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2024年5月14日 · 10:01. MoneyDJ理財網. 三星. HBM. SK海力士. 量產. 研發. SK海力士 (SK hynix)最新一代記憶體產品HBM4E醞釀中，2026年有望量產，比原先預估的時程提早約一年。 韓媒《The Elec》報導，在生成式AI商機推動下，AI伺服器需求爆發，HBM成為搶手貨。 率先量產HBM3E (第五代HBM)的SK海力士穩坐「HBM一哥」，目前正加速研發HBM4E腳步，試圖甩開三星... 詳全文 （本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載） 相關新聞. 留言討論. SK海力士 (SK hynix)最新一代記憶體產品HBM4E醞釀中，2026年有望量產，比原先預估的時程提早約一年。 韓媒《The Elec》報導，在生成式AI商機推動下，AI伺服器需求爆發，HBM成為搶手貨。
2024年4月26日 · 工商時報 蕭麗君. 圖／美聯社. 美國政府正式宣布，將提供美光61億美元的補助與75億美元貸款，用於資助該業者未來20年在紐約州與愛達荷州興建三座先進記憶體晶片工廠。 美國總統拜登是在25日前往紐約州雪城宣布這項最新晶片補助案。 據美國官員指出，該撥款主要用於美光在紐約州兩座工廠與愛達荷州一座工廠的興建。 根據協議，美光計畫未來20年在上述兩州投資1,250億美元。 美光打造的三座新廠都將製造最先進的記憶體晶片。 該晶片已成為企業尋求利用AI強化能力的關鍵元件。 美光在2月曾開始量產最新高頻寬記憶體HBM3E，並在最近順利搶下輝達H200AI GPU訂單。 它還是蘋果手機記憶體晶片的供應商之一。
2024年5月3日 · 韓國半導體巨頭SK海力士（SK Hynix）表示，高階記憶體晶片2024全年產能已預訂一空，明年多數產能也已被訂走，反映市場對這種先進人工智慧（AI）硬體需求強勁。 法新社報導，身為全球第二大記憶體晶片製造商的SK海力士，正主宰高頻寬記憶體（HBM）晶片市場，同時也是AI晶片龍頭輝達（NVIDIA）的主要供應商。 輝達掌握全球約80%的AI晶片市場。 SK海力士今天告訴法新社，2024年內生產的HBM晶片已完售。 SK海力士執行長郭魯正（Kwak Noh-jung）昨天在記者會中表示，AI設備使用增加「將使專用於AI的具有高速、高容量及低功耗記憶體晶片需求，迎來爆炸性增長」。
2024年5月14日 · MoneyDJ理財網. 三星. SK海力士. HBM. DRAM. 都賣. 受到AI需求熱潮，三星電子 (Samsung Electronics Co.)透露，手上的高頻寬記憶體 (HBM)也全部賣光。 三星、SK海力士 (SK Hynix Inc.)並異口同聲預測，今 (2024)年DRAM及HBM報價都可望走堅。 《韓國經濟日報》13日報導，為了滿足需求，三星、SK海力士都已將超過20%的D... 詳全文 （本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載） 相關新聞. 留言討論. 受到AI需求熱潮，三星電子 (Samsung Electronics Co.)透露，手上的高頻寬記憶體 (HBM)也全部賣光。
2024年4月25日 · 日報. 工商時報. SK海力士砸巨資 衝刺HBM晶片. 瞄準AI大商機，決注資在韓興建DRAM廠. 2024.04.25. 03:00. 陳穎芃. SK海力士搶攻AI商機，將投入巨資設廠，衝高HBM晶片產能。 圖／美聯社. 切換文字大小. 複製文章連結. 分享至臉書. 以Line分享. 參與討論. 友善列印. 已將目前網頁的網址複製到您的剪貼簿！ SK海力士為了衝高HBM（高頻寬記憶體）晶片產能搶攻AI商機，宣布投資20兆韓元（約145億美元）在韓國清州市興建一座DRAM廠，扭轉原定興建NAND Flash晶片廠的計畫。 SK海力士董事會在24日通過投資計畫，將毗鄰清州市園區M15廠蓋M15X廠，專門生產HBM晶片。 M15X廠預計4月底動工，明年11月前完工進入初步量產階段。
2024年5月14日 · 國際產業. 今年AI記憶體晶片供應吃緊 分析師曝「這時」前都會短缺. 2024.05.14. 13:44. 工商時報 陳怡均. HBM. 記憶體晶片. SK海力士. AI. 晶片. 分析師表示，受到人工智慧（AI）爆炸性需求挹注，帶動高效能記憶體晶片供不應求，預料今年此類晶片供應可能仍然吃緊。 圖／Unsplash. 美國財經媒體CNBC報導，分析師表示，受到人工智慧（AI）爆炸性需求挹注，帶動高效能記憶體晶片供不應求，預料今年此類晶片供應可能仍然吃緊。 全球大型記憶體晶片供應商SK海力士（SK Hynix）與美光（Micron）在2024年推出高頻寬記憶體（HBM），根據業者說法，就連2025年的HBM產量幾乎已被預訂一空。
2024年5月15日 · 工商時報 陳怡均. 韓媒《The Elec》引述SK海力士（SK Hynix）高層說法指出，該公司打算在2026年開始量產HBM4E，比原先規劃還提前一年達陣。 分析師表示，受到人工智慧（AI）爆炸性需求挹注，帶動高效能記憶體晶片供不應求，預料今年此類晶片供應吃緊情況將延續至明年。 SK海力士HBM技術團隊負責人與研究員Kwi Wook Kim於13日在首爾舉行的研討會表示，隨著技術不斷進展，新一代高頻寬記憶體（HBM）的更新週期由2年縮短到1年，第七代HBM投入量產時間由2027年提前到2026年。 HBM4E將是SK海力士以10奈米級第六代（1c）DRAM打造的首款晶片。
