Yahoo奇摩 網頁搜尋

搜尋結果

  1. CP(Circuit Probing)也叫“Wafer Probe”或者“Die Sort”,是对整片Wafer的每个Die的基本器件参数进行测试,例如Vt(阈值电压),Rdson(导通电阻),BVdss(源漏击穿电压),Igss(栅源漏电流),Idss(漏源漏电流)等,把坏的Die挑出来,会用墨点(Ink)标记,可以减少封装和测试的成本,CP pass才会封装,一般测试机台的电压和功率不高,CP是对Wafer的Die进行测试,检查Fab厂制造的工艺水平。 CP测试程序和测试方法优化是Test Engineer努力的方向,下面介绍几种降低CP测试成本的方法。 1.同一个Probe Card可以同时测多个Die,如何排列可以减少测试时间?

  2. 2021年2月25日 · 晶圆测试也就是芯片分选测试 (die sort) 或晶圆电测 (wafer probe)。 测试是为了以下 3 个目的: 1) 晶圆被送到封装厂之前,鉴别出合格芯片 2) 对器件 / 电路的电性能参数进行特性评估。 3) 芯片的合格品与不良品的核算会给晶圆生产人员提供全面业绩的 ...

  3. 2023年10月31日 · 什么是CP (Chip Probing)测试. CP(Circuit Probing)也叫“Wafer Probe”或者“Die Sort”,是对整片Wafer的每个Die的基本器件参数进行测试,例如Vt(阈值电压),Rdson(导通电阻),BVdss(源漏击穿电压),Igss(栅源漏电流),Idss(漏源漏电流)等,把坏的Die挑出来,会用墨点(Ink)标记,可以减少封装和测试的成本,CP pass才会封装,一般测试机台的电压和功率不高,CP是对Wafer的Die进行测试,检查Fab厂制造的工艺水平。 CP测试的具体操作是在晶圆制作完成之后,成千上万的裸DIE (未封装的芯片)规则的分布满整个Wafer。

    • 概览
    • 1、什么是CP测试
    • 2、为什么要做CP测试
    • 1、SCAN
    • 2、Boundary SCAN
    • 3、存储器
    • 4、DC/AC Test
    • 5、RF Test
    • 6、其他Function Test
    • 1、可测试性设计

    著作权归作者所有

    作者:桃小芯

    来源:“桃芯科技”公众号

    原文链接:CP测试实例-芯片测试介绍(三);

    1、什么是CP测试

    CP(Chip Probing)指的是晶圆测试。CP测试在整个芯片制作流程中处于晶圆制造和封装之间。晶圆(Wafer)制作完成之后,成千上万的裸DIE(未封装的芯片)规则的分布满整个Wafer。由于尚未进行划片封装,芯片的管脚全部裸露在外,这些极微小的管脚需要通过更细的探针(Probe)来与测试机台(Tester)连接。

    在未进行划片封装的整片Wafer上,通过探针将裸露的芯片与测试机连接,从而进行的芯片测试就是CP测试。

    图 1 CP Test在芯片产业价值链上的位置

    Wafer制作完成之后,由于工艺原因引入的各种制造缺陷,分布在Wafer上的裸DIE中会有一定量的残次品。CP测试的目的就是在封装前将这些残次品找出来(Wafer Sort),从而提高出厂的良品率,缩减后续封测的成本。

    而且通常在芯片封装时,有些管脚会被封装在内部,导致有些功能无法在封装后进行测试,只能在CP中测试。

    1、SCAN

    SCAN用于检测芯片逻辑功能是否正确。DFT设计时,先使用DesignCompiler插入ScanChain,再利用ATPG(Automatic Test Pattern Generation)自动生成SCAN测试向量。SCAN测试时,先进入Scan Shift模式,ATE将pattern加载到寄存器上,再通过Scan Capture模式,将结果捕捉。再进入下次Shift模式时,将结果输出到ATE进行比较。

    Boundary SCAN用于检测芯片管脚功能是否正确。与SCAN类似,Boundary SCAN通过在IO管脚间插入边界寄存器(Boundary Register),使用JTAG接口来控制,监测管脚的输入输入出状态。

