸,1993年2月20日將計畫名稱改為「南化水庫第二期工程計畫」,於1994年6月動工,於1999年6月開始通水運轉。

    南化高屏聯通管

    南化水庫與高屏溪攔河堰聯通管路是因應高屏溪枯水期水量不足,為了穩定高屏溪攔河堰之供水,於豐水期利用甲仙堰引水維持蓄滿南化水庫,並以南化水庫取水供應台南、高雄地區,同時期於高屏溪攔河堰取水供應高雄地區,枯水期自南化水庫調水供應高屏溪攔河堰,全長57.7公里。2001年7月動工,於2003年11月完工通水,惟2004年5月與2005年7月兩度發生爆管意外,遂進行改善工程,2006年於部分管線加設內襯,沿線並加設三座減壓站。

    加高工程

    台灣省水利局南部水資源工程處為增加南化水庫之蓄水容量,以供應台南地區之公共用水,於1997年開始進行加高工程之研究,計畫加高20公尺擴增一倍之蓄水量,以做為美濃水庫無法興建的替代方案,後因921大地震後,地方因擔心水庫安全而反彈,目前此計畫暫時擱置。

    南化水庫防淤隧道

    南化水庫自1993年開始蓄水營運,水庫容量為1億5,400萬立方公尺。然而水庫啟用後至今,庫容逐年淤積,每次颱風侵襲皆造成南化水庫被大量土石沖入。2009年8月8日的莫拉克颱風侵襲,其所造成之八八風災讓中南部地區的多座水庫受山區大量土石沖入,壩前淤積面提升至海拔150.8公尺處。而如此嚴重的淤積也讓南化水庫的容量大為下降,2009年11月,南水局進行測量時,南化水庫的有效蓄水容量約為1億立方公尺,已減為原先設計容量的63%;2012年測量時,南化水庫的有效蓄水量僅剩9,943萬立方公尺,可顯見淤積已嚴重影響水庫蓄水功能。 因此,為確保南化水庫運轉順暢並蓄清排渾,延長水庫壽命及基於永續利用之原則,於2010年制定《曾文南化烏山頭水庫治理及穩定南部地區供水特別條例》,希望透過集水區保育、新水源開發、水庫清淤及庫區設施新建等多面向策略,來維持既有水庫功能及穩定南部地區水資源供應。經特別條例工作小組審議後,確定由水利署南區水資源局負責南化水庫增設防洪防淤工程設施的計畫、施工與監造業務執行,該項計畫稱為「南化水庫防淤隧道工程計畫」。 計畫所需總建造成本約為40.5億元,防淤隧道設計流量為1...

    管理單位:台灣自來水股份有限公司第六區管理處
    最高常水位:180公尺
    最大可能供水位:184.9公尺
    滿水位面積:531.7公頃

    景點

    1. 上游關山里有不少瀑布、溪谷等景觀。 2. 沿區道南179線往關山里(瑞峰國小)途中,有約十二公里長的湖畔公路。 3. 南化水庫大壩下方是焦吧年古戰場,南化區公所並在此成立軍史公園、環保公園、親水公園合稱為「源之旅休閒公園」。 4. 有些地方屬未開發地區且為水源保護區,旅遊者宜注意法令規範並小心安全。

    ^ 行政院前瞻基礎建設已核定計畫. [2021-06-20]. (原始內容存檔於2021-06-28).
    ^ 曾文南化聯通管工程計畫. [2021-06-20]. (原始內容存檔於2021-06-29).
  3. C4ISR - 維基百科,自由的百科全書

    zh.wikipedia.org › zh-tw › C4ISR

    C4ISR是一個軍事學術語,是由C2(Command指揮、Control管制)演化而來,通常譯為指揮自動化系統。它由英語的指揮、管制、通信、資訊、情報、監視和偵察七個詞(Command、Control、Communications、Computers、Intelligence、Surveillance、Reconnaissance)的首字 ...

