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  1. 晶體內部原子排列的具體形式一般稱為晶,不同的晶體內部原子排列稱為具有不同的晶結構。 各種晶結構又可以歸納為七大 晶系 ,各種晶系分別與十四種空間(稱作 布拉菲晶 )相對應,在宏觀上又可以歸結為三十二種 空間點群 ,在微觀上可進一步細分為230個 空間群 。

  2. 維基百科,自由的百科全書. 澳洲精密光學中心 的一名光學儀器專家手持著國際阿伏伽德羅協作組織的一千克單晶體製球體. ㄒㄧˋ (英語: Silicon ,中國大陸譯 硅 ㄍㄨㄟ ),是一種 化學元素 , 化學符號 為 Si , 原子序數 為14。 是外觀帶著灰藍色金屬光澤且堅硬易碎的晶體,亦是一種四價的 類金屬半導體 。 為 週期表 第十四族元素之一 [8] : 碳 在其排序之上,其下依序為 鍺 、 錫 、 鉛 和 鈇 [註 1] 。 由於它對於 氧 的高親和力,直至在西元1823年才第一次被 永斯·貝采利烏斯 成功純化 [9] 。 它的 熔點 和 沸點 分別為 攝氏 1414度及3265度,且分別在 金屬 和 非金屬 中排名第二,僅次於 硼 。

  3. 為了滿足量產上的需求,半導體的電性必須是可預測並且穩定的,因此包括摻雜物的純度以及半導體晶結構的品質都必須嚴格要求。常見的品質問題包括晶的位錯(dislocation)、孿晶面(twins)或是 堆垛層錯 ( 英語 : Stacking-fault energy ) (stacking fault) [8] 都會影響半導體材料的特性。

  4. 晶體的性質和原子在晶 中的排列的對稱性有關,按幾何學意義,一個圖形在運動中看上去像不動似的,這個圖形就是對稱的。不同類別的對稱是由物體可能在運動中保持形狀不變的途徑來定義的。反射對稱或雙向對稱可能是最熟悉的一種對稱。一個 ...

  5. 矽格英文Sigurd),是美國 猶他州 塞維爾縣下屬的一座城市。 建市於 1874年,面積大約為0.98平方英里(2.5平方公里), 海拔 約為5,226英尺(1,593米)。

  6. 臺灣正體. 閱讀. 立方晶體中不同晶面的密勒指數. 方向的例子. 立方晶體中不同晶面的密勒指數. 密勒指數 (英語: Miller index )是一種用來確定 晶體 方向的指數,又稱晶面指數。 要想計算出一個晶面的密勒指數( hkl )需要: 確定該晶面在 晶胞 坐標軸上的截距 (依序為 x, y, z 軸,通常為長、寬、高) 取這些值的 倒數 (默認∞的倒數為0) 將這些倒數化作最簡整數比. 用括號將它們括起. 以一個正方體的頂面為例,它在坐標軸上的截距為「+∞ ( h ),+∞ ( k ),1 ( l )」,這樣它們的倒數之比就為0:0:1,換句話說,用密勒指數表示就是 (001)。 密勒指數之所以使用倒數之比就是為了防止正無窮的出現。

  7. 晶圓切割 ,是 半導體器件製造 過程中,將 裸晶 從 半導體 成品 晶圓 上分離出來的過程。 [1] 晶圓切割進行於 光刻 工藝之後的,涉及劃線、斷裂、機械 鋸切 [2] 或 雷射切割 等等,切割方法通常都自動化以確保精度和準確性。 [3] 切割後單個 矽 晶片 可以被封裝到 晶片載體 中,用於構建 電子 設備,例如 計算機 等。 切割過程中,晶圓通常安裝在 切割膠帶 上,切割膠帶具有黏性背襯,可將晶圓固定在薄金框架上。 根據切割應用的不同,切割膠帶具有不同的特性。 UV固化膠帶用於較小尺寸,非UV切割膠帶用於較大晶片尺寸。 劃片鋸可以使用帶有鑽石顆粒的劃片刀片,以30,000 rpm的速度旋轉並用去離子水冷卻。 一旦晶圓被切割,留在切割帶上的片就被稱為 裸晶 。

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