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電晶體由PN結組成，透過在基極流過電流，而在集極-射極間流過電流。 在這裡，以NPN電晶體為例來說明其工作原理。 當在基極和射極之間施加正向電壓（V BE ）時，射極的電子（負電荷）流入基極，部分電子會與基極的空穴（正電荷）結合。
BJT基本觀念. 電晶體結構及符號. 雙載子接面電晶體(bipolar junction transistor，BJT)依結構區分，有npn型及pnp型兩種，其電晶體結構及符號如圖(1)所示。 BJT可以視為兩個pn接面背對背連接在一起。 因為此元件中有二種極性的載子(電洞及電子)共同負責傳輸電荷，所以它稱為雙載子。 它有三個端點 (區域)，其中E表示射極(emitter)、B表示基極(base)、C表示集極(collector)。 (圖1) BJT電晶體的結構及符號. npn電晶體的三極. 射極是一個具高摻雜濃度的區域，主要將自由電子射入基極。 基極的摻雜濃度較低而且很薄，負責將射極注入的電子傳送到集極。 只有少數電子會在摻雜濃度低的基極中與電洞再結合。
以NPN電晶體為例，按照設計，高摻雜的射極區域的電子，通過擴散作用運動到基極接面。 在基極接面區域，電洞為多數載子，而電子少數載子。 由於基極接面區域很薄，這些電子又通過漂移運動到達集極，從而形成集極電流，因此雙極性電晶體被歸到少數載子設備。 雙極性電晶體能夠放大訊號，並且具有較好的功率控制、高速工作以及耐久能力，所以它常被用來構成放大器電路，或驅動揚聲器、電動機等設備，並被廣泛地套用於航空太空工程、醫療器械和機器人等套用產品中. 發展及套用. 1947年12月，貝爾實驗室的約翰·巴丁、沃爾特·布喇頓在威廉·肖克利的指導下共同發明了點接觸形式的雙極性電晶體。 1948年，肖克利發明了採用接面型構造的雙極性電晶體。 在其後的大約三十年時間內，這種器件是製造分立元件電路和積體電路的不二選擇。
①電晶體的動作 欲啟動NPN電晶體時，必須依照圖1所示施加電壓。 此種電路的作法就是在基極(B)－射極(E)之間施加順向電壓，然後再注入基極電流。 如此一來，即可將 電洞注入基極(B)區域。
2023年12月29日 · 電晶體也被稱為半導體三極體，因為它標誌著真空管的終結，就像接面型二極體取代了真空二極體一樣。 另一個常見名稱則是BJT，即雙極接面型電晶體的縮寫。 雙極屬性是指半導體中的導電性 (由電子和空穴決定)。 在 圖3 中，我們可以看到PNP電晶體的電路符號，其呈現方式主要是為了突顯與 圖1 中圖表的關係。 同樣地， 圖4 顯示了NPN電晶體的符號。 圖3：PNP電晶體的電路符號。 圖4：NPN電晶體的電路符號。 開路電晶體. 讓我們以PNP電晶體為例 (結果也可以馬上推廣到NPN電晶體)。 在開路條件下，我們預期會出現與單接面類似的行為，即存在接觸電勢 (請參閱之前的教程)，這實際上是一個阻障，其目的是阻止空穴從發射極向基極擴散。
以NPN電晶體來說，基極 (B)為正極、集極 (C)為負極，分別對其施加偏壓電流，然後由射極 (E)到C則會有逆向電流產生。 請檢討在使用上是否會有任何問題。 1. 無品質劣化及產品損壞的疑慮，使用上並無任何問題。 2. 使用NPN-Tr時，與B對稱的C、E必須皆為N型。 因此，即使C、E接反，仍能作為電晶體使用。 亦即電流的流動方向為E → C。 3.逆向電晶體的特色如下： h FE 較低。 (約順向電壓的10%以下) 不具備高耐壓性。 (電壓約為7 to 8V，和V EBO 差不多低) ←若使用汎用型TR電晶體時，除了上述條件外，亦可能會有電壓小於5V的情形發生。 (超過此耐壓值時，將造成電壓崩潰 (Breakdown)，因而發生h FE 過低等特性不佳的情形，此點需特別注意。
2017年6月15日 · 2017-06-15. The 2N3904 is an extremely popular NPN transistor that is used as a simple electronic switch or amplifier that can handle 200 mA (absolute maximum) and frequencies as high as 100 MHz when used as an amplifier.
