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  1. 最新 资讯 市场 一周热点 深度芯闻. 2023年全球前十大IC设计业者营收合计年增12%,NVIDIA首度夺冠|TrendForce集邦咨询. 2024-05-09. 据TrendForce集邦咨询研究显示,2023年全球前十大IC设计业者营收合计约1,677亿美元,年增长12%,关键在于NVIDIA(英伟达)带动整... IC设计. 市场观察. 第二季DRAM合约价涨幅上修至13~18%;NAND Flash约15~20%|TrendForce集邦咨询. 2024-05-07. 据TrendForce集邦咨询最新预估,第二季DRAM合约价季涨幅将上修至13~18%;NAND Flash合约价季涨幅同步上修至约15~20%... DRAM NAND Flash. 市场观察.

  2. 4 天前 · 3小时前分享. 近期,广东省统计局发布2024年一季度广东经济运行简况。 今年以来,全球贸易呈现回暖迹象,东南亚、拉美等新兴国家市场需求扩.... 集成电路 人工智能 通信芯片. IC设计. 约152亿元! EDA大厂出售SIG软件业务. 4小时前分享. 5月6日,EDA及半导体IP大厂新思科技(Synopsys)宣布已与Clearlake Capital和Francisco Partners领导的私募... 芯片设计 新思科技Synopsys EDA. IC设计. AI PC元年已到,苹果M4强大AI芯片问世. 4小时前分享. 当地时间5月7日,苹果推出最新一代自研电脑芯片M4,搭载于新款iPad Pro首发。 据称,M4拥有Apple有史以来最快的神经引擎...

  3. 全球五大存储原厂最新财报公布! 2024-04-30. 近期,存储五大厂三星、SK海力士、美光、铠侠、西部数据最新一季财报已纷纷披露,五大厂业绩均呈上行态势。 目前观察市况手.... 存储器 三星 存储芯片. 半导体大厂持续加码EUV光刻机. 2024-04-29. 目前,英特尔率先拿到了ASML High-NA EUV光刻机设备,并于近期宣布该台光刻机完成组装。 三星也不甘示弱,表示将与ASML.... 三星 半导体设备 EUV光刻机. 材料/设备. 智能手机市场回温明显. 2024-04-29. 近日,包括联发科、联咏、瑞昱、韦尔股份在内的多家IC设计厂商公布了最新业绩。 根据TrendForce集邦咨询表示,2023年第二季全.... 智能手机 芯片 IC设计. IC设计.

  4. 近日,浙江省集成电路基金正式落地绍兴。 据介绍,浙江省集成电路基金注册落地越城区,基金规模50亿元,引入社会资本出资.... 集成电路 IC制造 IC设计. 制造/封测. AI赛道,马力全开! 17小时前分享. 为加速占领风口,以谷歌、微软、苹果等为代表的各大科技厂商都积极下场竞赛。 其中,Meta、谷歌、英特尔、苹果推.... 微软 苹果公司 AI芯片. IC设计. 四家晶圆代工厂,Q1财报表现如何? 17小时前分享. 继台积电、三星、力积电之后,中芯国际、华虹半导体、格芯、联电几家晶圆代工厂于近期分别公布了其最新财报。 从整体收入来.... 中芯国际 华虹半导体 格芯. 制造/封测. 两个集成电路相关项目传新消息. 22小时前分享. 据无锡发布消息,5月7日,无锡市举行全市重大项目观摩。

  5. 存储芯片 美光科技 国产芯片. 一周热点. 全球再增2座芯片厂;半导体IPO最新动态;国产“芯”突破. 2024-04-22. 4月15日,美国政府宣布与韩国三星电子达成一项初步协议,依据《芯片法案》提供至多64亿美元的直接补贴。 基于此,三星将在得.... 三星 晶圆代工 科创板. 一周热点. 全球再添2nm晶圆厂、厂商IPO进展、SSD与HDD较量再次上演. 2024-04-15. 据TrendForce集邦咨询于403震后对DRAM产业影响的最新调查,各供货商所需检修及报废晶圆数量不一,且厂房设备本身抗震能... DRAM 台积电 半导体产业. 一周热点. 内闪存合约价预测;封测大厂将易主;回顾SEMICON 2024. 2024-04-01.

  6. 2024-04-29. 全球AI热潮正在上演,这一趋势拉动了半导体行业恢复速度,业界认为,行业正在解冻,春日即来.... AI芯片 人工智能 半导体产业. IC设计. 集成电路,扭亏为盈! 2024-04-28. 4月27日,国家统计局公布数据显示,2024年一季度(1—3月份),全国规模以上工业企业实现利润总额15055.3亿元,同比增长... 集成电路 IC芯片. IC设计. 重磅! 清华大学成立人工智能学院. 2024-04-28.

  7. 2020年8月10日 · COP (crystal originated particle)是存在于晶圆片的空洞,在经过氧化溶液SC1(NH4OH:H2O2:H2O=1:1:5)的处理后,可出现小的蚀刻坑洞。 而这种晶圆片在经由光线散射仪器所量测出来的微粒(particle),一般称之为LPD(light point defect)。 最早期,LPD一直被认为是晶圆片加工过程所引进的污染微粒,直到1990年才发现大部分的LPD是由长晶过程所产生的空洞,因此被称之为COP。 COP的大小一般在100到200nm之间。 利用AFM所观察到经过SC1处理后的攀生状COP: 俯视图. 3D视图. 另外,观察发现晶圆片重复在SC1溶液中清洗后,COP的大小与数目会显著的增加。

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