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非易失闪存技术
- NOR Flash是一种非易失闪存技术，是Intel在1988年创建。 是市场上两种主要的非易失闪存技术之一。
baike.baidu.com/item/NOR Flash/9610200
闪存与场效应管一样是一种电压控制型器件。 Flash闪存的擦和写均是基于隧道效应，电流穿过浮置栅极与硅基层之间的绝缘层，对浮置栅极进行充电（写数据）或放电（擦除数据）。 NOR Flash型闪存擦除数据仍是基于隧道效应（电流从浮置栅极到硅基层），但在写入数据时则是采用热电子注入方式（电流从浮置栅极到源极）。 NAND Flash闪存与NOR Flash闪存的区别在于 ：在NOR Flas闪存中，每个存储器单元的一端连接到源极线，另一端直接连接到类似于NOR Flash门的位线；而在NAND Flash闪存中，几个存储器单元（通常是8个单元）串联连接，类似于NAND Flash门。 二、下游市场需求.
快閃記憶體 （英語： Flash memory ），是一種像 唯讀記憶體 一樣的記憶體，允許對資料進行多次的刪除、加入或覆寫。 這種記憶體廣泛用於 記憶卡 、 隨身碟 之中，因其可迅速改寫的特性非常適合 手機 、 筆記型電腦 、 遊戲主機 、 掌機 之間的檔案轉移，也曾經是 數位相機 、 數位隨身聽 和 PDA 的主要資料轉移方式。 早期的快閃記憶體只要進行一次刪除就會連帶清除掉所有的資料，但目前已可以精確到對指定的資料進行單個刪除。 與傳統的 硬碟 相比，快閃記憶體有更佳的動態抗震性，不會因為劇烈晃動而造成資料丟失；快閃記憶體在被做成記憶卡時非常堅固牢靠，可以浸在水中，也可抵抗高壓力和極端溫度；並且快閃記憶體屬於「非揮發性固態儲存」，非揮發性指的是在儲存檔案時不需要消耗電力。
基本介紹. 中文名 ：NOR Flash. 屬性 ：非易失快閃記憶體技術. 時間 ：1988年. 所屬 ：Intel. 快閃記憶體技術. 是現在市場上兩種主要的非易失快閃記憶體技術之一。 Intel於1988年首先開發出NOR Flash 技術，徹底改變了原先由EPROM (Erasable Programmable Read-Only-Memory電可程式序 唯讀存儲器 )和EEPROM (電可擦唯讀存儲器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory)一統天下的局面。 緊接著，1989年， 東芝公司 發表了NAND Flash 結構，強調降低每比特的成本，有更高的性能，並且像磁碟一樣可以通過接口輕鬆升級。
1.3 NOR/NAND Flash介紹 NOR Flash Intel於1988年發表 支援隨機存取，讀資料的方式跟RAM接近，給address，data就能讀出 NOR的特點是原地執行(XIP, eXecute In Place)，這樣應用程序可以直接在flash memory內運行，不必再把資料讀到系統RAM中
2023年12月25日 · 00:00. 2023/12/25 03:26:05. 經濟日報 記者蘇嘉維／台北報導. 儲存型快閃記憶體（NAND Flash）、DRAM報價陸續止跌回升之後，編碼型快閃記憶體（NOR Flash）受惠於庫存回補，尤其每台AI終端裝置搭載的NOR Flash容量以數倍爆發性增長，引領NOR Flash接棒啟動新一波記憶體漲價潮，預計下月起先漲5%，明年第2季再漲10%，華邦...
快閃記憶體 （英語： Flash memory ），是一种像 电可擦写只读存储器 一样的存储器，允许對資料進行多次的刪除、加入或改写。 這種記憶體廣泛用於 記憶卡 、 隨身碟 之中，因其可迅速改寫的特性非常適合 手機 、 筆記本電腦 、 遊戲主機 、 掌機 之間的檔案轉移，也曾經是 數位相機 、 數位隨身聽 和 PDA 的主要資料轉移方式。 早期的快閃記憶體只要進行一次刪除就會連帶清除掉所有的資料，但目前已可以精確到對指定的資料進行單個刪除。 與傳統的 硬碟 相比，快閃記憶體有更佳的動態抗震性，不會因為劇烈晃動而造成資料丟失；快閃記憶體在被做成記憶卡時非常堅固牢靠，可以浸在水中，也可抵抗高壓力和極端溫度；並且快閃記憶體屬於“非揮發性固態儲存”，非揮發性指的是在保存檔案時不需要消耗電力。
中文名. NOR Flash. 属 性. 非易失闪存技术. 所属企业. Intel. 创建时间. 1988年. 目录. 1 闪存技术. 2 性能比较. 3 详解. 4 接口差别. 5 容量成本. 6 可靠耐用. 7 位交换. 8 坏块处理. 9 易于使用. 10 软件支持. 闪存技术. 播报. 编辑. 是市场上两种主要的非易失闪存技术之一。 Intel于1988年首先开发出NOR Flash 技术，彻底改变了原先由EPROM (Erasable Programmable Read-Only-Memory电可 编程序 只读存储器 )和EEPROM (电可擦只读存储器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory)一统天下的局面。
