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過去五年內，NAND 快閃記憶體的銷售量在全球各地激增，而新產品 (如 SSD 固態硬碟) 正大舉進軍企業運算裝置，從筆記型電腦、桌上型電腦、工作站到伺服器，無一不包。 以下是您需要瞭解關於 NAND 快閃記憶體的快速分析。 非揮發性 NAND 快閃記憶體. NAND 快閃記憶體的優點之一，就是其非揮發性資料儲存方法 . 與 DRAM 記憶體不同，DRAM 記憶體必須持續通電才能保留資料，NAND 記憶體即使在電源關閉的情況下仍可以保留資料，使其成為理想的可攜式裝置。 NAND 快閃記憶體的類型. 目前有五種 NAND 快閃記憶體儲存裝置，每種類型的之間差異在於每個儲存格可以儲存的位元數量。
2024年2月13日 · NAND flash 應用. 基本上只要是需要存儲的現代電子產品，包含日常我們常使用的USB或SD card、電腦或伺服器領域所使用的SSD，以及在手機、平板、車用領域都被廣泛使用的eMMC or UFS 產品，都有NAND flash或其延伸產品的出現，可以說應用層面非常廣泛。 快閃記憶體比較：NAND flash VS NOR flash....
- 為什麼現在選擇flash種類在個別應用上是更加重要
- Nor 製程微縮技術的瓶頸
- 一般nand Flash常見的故障模式
- 更適用於車用電子
- 高成本效益並且無性能損失
- Appendix: Image References
對於許多嵌入式應用 (embedded applications)來說, 使用串列式傳輸介面(SPI interface) 的NAND 來取代 NOR, 並不會有太多問題。但是在容量在256Mb以下, 幾乎很少發生, 因為在低容量的Flash, 周邊電路所佔在元件的面積比例較大, NAND不會在成本上有多大優勢。但在512Mb 和以上的容量, array面積佔用了元件的主要部份, 成本優勢就非常顯著。 然而, 對於現在越來越多的嵌入式應用, 256Mb 記憶體已經不敷使用, 尤其在汽車系統中最為明顯。從先進駕駛輔助系統 (ADAS) 到完全自動駕駛, 複雜的汽車應用將更需要高容量的記憶體(有些應用容量需求高達 2Gb (或 256MB)), 這對設計者而言, 成本的考量變得相對重要許多 。
製程微縮是半導體降低成本的不二法門, 對NOR FALSH而言, 在 1986年, 最領先的製程是1.5µm。經過二十多年後, 製程進步到65nm。然而NAND FLASH 進展更快, 如今最先進的 3D NAND 已經可以用 1x nm製造。 然而, NOR FLASH 製程微縮卻比NAND都要困難得多。英特爾在 2008年發佈的一篇論文, 已經介紹了45nm 製程。可是截至 2018年, 大約十年後的今天, 還是只有一兩個製造商可以提供45nm NOR FLASH產品。其他供應商的4x nm技術仍在開發中。這對車用電子系統製造商來說, 是一天大的壞消息, 由於安全裝備跟自動駕駛的發展, 需要容量越來越大的NOR Flash來做程式碼的儲存(code storage), 但是成本卻越來越高...
在正常使用Flash IC過程中, 會有兩種主要狀況容易發生壞點 (bit error): 1. 寫入 (program) 記憶體時產生bit error. 2. 快閃資料保持一段時間後, 由於漏電 (electron leakage), 造成資料移失而產生讀取錯誤。尤其在極端高溫下的操作, 更易於發生此種electron leakage, 進而縮短快閃記憶體的資料保持時間。 資料移失而產生讀取錯誤的風險, 可以藉由通過ECC(Error Correcting Code )校正來消除。 華邦電子46nm 的NAND Flash 僅需要1 bit ECC. 電子洩漏(electron leakage),是無法避免的。它的風險可以用可計算的機率來表示, 每個位元(cell)在寫入後, 裡面的電子...
華邦高品質serial NAND 的另一項保證是在100次寫入/擦除 (Program/Erase) 內不會有壞塊 (bad blocks) 產生, 這意味著無需在 SoC 或微控制器中使用壞塊管理 BBM (bad block management)機制。BBM 通常需要使用於傳統的serial NAND。另外, 華邦高品質serial NAND 還支援快速讀取(page0 is ready at power-up), 並且跟NOR Flash使用的讀取指令(command)相同, 更易於搭配在已經量產的SoC或應用處理器使用。 對於車用電子系統設計者而言, 256Mb 以下使用NOR Flash, 512Mb(含)以上使用相同腳位(pin out)的華邦高品質serial NAND, 可...
