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2017年12月21日 · 電晶體採用全密閉結構，封裝在有三根引線的塑膠或金屬圓柱體內 (圖 2)。 圖 2：幾種常見的封裝類型及其尺寸比較。 電晶體的運作原理為何？ 我們將舉例說明 NPN 電晶體如何運作。要瞭解這類元件如何作為開關運作，方法很簡單：想像水流流過閥門控制的
電晶體的工作原理 電晶體由PN結組成，透過在基極流過電流，而在集極-射極間流過電流。 在這裡，以NPN電晶體為例來說明其工作原理。
關於與「 電晶體 」標題相近或相同的條目頁，請見「 電晶體 (遊戲) 」。. 幾個不同大小的電晶體，由上到下的包裝分別是TO-3、TO-126、TO-92、SOT-23. 電晶體 （英語： transistor ），早期 音譯 為 穿細絲體 ，是一種 類似 於 閥門 的 固態 半導體元件 ，可以用於 放大 ...
2021年8月27日 · 電晶體是一種半導體器件，用於傳導和絕緣電流和電壓，電晶體基本上充當開關和放大器，簡單來說，電晶體是一種微型元件，用於控制和調節電子信號的流動。 電晶體是當今大多數電子設備中的關鍵元件之一，電晶體於1947年由三位美國物理學家John Bardeen、Walter Brattain 和 William Shockley所開發，被認為是科學史上最重要的發明之一。 電晶體的零件. 典型的晶體管由三層半導體材料或更具體地說是由端子所組成，這些端子有助於連接到外部電路並承載電流，施加到電晶體任一對端子的電壓或電流控制通過另一對端子的電流，電晶體管有三個端子： 基極（Base）：用於啟用電晶體管. 集極（Collector）：電晶體的正極. 射極（Emitter）：電晶體的負極.
電晶體的工作原理. 下圖為 PNP 電晶體的共基極組態，共基極組態就是基極乃是集極偏壓電源與 射極偏壓電源的共同點。 當然，也有共集極組態和共射極組態。 PNP電晶體共基極的電流. 在上圖中，射極接面順向偏壓，而集極接面接逆向偏壓，如此射極接面的空 乏區變窄，集極接面的空乏區變寬。 此時，電洞從射極進入基極，循兩條路徑流 動，一部分流到基極接線端，由於基極雜質濃度低，所以電子數較少，流入基極 接線的電流（IB）就較小，約 5 ％或更少的電洞進入基極的電子中，此電流稱為 復合電流（recombination current）。 另一部分則通過基極進入集極，由於基極寬 度很薄，當電洞大量注入時，會擴散到集極接面空乏區處，被電場所吸引，流至 集極接腳，此部分約佔 95 ％的電洞流至集極。
MOSFET的特性. 電晶體是什麼？ MOSFET的特性. 關於MOSFET的寄生容量及溫度特性. 關於MOSFET的切換作用及溫度特性. 關於MOSFET的V GS (th) I D -V GS 特性與溫度特性. 關於MOSFET的寄生容量及溫度特性. MOSFET靜電容量之詳細. 功率MOSFET的結構包含圖1所示的寄生容量。 利用氧化層在MOSFET的G (閘極)端子和其他電極之間形成絕緣，讓在DS (汲極．源極)之間形成PN接合區，如此即形成類似二極體的結構。 C gs ,C gd 取決於氧化層的靜電容量，而C ds 的容量則依內部等效二極體的接合容量不同而異。 一般來說，MOSFET規格書中所刊載的容量包含表1所示的C iss /C oss /C rss 等3種。
電晶體的功能 外觀特徵 電晶體是什麼？ 數位電晶體的原理 MOSFET的特性 導通電阻 總閘極電荷（Qg） 安全使用挑選方法 元件溫度計算方式 負載開關 常見問題
因為電晶體的基極很薄且雜質的濃度很低,在 的偏壓下射極(P 半導體) 內的電洞大量進入基極(N 半導體),由於基極很薄,只有極少數的電洞與基極內之電子結合而成微小的 ,大部分進入基極的電洞因受到 的負極電場強度吸引,進入集極(P 半導體) 偏壓的負極電子結合而形成大量的 。 ( 圖2-a) E 與B 間加順向偏壓, = ( 圖2-b) C 與B 間加逆向偏壓,、 =0. ( 圖2-c) E-B 間加順向偏壓,B-C 間加逆向偏壓時 = +. 進入基極的電洞因受到. 的負極電場強度吸引,進入集極(P 半導體)與. 偏壓的負極電子結合而形成大量的 。
將電子與電洞的作用互換，則PNP型電晶体與NPN型電晶体的工作原理完全相同。 同時我們也 由此知道流入電晶体的電流等於流出電晶体的電流，即 電晶體的結構很像二極体，不過比二極体多出了一個 接合面。 如圖3-15(a)所示，將二層N型半導体，中間 夾以一層很薄的P型半導体，即成NPN型電晶體；或 將二層P型半導体，中間夾以一層很薄的N型半導体， 即成PNP型電晶體。 將電晶體的三層晶片都分別列出接線成為電極，中間 一片稱為基極(base,B)，另兩極分別稱為射極(emitter,E) 及集極(collector,C)。 射極能發射多數載体，基極可控制流向集極之多數載 体的數量。
2017年2月24日 · 2017-02-24 mengwen. 電晶體依所加偏壓不同，可分成三個工作區域。 1）飽和區（saturation region） 及 均為順偏。 當電晶體給足夠大的 時，已無法再增加 ，此時電晶體為飽和狀態，將此時的 記錄為 ， 為最大值。 集極C和射極E間的電阻 非常小， ，此時電晶體為飽和狀態（即，電晶體處在ON-通路的狀態。 2）主動區（active region） 電晶體被拿來作為放大器使用時，即在主動區工作。 當 順偏、 逆偏。 此時 ，電晶體工作於線性放大區， 控制 ，BJT電晶體當成訊號放大器使用。 3）截止區（cutoff region） 當 、 均為逆偏。 此時 ，所以 ，集極C和射極E間的電阻非常大， 。 此時電晶體為截止狀態（即，電晶體處在OFF-關閉的狀態。
