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電晶體共有三端點、兩接面,其中三端點分別為射極(emitter ,簡稱E) 、基極(base ,簡稱B) 與集極(collector ,簡稱C), 兩接面分別為基- 射極接面(B-E 接面) 和基- 集極接面(B-C 接面),所以電晶體又稱為三極體或雙接合面電晶體(bipolar junction transistor,簡稱 BJT)。. 因組合的半導體 ...
【電晶體】 NPN電晶體： 2N3904 、 C9013 、 ZTX451 、 2SC1815 、 2SC1384. PNP電晶體： 2N3906 、 C9012 、 ZTX551 、 2SA1015 、 2SA0684. 如何判定電晶體腳位. 找出數值最大的那個，對應的腳位即為正確的EBC腳位。 電晶體偏壓電路： （一）： （二）： 關於電晶體，一些補充資料： Transistors - Introduction, History, Types, Equations.
電晶體結構及符號 雙載子接面電晶體 (bipolar junction transistor ， BJT) 依結構區分，有 npn 型及 pnp 型兩種，其電晶體結構及符號如圖 (1) 所示。 BJT 可以視為兩個 pn 接面背對背連接在一起。
今日 半導體元件 的材料通常以 矽 為首選，但是也有些 半導體 公司發展出使用其他半導體材料的製程，當中最著名的例如 國際商業機器股份有限公司 使用矽與 鍺 的混合物所發展的矽鍺製程（SiGe process）。 而可惜的是很多擁有良好電性的半導體材料，如 砷化鎵 （GaAs），因為無法在表面長出品質夠好的氧化層，所以無法用來製造金氧半場效電晶體元件。 當一個夠大的電位差施於金氧半場效電晶體的閘極與源極之間時，電場會在氧化層下方的 半導體 表面形成感應電荷，而這時就會形成 反轉通道 （inversion channel）。 通道的極性與其汲極（drain）與源極相同，假設汲極和源極是n型，那麼通道也會是n型。
工作二：以三用電錶判斷電晶體之E、B、C 1. 練習以三用電錶判斷其E、B、C 腳。並將測試結果繪於紙上，可請 助教檢查測試結果是否正確。 2. 常見的電晶體，其外形及各腳間的關係圖如圖1 所示。當測試一只
運用及分類. 重要性. 和真空管的比較. 優點. 限制. 類型. 雙極性電晶體（BJT） 場效應電晶體（FET） 參見. 參考資料. 外部連結. 電晶體. 關於與「 電晶體 」標題相近或相同的條目頁，請見「 電晶體 (遊戲) 」。 幾個不同大小的電晶體，由上到下的包裝分別是TO-3、TO-126、TO-92、SOT-23. 電晶體 （英語： transistor ），早期 音譯 為 穿細絲體 ，是一種 類似 於 閥門 的 固態 半導體元件 ，可以用於 放大 、 開關 、穩壓、訊號調變和許多其他功能。 在1947年，由 約翰·巴丁 、 沃爾特·布拉頓 和 威廉·肖克利 所發明。
外觀特徵. 電晶體按結構、容許功率、集約程度和形狀的分類進行介紹。 例如，從工作結構來看，大致可以分為雙極型和FET兩種類型。 電晶體是什麼？ 介紹反向電流、容許損耗和增益頻寬等概念。 增益頻寬是指電晶體能夠工作的極限頻率。 數位電晶體的原理. 數位電晶體的GI和電晶體的hFE都表示射極接地直流電流放大係數。 數位電晶體是在普通電晶體上連接2個電阻的一種電晶體。 MOSFET的特性. 介紹寄生電容和溫度特性、開關及其溫度特性以及VGS (th)（閾值）相關的內容。 導通電阻. 使MOSFET工作時汲極和源極間的阻值稱為“導通電阻”。 導通電阻值越小，工作時的功率損耗越少。 總閘極電荷（Qg）是指為導通MOSFET而需要注入到閘極電極的電荷量。 該值越小，開關損耗越少，從而可以實現高速開關。