NOR Flash 在45nm製程以下微縮遇到瓶頸, 但是日新月異的車用市場又需要更高容量的儲存記憶體(code storage)來應付愈趨複雜的安全及自動駕駛要求, 華邦高品質低成本的serial NAND 能夠在 512Mb, 1Gb 和2Gb 的容量, 為汽車製造商提供了一個新的解決方案, 同時又能滿足嚴苛的車用電子規範。
Cell area graph: NOR Flash cell sizes drawn from ‘A 45nm NOR Flash Technology with Self-Aligned Contacts and 0.024µm2Cell Size for Multi-Level Applications’, Fastow et al., Intel Corporation, IEEE...Electron count graph: NOR Flash electron counts drawn from ‘Future Directions and Challenges for EToxFlash Memory Scaling’, Greg Atwood, Intel Corporation, IEEE Transactions On Device and Materials...2022年8月19日 · NAND Flash具有寫入、擦除速度快、儲存密度高、容量大的特點，也因此迅速成為了Flash主流技術。 NAND Flash技術自問世以來，已經積累了近40年的發展底蘊，並已成為儲存器第二大細分市場。 按儲存單元密度來分，NAND Flash可分為SLC、MLC、TLC、QLC等，對應1個儲存單元分別可存放1、2、3、4bit的資料。 目前NAND Flash主要以TLC為主，不過QLC比重正在逐步提高。 值得一提的是，被提出很多年但一直沒有商用落地的PLC終於露出水面。 今年8月初，SK海力士旗下NAND快閃記憶體解決方案提供商Solidigm在快閃記憶體峰會上展示了全球首款正在研發的PLC（五層單元）SSD。
2024年2月1日 · NAND Flash記憶體是一種非揮發性存儲技術，廣泛應用於固態硬盤（SSD）、USB閃存驅動器和記憶卡中。 相比傳統存儲解決方案，它提供更快的讀寫速度、更高的儲存容量和更好的能源效率。 NAND Flash單元將數據存儲在一個記憶單元中，每個單元能夠存儲多個的信息。 不同類型的NAND Flash，如SLC、MLC、TLC和QLC，根據其數據密度、耐久性和成本效益的不同而有所不同。 現在我們來深入瞭解每種類型的獨特特性和應用。 SLC NAND Flash. 是成本最高但也是最耐用的NAND Flash記憶體類型。 SLC NAND中的每個記憶單元僅存儲一個位元的信息，從而實現更快的P/E Cycle (Program Erase Cycle) 和出色的數據保持能力。
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工具. 新帝 Cruzer Titanium隨身碟的 印刷電路板 上的 Samsung 快閃記憶體（左） 慧榮科技 （Silicon Motion）主控晶片（右） 快閃記憶體 （英語： Flash memory ），是一種像 唯讀記憶體 一樣的記憶體，允許對資料進行多次的刪除、加入或覆寫。 這種記憶體廣泛用於 記憶卡 、 隨身碟 之中，因其可迅速改寫的特性非常適合 手機 、 筆記型電腦 、 遊戲主機 、 掌機 之間的檔案轉移，也曾經是 數位相機 、 數位隨身聽 和 PDA 的主要資料轉移方式。 早期的快閃記憶體只要進行一次刪除就會連帶清除掉所有的資料，但目前已可以精確到對指定的資料進行單個刪除。
2021年2月26日 · NAND Flash 未來產業趨勢： 1. 未來在機器學習、影音串流、遊戲、資料中心、車用等領域對記憶體容量及效能需求增加帶動下，SSD 的容量、讀取和處理速度的 升級步調將越來越快。 目前預計在 2021Q4 就會完成 PCIe Gen6 SSD 的標準制定。 2. 2021 年智慧型手機、PC/NB 仍是帶動 Flash 成長的主要動能。 而車用領域雖規模仍小，但未來在 車聯網、車內資訊娛樂系統及自駕車 三大應用的驅動下，預計 2025 年每台車會需要 2TB 以上的儲存空間，整體車用儲存市場則可達 18.6 億美元， 5 年 CAGR 達 15.6%，成長潛力極大。 3.
