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  1. 2021年5月19日 · 台灣大學與攜手台積電、美國麻省理工學院(MIT),發現二維材料結合半金屬鉍(Bi)能達到極低的電阻,接近量子極限,有助於實現半導體1奈米以下的艱鉅挑戰。

  2. 2023年12月15日 · 經濟日報 記者尹慧中、蘇嘉維/台北報導. 台積電 (2330) 更先進的1.4奈米製程布局細節曝光。. 外電報導,台積電規劃2027年至2028年量產1.4奈米,並 ...

    • 台積電的奈米製程是什麼?
    • 台積電的3奈米、N3和n3e有何不同?
    • 目前台積電的最大勁敵英特爾的進度,到底和台積電的差距有多少?

    我們將電的主動元件(二極體、電晶體)與被動元件(電阻、電容、電感)縮小以後,製作在矽晶圓或砷化鎵晶圓上,稱為「積體電路」(IC:Integrated Circuit),其中「堆積」(Integrated)與「電路」(Circuit)是指將許多電子元件堆積起來的意思。 圖片來源:sandsbook散冊提供 當你將電子產品打開以後,可以看到印刷電路板PCB,如上圖所示,上面有許多長得很像「蜈蚣」的積體電路(IC),積體電路的尺寸有大有小,我們以處理器為例邊長大約20毫米,上面一小塊正方形稱為「晶片」或「晶粒」,晶片邊長大約10毫米,晶片上面密密麻麻的元件稱為「電晶體」,電晶體邊長大約100奈米,而電晶體上面尺寸最小的結構稱為「閘極長度」大約10奈米(nm),這個就是我們常聽到的台積電「10奈米製...

    台積電N3技術將有四種衍生製造工藝⸺N3E、N3P、N3S和 N3X,所有技術都將支援 FinFlex™ 技術,極大化增強了設計靈活性,並允許客戶自己排列組合,針對性能、功率和面積目標,做出他們想要的最佳優化鰭配置,而且都是做在同一個晶片上。 圖片來源:sandsbook散冊提供 意思就是說,當開發人員需要以性能為代價並節省功耗時,他們會使用雙柵極單鰭 FinFET。但是,當他們需要在晶片尺寸和更高功率的權衡下最大限度地提高性能時,他們會使用三柵極雙鰭電晶體。當開發人員需要平衡時,他們會選擇雙柵極雙鰭 FinFET。那麼,N3和N3e有什麼差別呢? N3e其實是因為客戶需要更有價格競爭力的產品,所以就開發出來,其中就是少了四道EUV的光罩,也降低了成本。 台積電有說,等他們準備好生產2奈米時...

    其實英特爾的確遇到難題。這幾年他們在7奈米和5奈米的晶圓製造進度上一再拖延,但是主要是名稱落後,實際上並沒有落後很多。 圖片來源:sandsbook散冊提供 英特爾的7奈米製程,相當於台積電的5奈米製程,原本計畫2021年量產,只落後台積電5奈米製程一年,但是2021年英特爾新任執行長季辛格上台後已經宣布延後到2023年量產,一下子落後台積電三年,而10奈米產能不足造成缺貨,桌上型電腦市場被超微(AMD)領先,筆記型電腦市場也岌岌可危。 目前對英特爾最有利的方式是「立刻」將中低階產品外包給台積電,以相同的製程打敗超微奪回市場,同時替自己爭取兩年時間協調晶圓廠與設計部門把先進製程的問題解決。當然,在技術上,英特爾沒有想像中弱,季辛格是技術出身的,你可以感受到現在他就是要全力拚技術。 那英特爾的...

  3. 2024年1月22日 · 投資金額逾兆元的台積電一奈米建廠計畫,擬在嘉義縣太保市的科學園區設廠。 這是台積電繼日前法說會宣布在高雄廠增建第三座二奈米晶圓廠,又一先進製程選擇落腳南部民進黨執政縣市。 消息人士透露,台積電已向主管嘉義科學園區的南科管理局提出一百公頃用地需求,其中四十公頃設先進封裝廠,後續六十公頃將作為一奈米建廠用地。 由於台積電用地需求超出嘉義科學園區第一期規畫的八十八公頃面積,預期將加速第二期擴編,以利台積電進駐。 台積:以台灣作主要基地. 台積電表示,設廠地點選擇有諸多考量因素,台積電以台灣作為主要基地,不排除任何可能,也持續與管理局合作評估在適合半導體建廠用地。 台積電指出,一切資訊請以公司對外公告為主。

  4. 2024年1月22日 · 台積電2330加速設廠腳步,傳出要將最先進的1奈米製程落腳嘉義科學園區。 這是台積電繼日前法說會釋出要在高雄增建第三座2奈米廠後,又一樁台灣新廠建設。 業界估,台積電1奈米總投資額將逾兆元。 對於相關傳聞,台積電表示,選擇設廠地點有諸多考量因素,台積電以台灣作為主要基地,不排除任何可能性,也持續與管理局合作評估合適的半導體建廠用地。 一切資訊請以公司對外公告為主。...

  5. 2023年12月28日 · 台積電 是全球晶圓代工龍頭,技術實力攸關全球科技發展,近日外媒披露,台積電持續往1.4和1奈米邁進,預計在2030年完成。. 去年台積電推出的3 ...

  6. 2021年5月19日 · 台大攜手台積電、美國麻省理工學院(MIT),研究發現二維材料結合半金屬鉍(Bi)能達到極低的電阻,接近量子極限,有助於實現半導體 1 奈米以下的艱鉅挑戰。

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