  4. 熱收縮套管 - 維基百科,自由的百科全書

    zh.wikipedia.org › zh-tw › 熱收縮套管

    熱收縮套管,又稱為熱縮套管、熱縮管、熱縮通,是一種遇熱收縮的塑膠管,由高分子材料製造[1],常用於電力及電子工業對電線或電纜的絕緣保護。 播放媒體 示範熱縮管受熱後收縮的片段 熱縮管的塑膠遇到熱力會收縮[2],當用於電線的絕緣保護時,可把一段 ... ...

  5. 搋子 - 维基百科,自由的百科全书

    zh.wikipedia.org › wiki › 搋子
    • 原理
    • 其他用途
    • 另見

    搋子的作用原理有二:首先,將碗狀橡膠頭抵住排水口,接著握住桿狀手柄往下推壓、將橡膠頭壓扁,讓空气或水進入管道。此動作可以使堵塞物的上方壓力比下方大,此時堵塞物可能會下移以平衡壓力。第二,握住桿狀手柄迅速往回拔起、使橡膠頭回復原狀,此動作在堵塞物上方產生些微的真空状态,亦即堵塞物的上方壓力比下方小,此時堵塞物可能會上移以平衡壓力。如此來回下壓上拔搋子,可以使下水道中的堵塞物松动或分散,進而達到疏通的目的。 其他可以提升搋子作用效率的方法有: 1. 注意搋子的橡膠頭結構:由於馬桶的排水口形狀較不規則,因此馬桶用的搋子其橡膠頭外觀通常接近鐘形,且內側通常有環狀的突起構造,藉此較好地將排水口密封以創造較大的壓力差;而一般浴缸、洗手台、流理台與地板的排水口較平坦,因此搋子的橡膠頭外觀比半球體來得淺,且內側缺乏環狀的突起構造,因此創造的壓力差較小。 2. 將其他排水口以塞子或溼布堵住:由於下水道的水管之間通常是相連的,因此這麼做可以避免透過搋子創造的壓力差從這些排水口釋放。 3. 在橡膠頭與排水口貼合處塗上凡士林:此舉可以使橡膠頭與排水口的密封性更好。 4. 在下水道有水時使用搋子,必要時甚至可以淹過橡膠頭:由於液體比氣體難壓縮,因此水比空气更能传递透過搋子施加的压力;另外,將水淹過橡膠頭也可以增加與排水口的密封性。 5. 将排水口(如地漏、箅子或排水孔蓋)的头发或其他異物清理干净。 6. 使用搋子前先將水管疏通劑倒入下水道:由於水管疏通劑可以使部分堵塞物分解,因此可以較好地疏通下水道。 7. 搭配水管疏通棒或是通管條(英语:plumber's snake)使用:水管疏通棒可以將堵塞物從下水道中拉出,但若堵塞物的位置太深,那麼以通管條才能觸及堵塞物。

    除了用來疏通下水道堵塞之外,搋子還有其他功能: 1. 有些網路影片稱使用搋子可打開汽车車鎖,但新聞記者在實際測試中未能成功。 2. 有報導稱使用熱風機搭配搋子,可以修復車輛保險桿的輕微凹損。 3. 曾有人將搋子固定於電車的天花板上,握住桿狀手柄作為把手使用。紐約動能藝術家喬瑟夫·赫歇爾也發表類似的概念,他使用搋子吸住地鐵車窗並連接到帽子上,當作輔助補眠以避免跌倒的工具。

  6. 三通 - 維基百科,自由的百科全書

    zh.wikipedia.org › zh-tw › 三通

    三通是臺海兩岸直接「通郵」、「通商」、「通航」的簡稱,主要是中國大陸提出與臺灣方面就兩岸之間的交流提議,中華民國政府則長期採取三不政策:「不接觸」、「不談判」、「不妥協」作為對應。 因為兩岸政府主張之管轄區域重疊,且除了民進黨政府外,雙方領導人各 ...

