K Type 相關
廣告20年專業生產經驗，提供EMI、RFI防護零件，滿足客戶品質要求。 提供優良電磁波雜訊對策產品，專利認證，品質保證值得信賴。
搜尋結果
2017年10月18日 · 本文论述了n型单晶硅及电池组件的优势，并介绍了各种N型单晶高效电池结构和特点，相关技术发展现状及产业化前景。 2.N型单晶硅材料及电池组件的优势. 与P型单晶硅相比，n单晶硅的生产制备没有本质的区别，是非常成熟的工艺技术，随着N型单晶硅生产规模的扩大和技术的进步，两者之间的生产成本将会越来越接近。 磷掺杂的N型单晶硅及电池组件较硼掺杂的P型单晶硅及电池组件有许多明显的优势。 首先，N型材料中的杂质对少子空穴的捕获能力低于P型材料中的杂质对少子电子的捕获能力，相同电阻率的N型CZ硅片的少子寿命比P型硅片的高出1~2个数量级，达到毫秒级。 且N型材料的少子空穴的表面复合速率低于P型材料中电子的表面复合速率，因此采用N型晶硅材料的少子空穴的复合将远低于P型的少子电子的复合 [9]。
2017年10月23日 · 双面太阳电池是指硅片的正面和反面都可以接受光照并能产生光生电压和电流的太阳电池，这种电池可以用P型硅片制造，也可以用N型硅片制造。 nPERT双面电池基本工艺流程为：（1）双面制绒（2）上表面扩散硼制成P+N结（3）背面扩散磷制成N+N结（4）双面钝化薄膜（5）双面金属化，结构示意图如图1所示。 图1 nPERT电池结构示意图. 2、nPERT双面电池技术特点. nPERT双面电池采用N型硅作衬底，具有少子寿命高、无光致衰减等优点。 常规P型电池由于使用硼掺杂的硅衬底，长时间光照后易形成硼氧键，在基体中捕获电子形成复合中心，导致3~4%的功率衰减；而nPERT电池使用N型硅衬底，磷掺杂的基体使得电池几乎无光致衰减。
2024年3月5日 · 以今年一季度为例，新产能增幅合计约每年9.8万吨，其中头部企业能满足N型拉晶需求的产能占比仅20%，意味着高质量硅料的供应在短时间内仍难以快速提升；此外，二线和新入企业均有新产能陆续投放，但多数企业的产量爬坡较为缓慢，加上面临产出 ...
2019年5月13日 · 针对如何降低光学损失和电学损失的问题，人们提出了多种结构的单晶硅太阳电池，目前转换效率超过25%的单晶硅太阳电池主要包括以下六种。 2.1钝化发射极背场点接触 (PERC)电池家族. 新南威尔士大学 (UNSW)MartinGreen领导的小组提出PERC结构的单晶硅太阳电池，在P型FZ硅片上实现了22.8%的高转换效率 [23]，其基本结构如图2a所示。 1999年，UNSW的该团队再次宣布其PERL太阳电池 (如图2b所示)转化效率达到24.7% [4-5]。
2020年7月15日 · 光伏组件的电位退化 (PID)是其中最严重的一类系统级的功率损耗甚至可能超过30%。. PID过程取决于电场强度、温度、相对湿度、导电污垢、时间和PV模块的材料。. 对于p型电池，已经证实分流电阻的降低是由于钠离子在n/p结上的迁移是钠离子降解的根本 ...
2018年12月25日 · 答案是，LeTID（高温LID）和LID是不同测试温度下所体现出来的不同衰减行为，参与高温LID衰减的影响因素更多，影响程度也更大。 因为历史原因，目前行业普遍采用的LID测试温度是比较低的 (低于50℃)，因此并不能充分暴露PERC电池和组件产品的高温衰减风险。 这也是很多厂家宣称LID衰减控制良好，但高温LID衰减却很大的原因。
2019年7月18日 · PERC (PassivatedEmitterandRearCell)电池，全称为“发射极和背面钝化电池”，是从常规铝背场电池 (BSF)结构自然衍生而来。. 常规BSF电池由于背表面的金属铝膜层中的复合速度无法降至200cm/s以下，致使到达铝背层的红外辐射光只有60-70%能被反射，产生较多光电 ...
