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2021年2月26日 · 日前，东南大学电子科学与工程学院孙伟锋教授团队在氮化镓（GaN）功率驱动芯片技术上的最新研究成果成功发表在集成电路设计领域最高级别会议IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC)上。. 该研究成果为：“A 600V GaN Active Gate Driver with Dynamic ...
全球半导体观察网一周热点栏目提供半导体产业热点资讯深度报道和解读，涵盖内存、闪存等存储器产业、集成电路产业等领域。 逾10座晶圆厂蓄势待发；存储器市场“宠儿”；国产“芯”突破 2024-05-06 当地时间4月25日，美光科技正式在其官网宣布，获得61亿美元政府补助。
2019年5月24日 · 另外，为了在芯片尺寸、连续写入性能、写入功耗方面领先，美光研发128层3D NAND时，将实现从Floating Gate技术向Replacement Gate技术过渡的重大进展，以及对CuA（CMOS under Array）技术的持续利用。
2008年10月7日 · 闪存以单晶体管作为二进制信号的存储单元，它的结构与普通的半导体晶体管 (场效应管)非常类似，区别在于闪存的晶体管加入了“浮动栅 (floating gate)”和“控制栅 (Control gate)”—前者用于贮存电子，表面被一层硅氧化物绝缘体所包覆，并通过电容与控制栅相耦合。 当负电子在控制栅的作用下被注入到浮动栅中时，该NAND单晶体管的存储状态就由1变成0。 相对来说，当负电子从浮动栅中移走后，存储状态就由0变成1；而包覆在浮动栅表面的绝缘体的作用就是将内部的电子“困住”，达到保存数据的目的。
2021年7月27日 · Intel 20A：以 RibbonFET 和 PowerVia 突破性技术开创埃米（angstrom）时代。 RibbonFET为英特尔环绕式栅极（Gate All Around）晶体管成果，亦是2011年推出FinFET后，首次全新晶体管架构。 此技术于较小面积堆迭多鳍片，相同驱动电流提供更快晶体管开关
2023年11月10日 · 台积电介绍，公司将在2nm制程节点首度使用Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管，相较于N3E ，该工艺在相同功耗下，速度最快将可增加至15% ；在相同速度下，功耗最多可降低30% ，同时芯片密度增加大于15% 。
2018年5月29日 · 来源：电子工程专辑 2018-05-29 09:52:03. 三星电子 (Samsung Electronics)计划于2021年量产FinFET晶体管架构的后继产品——采用3纳米 (nm)制程节点的环绕式闸极 (gate-all-around；GAA)晶体管。. 在上周二 (5月22日)举行的年度代工技术论坛上，这家韩国巨擘重申将在今年下 ...