  7. 場效應管 - 維基百科,自由的百科全書

    zh.wikipedia.org › zh-hant › 场效应管
    • 歷史
    • 電極
    • 組成
    • 場效應晶體管的類型
    • Fet工作
    • 用途
    • 參見
    • 外部連結

    場效應電晶體於1925年由Julius Edgar Lilienfeld和於1934年由Oskar Heil分別發明,但是實用的器件一直到1952年才被製造出來(結型場效應電晶體)。1960年Dawan Kahng發明了金屬氧化物半導體場效應電晶體,從而大部分代替了JFET,對電子行業的發展有着深遠的意義。

    所有的FET都有柵極(gate)、漏極(drain)、源極(source)三個端,分別大致對應雙極性電晶體的基極(base)、集電極(collector)和發射極(emitter)。除了結型場效應管外,所有的FET也有第四端,被稱為體(body)、基(base)、塊體(bulk)或襯底(substrate)。這個第四端可以將晶體管調製至運行;在電路設計中,很少讓體端發揮大的作用,但是當物理設計一個集成電路的時候,它的存在就是重要的。在圖中柵極的長度(length)L,是指源極和漏極的距離。寬度(width)是指晶體管的範圍,在圖中和橫截面垂直。通常情況下寬度比長度大得多。長度1微米的柵極限制最高頻率約為5GHz,0.2微米則是約30GHz。 這些端的名稱和它們的功能有關。柵極可以被認為是控制一個物理柵的開關。這個柵極可以通過製造或者消除源極和漏極之間的溝道,從而允許或者阻礙電子流過。如果受一個外加的電壓影響,電子流將從源極流向漏極。體很簡單的就是指柵極、漏極、源極所在的半導體的塊體。通常體端和一個電路中最高或最低的電壓相連,根據類型不同而不同。體端和源極有時連在一起,因為有時源也連在電路中最高或最低的電壓上。當然有時一些電路中FET並沒有這樣的結構,比如級聯傳輸電路和串疊式電路。

    FET由各種半導體構成,目前硅是最常見的。大部分的FET是由傳統塊體半導體製造技術製造,使用單晶半導體硅片作為反應區,或者溝道。 大部分的不常見體材料,主要有非晶硅、多晶硅或其它在薄膜晶體管中,或者有機場效應晶體管中的非晶半導體。有機場效應晶體管基於有機半導體,常常用有機柵絕緣體和電極。

    摻雜FET(解釋如下)的溝道用來製造N型半導體或P型半導體。在耗盡模式的FET下,漏和源可能被摻雜成不同類型至溝道。或者在提高模式下的FET,它們可能被摻雜成相似類型。場效應晶體管根據絕緣溝道和柵的不同方法而區分。FET的類型有: 1. DEPFET(Depleted FET)是一種在完全耗盡基底上製造,同時用為一個感應器、放大器和記憶極的FET。它可以用作圖像(光子)感應器。 2. DGMOFET(Dual-gate MOSFET)是一種有兩個柵極的MOSFET。 3. DNAFET是一種用作生物感應器的特殊FET,它通過用單鏈DNA分子製成的柵極去檢測相配的DNA鏈。 4. FREDFET(Fast Recovery Epitaxial Diode FET)是一種用於提供非常快的重啟(關閉)體二極管的特殊FET。 5. HEMT(高電子遷移率晶體管,High Electron Mobility Transistor),也被稱為HFET(異質結場效應晶體管,heterostructure FET),是運用帶隙工程在三重半導體例如AlGaAs中製造的。完全耗盡寬帶隙造成了柵極和體之間的絕緣。 6. IGBT(Insulated-Gate Bipolar Transistor)是一種用於電力控制的器件。它和類雙極主導電溝道的MOSFET的結構類似。它們一般用於漏源電壓範圍在200-3000伏的運行。功率MOSFET仍然被選擇為漏源電壓在1到200伏時的器件. 7. ISFET是離子敏感的場效應晶體管(Ion-Sensitive Field Effect Transistor),它用來測量溶液中的離子濃度。當離子濃度(例如pH值)改變,通過晶體管的電流將相應的改變。 8. JFET用相反偏置的p-n結去分開柵極和體。 9. MESFET(Metal-Semiconductor FET)用一個肖特基勢壘替代了JFET的PN結;它用於GaAs和其它的三五族半導體材料。 10. MODFET(Modulation-Doped FET)用了一個由篩選過的活躍區摻雜組成的量子阱結構。 11. MOSFET用一個絕緣體(通常是二氧化硅)於柵和體之間。 12. NOMFET是納米粒子有機記憶場效應晶體管(Nanoparticle Organic Memory FET)。(頁面存...

