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2017年12月21日 · 下表 1 與 2 顯示了一些常見的電晶體與關鍵規格，包含其電壓與電流限制。 NPN 與 PNP 型、有引線及表面黏著電晶體 零件編號
電晶體 規格書. 產品 (44,138) 規格書. 圖片. 最新產品. 電晶體的類型. 變更類別視圖. 清單圖片. Darlington 電晶體 (590) IGBT 電晶體 (1,688) IGBT 模組 (1,659) JFET (870) MOSFET (22,124) 射頻電晶體 (1,088) 數位電晶體 (3,401) 雙極結晶體管 - BJT (9,587) 顯示較少結果. 結果: 28,067. 已用篩選: 未選擇任何選項 變更篩選器. 製造商： Infineon資料表部件編號: 製造商： Toshiba資料表部件編號: 製造商： Infineon資料表部件編號:
規格書. 圖片. 最新產品. 電晶體的類型. 清單 圖片. Darlington 電晶體 (657) IGBT 電晶體 (1,747) IGBT 模組 (1,780) JFET (961) MOSFET (22,671) 射頻電晶體 (1,283) 數位電晶體 (3,408) 雙極結晶體管 - BJT (11,645) 結果: 44,152. 智能篩選. 已用篩選: 半導體 離散半導體 電晶體. 重置所有. 在結果中搜尋. 庫存量. 正常庫存. 有效. 新產品. 符合 RoHS. 1. 2. 3. 4. 5. » 電晶體 在Mouser Electronics有售。
電晶體在應用上有許多要注意的最大額定值，例如最大電壓、最大電流、最大功率。若在超額的狀態下使用，會破壞電晶體內部的結構。每種型號的電晶體還有像是直流放大率h FE、NF噪訊比等特性，可以藉由電晶體 規格表 （ 英語 ： Datasheet ） 得知。 重要性
電晶體. ( 一) 電晶體的結構與符號. 電晶體共有三端點、兩接面,其中三端點分別為射極(emitter ,簡稱E) 、基極(base ,簡稱B) 與集極(collector ,簡稱C), 兩接面分別為基- 射極接面(B-E 接面) 和基- 集極接面(B-C 接面),所以電晶體又稱為三極體或雙接合面電晶體(bipolar junction transistor,簡稱 BJT)。 因組合的半導體材料不同,共分 NPN 與PNP 兩大類,以NPN電晶體為例 : 在E、B、C三極中,射極負責發射電子,集極負責接收電子,至於基極則是控制電流大小的端子,其主要結構與符號如( 圖1a) 和 ( 圖1b)所示,圖中有箭頭的接腳為射極,在以箭頭方向表示電晶體的類型,箭頭朝外為NPN ,箭頭朝內為PNP。
電晶體 (BJT) 主表. 本公司的雙極接面電晶體 (BJT) 產品組合涵蓋絕大多數電晶體需求，電壓範圍從低於 30V 到超過 100V，同時還提供高效率飽和電壓效能、快速切換速度及小尺寸。 Find Parts. Export All Parts | Download Spice Models. 本公司的雙極接面電晶體 (BJT) 產品組合涵蓋絕大多數電晶體需求，電壓範圍從低於 30V 到超過 100V，同時還提供高效率飽和電壓效能、快速切換速度及小尺寸。
2017年6月22日 · 所謂電晶體－分類與特徵. 2017.06.22. 重點. ・本章選擇了雙極性、MOSFET、IGBT作為功率電晶體。 ・確認雙極性電晶體、MOSFET、IGBT的基礎特徴。 接下來要說明「Si電晶體」。 Si電晶體，總而言之，與雙極性﹙bipolar﹚或MOSFET同樣依製造過程或構造來分類。 此外，亦可依操作的電流或電壓、應用程式來分類。 在這裡，由於主題為功率元件，因此從數量眾多的電晶體中列舉功率系。 其中，也預定以近年許多大電力控制應用程式常用的MOSFET為主進入話題。 首先是基礎内容，不過我想事先確認電晶體的分類和特徴。 Si電晶體的分類. 雖然是Si電晶體的分類，不過依分類的觀點我認為有幾種分類的方法。 在這裡試著從構造和製程面大致分類如下。
表1所示為規格書中電氣特性欄之範例。 假設所施加的電壓為V DS =10V，那麼要讓I D (汲極電流)達到1mA所需的閥值電壓V GS(th) 即為 1.0V to 2.5V。 表1: 規格書的電氣特性欄
判斷前：選擇電晶體～到打件前的流程 1. 選擇電晶體 從Web、簡易樣式型錄中選擇符合規格的電晶體。 前往電晶體產品介紹頁 2. 取得規格、樣品 部份樣品可從Web得到。 3. 在實際電路(評估電路)中安裝電晶體
電子小百科. 電晶體是什麼？ 電晶體的功能. 電晶體具有放大和開關電氣訊號的功能。 外觀特徵. 電晶體按結構、容許功率、集約程度和形狀的分類進行介紹。 例如，從工作結構來看，大致可以分為雙極型和FET兩種類型。 電晶體是什麼？ 介紹反向電流、容許損耗和增益頻寬等概念。 增益頻寬是指電晶體能夠工作的極限頻率。 數位電晶體的原理. 數位電晶體的GI和電晶體的hFE都表示射極接地直流電流放大係數。 數位電晶體是在普通電晶體上連接2個電阻的一種電晶體。 MOSFET的特性. 介紹寄生電容和溫度特性、開關及其溫度特性以及VGS (th)（閾值）相關的內容。 導通電阻. 使MOSFET工作時汲極和源極間的阻值稱為“導通電阻”。 導通電阻值越小，工作時的功率損耗越少。
