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    加厚 手指 DRAM 接觸點採用30µ"厚的鍍層,優化連接器和DRAM模組之間的信號傳輸品質。 完整硬碟模組測試 對於 NAND 快閃存儲產品,我們對整個驅動器進行全面測試,包括固韌體、使用者區域和備用區域,以確保沒有壞塊存在。DRAM 產品也經過全面 ...

  2. 2021年6月29日 · In order to confirm SSD durability and reliability inside and even beyond its specified life span, ATP conducts EOL Validation Test at the drive level. Among the important things examined are P/E cycles, later bad blocks, wear leveling, and retention testing at various SSD life span stages (from 10%, 100%, and up to 120% EOL).

  3. 手指 DRAM触点的30μ“厚镀层优化了连接器和DRAM模块之间的信号传输质量。 完整驾驶测试 对于NAND闪存产品,整个驱动器(包括固件、用户和备用区域)都经过了彻底测试,以确保没有坏块。DRAM产品还经历了完整的测试,包括物理层和控制器 ...

  4. microSD輕巧、方便、易攜帶的特色,使其成為儲存設備的首選;但是,它們容易受到未經授權的存取,同時也容易遺失,倘若機密資料落入他人手中,很可能會使企業面臨極大的風險。SecurStor microSD卡提升可移動式儲存設備的安全性,這些microSD卡提供標準 ...

  5. ATP在耐久性、長壽性、廣溫性、固定BOM控制等方面具有核心競爭力,為公共交通系統提供理想的工業級閃存和記憶體解決方案。. 我們的解決方案適應各種極端環境和挑戰,具有高度可靠性和耐久性,能夠在廣泛的溫度範圍內穩定運行。. 我們通過固定的BOM控制 ...

  6. 2018年11月13日 · 厚30µ“的手指镀层可确保高质量的信号传输,某些模块可在-40 C至85 C的工业温度范围内工作。 符合JEDEC标准,100%系统级测试和可靠的使用寿命支持,使这些内存模块成为满足AI工作负载的高性能计算要求的理想解决方案。

  7. 2020年4月1日 · 表1. DDR3-1866 vs. DDR4-3200. 图1.性能比较: DDR3-1866 与 DDR4-3200. 低功耗设计,提高能源效率. 与DDR3的1.5V或1.35V相比,DDR4-3200仅工作在1.2V的电压,因此可以以更高的速度运行,而没有更高的电源和散热要求。. 更高的能源效率意味着更低的能耗和更大的节约。. 通过实施 ...

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