    柵極電壓對電流的影響

    FET通過影響導電溝道的尺寸和形狀,控制從源到漏的電子流(或者空穴流)。溝道是由(是否)加在柵極和源極的電壓而創造和影響的(為了討論的簡便,這默認體和源極是相連的)。導電溝道是從源極到漏極的電子流。

    漏極源極電壓對電流的影響

    無論是增強模式還是耗盡模式器件,在漏源電壓遠小於柵源電壓時,改變柵極電壓將改變溝道電阻,漏電流將和漏電壓(相對於源極的電壓)成正比。在這種模式下FET將像一個可變電阻一樣運行,被稱為"線性模式"或"歐姆模式"。 如果漏源電壓增長了,由於源漏電勢的梯度,它將造成溝道形狀上的一個很大的非對稱改變。在溝道的漏末端,反型區域的形狀變成夾斷(pinched-off)。如果漏源電壓進一步增長,溝道的夾斷點將開始離開漏極,向源極移動。這種FET被稱為"飽和模式"; 一些作者把它稱為"有源模式",為了更好的和雙極晶體管操作區對比。當需要放大的時候一般用飽和模式或者歐姆模式與飽和模式的中間模式。中間模式有時被認為是歐姆或線性模式的一部分,儘管漏電流並不隨着漏電壓大致線性增長。 儘管在飽和模式下,柵源電壓形成的導電溝道不再和源相連,載流子的流動並沒有被禁止。重新考慮n溝道器件,耗盡區存在於p型體中的導電通道和漏、源區域周圍。如果受到漏源電壓向漏方向的吸引,組成溝道的電子將通過耗盡區自由的從溝道中移走。耗盡區將沒有載流子,而有近似於硅的電阻。任何漏源電壓的增長將增加漏極到夾斷點的距離,相對於耗盡區增加...

    IGBT在開關內燃機點燃管中有用。快速開關和電壓阻礙能力在內燃機中是非常重要的。 大部分常用的FET是金屬氧化物半導體場效電晶體。互補式金屬氧化物半導體過程技術是現代數字集成電路的基礎。這個過程技術排列了相連成串的p溝道MOSFET和n溝道MOSFET(通常在提高模式),使得當一個開,另一個則關。 MOSFET中柵和溝道之間的脆弱絕緣層使得它在操作中容易受到靜電損壞。器件在合適的設計電路中安裝後則通常不成問題[來源請求]。 在FET中,當在線性模式下運行,電子能向各個方向流動通過溝道。當器件是特別的(但並不是經常的)從源極到漏極的對稱製造,漏極和源極的名稱變化有時是隨機的。這使得FET適合用來開關路程間的模擬信號(多路技術)。例如,由這一概念,固體混合板就可以被構造出。

    PBS The Field Effect Transistor(頁面存檔備份,存於網際網路檔案館)
    CMOS gate circuitry(頁面存檔備份,存於網際網路檔案館)
  8. 螺線管 - 维基百科,自由的百科全书

    zh.wikipedia.org › wiki › 螺線管
    • 磁場
    • 機電螺線管
    • 參閱
    • 參考文獻
    • 外部連結