    图 4 Boundary Scan原理图

    芯片往往集成着各种类型的存储器(例如ROM/RAM/Flash),为了测试存储器读写和存储功能,通常在设计时提前加入BIST(Built-In SelfTest)逻辑,用于存储器自测。芯片通过特殊的管脚配置进入各类BIST功能,完成自测试后BIST模块将测试结果反馈给Tester。

    ROM(Read-Only Memory)通过读取数据进行CRC校验来检测存储内容是否正确。

    RAM(Random-Access Memory)通过除检测读写和存储功能外,有些测试还覆盖DeepSleep的Retention功能和Margin Write/Read等等。

    Embedded Flash除了正常读写和存储功能外,还要测试擦除功能。Wafer还需要经过Baking烘烤和Stress加压来检测Flash的Retention是否正常。还有Margin Write/Read、Punch Through测试等等。

    DC测试包括芯片Signal PIN的Open/Short测试,电源PIN的PowerShort测试,以及检测芯片直流电流和电压参数是否符合设计规格。AC测试检测芯片交流信号质量和时序参数是否符合设计规格。

    对于无线通信芯片,RF的功能和性能至关重要。CP中对RF测试来检测RF模块逻辑功能是否正确。FT时还要对RF进行更进一步的性能测试。

    芯片其他功能测试,用于检测芯片其他重要的功能和性能是否符合设计规格。

    以上各项展开均有更复杂更细化的内容,此处不展开讨论,仅作粗略介绍。

    1、可测试性设计

    DFT(Design For Test),可测试性设计。如第二节CP测试内容和测试方法所述,芯片测试中用到的很多逻辑功能都需要在前期设计时就准备好,这一部分硬件逻辑就是DFT。

    DFT逻辑通常包含SCAN、Boundary SCAN、各类BIST、各类Function Test Mode以及一些Debug Mode。

    测试人员需要在芯片设计之初就准备好TestPlan,根据各自芯片的规格参数规划好测试内容和测试方法。

    •芯片通常会准备若干种TestMode功能,通过配置管脚使芯片进入指定的测试状态,从而完成各个类型的测试。

    •对于SCAN和Boundary SCAN,需要插入ScanChain,根据芯片规模、Timing、SCAN覆盖率等参数,DFT工程师需要决定插入ScanChain的长短和数目。然后使用ATPG自动生成SCAN测试向量,覆盖率决定了测试向量的长短。为了节约成本还要对ScanChain进行压缩。然后再进行功能仿真和SDF仿真,保证功能和Timing满足要求。ATPG可输出WGL或STIL格式文件供Tester使用。细节还有很多,这里不再展开叙述了。

  4. 2020年7月28日 · CP测试,英文全称Circuit Probing、Chip Probing,也称为晶圆测试,测试对象是针对整片wafer中的每一个Die,目的是确保整片wafer中的每一个Die都能基本满足器件的特征或者设计规格书,通常包括电压、电流、时序和功能的验证。 可以用来检测fab厂制造的工艺水平。 CP的难点是如何在最短的时间内挑出坏的die,修补die。 常用到的设备有测试机(IC Tester)、探针台(Prober)以及测试机与探针卡之间的接口(Mechanical Interface) 2、FT测试: FT测试,英文全称Final Test,是芯片出厂前的最后一道拦截。 测试对象是针对封装好的chip,CP测试之后会进行封装,封装之后进行FT测试。 可以用来检测封装厂的工艺水平。

  5. CP:Circuit Probing、Chip Probing,晶圓測試。 中測(CP Test)是半導體後道封裝測試的第一站. 中測的目的 : 確保每個die能基本滿足器件的特徵或設計規格書(Specification),通常包括電壓、電流、時序和功能的驗證。 中測所用到的設備:測試機(IC Tester)、探針卡(Probe Card)、探針台(Prober)以及測試機與探針卡之間的接口(Mechanical Interface)。 相關詞條. CP(情侶檔/人物配對Coupling) 情侶檔,或者叫配對 (英文:Coupling、縮寫 CP )表示人物配對關係。 情侶檔就是英文Couple的中文翻譯,意思是對、雙、配偶、夫妻。 一般是漫畫同人拿來自配的情侶檔,就是說...

  6. When a probe is attached to a circuit, it is important to understand the probes impact on the circuit’s behavior. The degree of probe loading depends upon two factors: the input impedance of the probe and the sensitivity of the circuit to this impedance.