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極紫外光微影 （英語：extreme ultraviolet lithography，中國大陸稱為 極紫外光刻 ，簡稱「EUV」或「EUVL」）又稱作 超紫外線平版印刷術, 是一種使用 極紫外光 波長的 微影 技術，目前用於7 奈米 以下的先進製程，於2020年得到廣泛應用 [1] [2] [3] [4] 。 DUV微影製程 [ 編輯] 晶圓製造過程裡有一道程序是將設計好的電路圖案 (Pattern)縮小轉印到晶圓上，此道製程便稱之為 微影, 7奈米以前的製程使用248或193奈米波長的光做為光源來進行微影。
2020年4月22日 · 台積電連續10年營收創高，率先全球採用極紫外光（EUV）微影技術推動7奈米技術前進是關鍵因素之一，而事實上，獨家EUV設備供應商ASML（艾司摩爾科技）客戶包括眾多半導體巨頭，包括三星、英特爾、中國半導體業者等。 在台積電法說會上，EUV是近年不斷提到的微影製程名稱，也是現今能在晶片上畫出最精密線路的光罩技術，究竟微影技術是什麼？ 在神秘的半導體無塵室如何進行？ 這家全球最大微影設備供應商ASML用影像視覺揭露微影技術的真實樣貌。 ASML的EUV設備內部運作. ASML是荷蘭半導體微影設備供應巨頭，台積電也是客戶之一。 圖／ ASML. ASML指出，在半導體製程中微影（Lithography）是驅使晶片效能更高、成本更低的關鍵技術。
2020年12月4日 · EUV，全名為Extreme Ultraviolet，中文叫做「極紫外光」，是一種波長極短的紫外光，一般生活中要塗乳液防曬的紫外線波長約在100~400奈米，而極紫外光才13.5 奈米而已，可說是頻率更高、能量更強的光，不過因為這個波段的光很容易被空氣等介質吸收，反而不如紫外光對人體有那麼多影響哦！ 在上一篇 《打造IC裡的樂高世界 —...
2021年2月15日 · EUV 微影技術採用錫的電漿來產生波長為 13.5 奈米的光源，以及用鉬矽多層反射薄膜來把光傳遞到晶片上。 不同於一般的紫外光微影技術，EUV 微影技術得在低真空中運作，技術難度更高。 EUV 微影技術以實驗室形式的研發（日本，美國，歐洲，包括 ASML 和 Cymer）已經走過了二十多年卻仍達不到量產的技術要求，但也沒有被放棄。 理由只有一個：因為沒有 showstopper（明顯的重大問題）。 當時業界普遍認為如果 EUV 能用於量產就可以讓摩爾定律延續生命。 這是個巨大的誘惑。 台積電是全球最大的半導體代工廠，在先進製程獨占鰲頭，其開發所有新技術的目的只有一個：最終用於量產。 而開發用於量產的 EUV 微影技術就落到了我的肩上。
极紫外光刻 （英语：extreme ultraviolet lithography，台湾称为 极紫外光微影 ，简称“EUV”或“EUVL”）又稱作 超紫外線平版印刷術, 是一种使用 極紫外光 波長的 光刻 技術，目前用于7 納米 以下的先進製程，于2020年得到廣泛應用 [1] [2] [3] [4] 。 DUV微影製程. 晶圓製造過程裡有一道程序是將設計好的電路圖案 (Pattern)縮小轉印到晶圓上，此道製程便稱之為 光刻, 7奈米以前的製程使用248或193奈米波長的光做為光源來進行微影。 早期市面上DUV微影製程機台的供應商以 Canon 以及 Nikon 為主, 浸润式光刻 （英语：Immersion lithography） 出現後DUV微影製程機台改由 艾司摩爾 所獨霸。
EUV光有兩種常見的產生方式：同步輻射和高能電漿。 前者的設備體積太大且太昂貴，所以後者被採用。 高強度的雷射 (通常是CO 2 雷射)打在材料上的瞬間，材料被蒸發並產生高能電漿，同時放出頻段在X光和EUV之間的光波。 起初，氙是電漿材料的最佳選擇。 將氙氣冷卻液化，透過噴流或液滴的型態注射到高強度雷射之中，產生氙電漿。 氙電漿會釋放11奈米的EUV，是半導體製程的理想選擇。 然而，在實際製程中氙電漿產生的EUV強度不夠。 光源強度越高代表製造速度越快，每小時若要製造超過100片晶圓，光強度必須要超過200W。 氙很難達到這個標準，半導體界因而轉向第二個選擇：錫金屬。 錫金屬受雷射照射產生的電漿會放出13.5奈米的EUV，也算是半導體製程的理想選擇。
臺灣正體. 工具. 維基百科，自由的百科全書. 極紫外輻射 （英語： Extreme ultraviolet radiation ）又稱 極紫外光 或 高能紫外線輻射 ，簡稱 EUV 、 XUV ，是 波長 在124 nm 到10nm之間的 電磁輻射 ，對應 光子 能量為10 eV 到124eV。. 自然界中， 日冕 會產生EUV。. 人工EUV可由 ...