    假設螺線管的管長趨向於無限長,則可以忽略邊緣效應(fringe effect)。如右圖,思考迴路b,使用右手定則來尋找環繞著載流導線的磁場。假若將右手握住載流導線,大拇指指向電流方向,則其它手指會指向磁場的方向。對於一個管長很長的螺線管,磁場的徑向部分都因為對稱性而互相抵銷。所以,只有z-分量不等於零。在螺線管內,磁場朝著正z-軸方向;在螺線管外,磁場朝著負z-軸方向。 再思考迴路c,根據安培定律,因為沒有任何電流穿過迴路c,所以,磁場沿著迴路c的分量的線積分,又稱為磁場繞著迴路c的環流量,等於零。在螺線管內,因為對稱性,磁場繞著迴路c的徑向部分的環流量等於零。但是,螺線管內軸向部分(z-軸方向)的環流量不等於零:朝著正z-軸方向,磁場繞著直線段1的環流量,與朝著負z-軸方向,磁場繞著直線段2的環流量,兩個環流量相等。隨著螺線管趨向於無限長,可以假設磁場跟z-坐標無關,在直線段1任意位置的磁場都相等。同樣的,在直線段2任意位置的磁場都相等。所以,在直線段1任意位置的磁場等於直線段2任意位置的磁場。由於可以任意改變迴路的尺寸,而得到答案仍舊不變,所以,唯一可能的解釋,就是在螺線管內的磁場是個常數,不隨位置的不同而改變。同樣的論點可以用在迴路a,所以,在螺線管外的磁場是個常數,不隨位置的不同而改變。 在螺線管外的磁場等於零。磁場線只以閉合迴路的形式存在。它不能像電場線一樣地從一點發散出來,或收斂於一點。假設螺線管內的磁場線的方向是朝上,則螺線管外的磁場線的方向是朝下。它們形成一條閉合迴路。但是,外面的體積超大於裏面的體積,外面的磁場線密度超低。在無限遠位置,磁場線密度等於零,磁場等於零。回想到外面的磁場是個常數,因此,外面的磁場也等於零。總結,隨著螺線管趨向於無限長,外面的磁場趨向於零。 再思考迴路b。根據安培定律,磁場繞著迴路b的環流量是 1. B h = μ 0 n i h {\\displaystyle Bh=\\mu _{0}nih} ; 其中,B {\\displaystyle B} 是磁場,h {\\displaystyle h} 是迴路b的軸向長度,μ 0 {\\displaystyle \\mu _{0}} 是真空磁導率,n {\\displaystyle n} 是單位長度的線圈數,i {\\displaystyle i} 是電流。 所以,磁場是 1. B = μ...

    機電螺線管是由電磁感應線圈,捲繞於可移動的不銹鋼或鐵材質的电枢(英语:Armature_(electrical))(armature)外面,所組成的機電原件。當感應線圈乘載電流時,會有磁場產生,感應線圈變成一個電磁鐵,吸引或排斥電樞,造成電樞的移動。這機制所給出的機械力可以用來操控其它機械(像氣控閥或液壓閥)。機電螺線管給出的是近距離作用力;對於遠距離,作用力會顯得微弱。由於可以用控制電路直接控制,機電螺線管的反應時間非常快速。 機電螺線管常見於電子彈珠台、點陣式印表機、燃料噴射裝置等等。

    Halliday, David; Robert Resnick, Jearl Walker. Fundamental of Physics 7th. USA: John Wiley and Sons, Inc. 2005: pp. 776–777. ISBN 0-471-23231-9. 引文使用过时参数coauthors (帮助)引文格式1维护:冗余文本 (link)

    National High Magnetic Field Laboratory網頁的Java互動指導課:螺線管產生的磁場。
    Hyperphysics網頁的論述:螺線管 (页面存档备份,存于互联网档案馆)。
    卡內基大學網頁的轉動聲音線圈基礎。
  9. 金屬氧化物半導體場效電晶體 - 維基百科,自由的百科全書

    zh.wikipedia.org › zh-tw › 金屬氧化物半導體場效電晶體

    2021/11/18 · 此條目需要補充更多來源。 (2015年9月9日)請協助補充多方面可靠來源以改善這篇條目,無法查證的內容可能會因為異議提出而移除。 致使用者:請搜尋一下條目的標題(來源搜尋: "金屬氧化物半導體場效電晶體" — 網頁、新聞、書籍、學術、圖像 ),以檢查網 ...

  10. 真空管 - 维基百科,自由的百科全书

    zh.wikipedia.org › wiki › 真空管
    • 歷史
    • 結構
    • 分類
    • 参见
    • 外部連結

    真空管的歷史可溯自改良燈泡的商人湯瑪斯·愛迪生。1880年某日,他好奇地在燈泡中多放了一個電極,且灑了點箔片,結果發現了奇特的現象:第三極通正電時,箔片毫無反應;但通負電時,箔片隨即翻騰漂浮。當時愛迪生不知道此現象的起由,但由於他不經意的發現,這個現象後來被稱為愛迪生效應。一直到1901年,歐文·理查森提出定律,說明電子的激發態引起箔片漂浮,後更以此拿到1928年的諾貝爾物理獎。接著約翰·弗萊明在1904年發展出二極管,李·德佛瑞斯特更在1907年作出第一個三極管。

    真空管具有發射電子的阴极(K)和工作時通常加上高压的阳极或稱屏極(P)。燈絲(F)是一種極細的金屬絲,而電流通過其中,使金屬絲產生光和熱,而去激發陰極來放射電子。柵極(G)它一定置於陰極與屏極之間。柵極加電壓是抑制電子通過柵極的量,所以能够在阴极和阳极之间对电流起到控制作用。 1. 三極真空管之主要結構 2. 真空管之底座結構 為保持管內的真空狀態,真空管中設有一物件,稱為除氣劑。一般由鋇、鋁、鎂等活潑金屬合金製成。在抽出管中空氣後,將管中各元件及除氣劑加熱至紅熱,這樣就可以吸收管內電極所含之氣體。利用一圍繞管子之高頻電磁場而使除氣劑迅速升華,除氣劑就吸收管子中的氣體。在反應過後,玻璃管內壁積存銀色的除氣劑披覆層。若把管體的玻璃管打破或漏氣時,玻璃管內壁積存銀色的除氣劑便會退色,同時也表示該真空管不能被使用。 1. 玻璃管內壁除氣劑退色之過程 2. 除氣環

    依加熱方式

    真空管可被分為2大類別,分別是直熱式和旁熱式。直熱式真空管是較早誕生的。它有一個致命的缺點,就是陰極容易受到燈絲的溫度而改變特性。當燈絲電壓變動時,或以交流電供應燈絲時,陰極呈現在不穩定的狀態下。旁熱式真空管作工相對較穩定。由於金屬套筒的體積與儲熱量遠遠大於傳統的燈絲,因此即使燈絲暫時的溫度變動,甚至暫時幾秒鐘的停止加熱,金屬板的溫度變化改變有限,這也就是為什麼某些擴大機關機之後,它還能唱十多秒的主要原因,是因為灯丝未冷却秉電源供應部分有大容量電容器內部餘電未放完。

    依容器結構分類

    大部份市售的真空管,其管壁為玻璃製。而軍用等特殊型式則為金屬製及为超高频而制的瓷质金属壳的大空电子管。按玻璃形態可分為S管(大茄子)、ST管、G形管(大葫蘆)、GT管(直棒子)、自鎖管、MT管(花生管)、米型管、燈塔管、橡實管等。 1. 同外型的玻璃真空管 2. 鐵殼軍規6Ж4真空管

    依結構及用途區分

    1. 五極管 2. 複合管 真空管可被分為二极管、三极管、四极管、束射四极管、五极管及複合管等很多種類別。依用途區分及常見的型號: 1. 整流用二極管:12F、81、35W4、25M-K15、5MK9 2. 整流用雙二極管:80、5Z3、5AR4、5U4、6X4、5Y3、83、82 3. 水银蒸汽整流管。 4. 冷阴极充气稳压管: WY-1 5. 檢波用二極管:6AL5、EAA91、6H6 6. 調諧指示管:6E1、6E2、6E5、1E2、EM80、EM81 7. 电视显像管 8. 静电显示管 9. 蓋革計數管 10. 光电管 11. 星光倍加显像管 12. 摄像管 13. 磁控管(微波爐及雷達用) 14. 行波管(雷達及衛星用)21111 15. 電壓放大用三極管:6C4 16. 双二极三极检波放大管:6AV6、6SQ7 17. 電壓放大用双三極管:12AX7、12AU7、12AT7、12BH7A、6DJ8、6SN7 18. 功率放大用三極管:45、WE300B、2A3、211、845、8045G 19. 功率放大用双三極管:6336A、6080 20. 功率放大用集射四極管:...

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