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  1. - iFuun. 當前位置: 193nm波長的光刻機,是怎麼刻出來28nm線寬的晶元? 最新 04-26. 想當年整個晶元工業各家包括intel ,GF, 台積電三星都在三星都在22nm,28nm這個節點卡了很久想必是遇到193nm ArF的極限了。 然而193nm能做出50nm以下,1/4波長的尺度,已經非常神奇了不是嗎? 在知乎上有一個問題,「晶元產業中的光刻機是怎麼雕刻出遠遠小於自己波長的線寬的? 」這個問題很有意思。 半導體工藝1年一變,學生在學校看到的教材,實在跟不上。 想當年整個晶元工業,各家包括intel ,GF, 台積電,三星都在三星都在22nm,28nm這個節點卡了很久,想必是遇到193nm ArF的極限了。

  2. 據媒體報道台積電每台EUV光刻機每天耗電量高達3萬度其最新規劃的3nm工廠年耗電量將達70億度缺電或成為掣肘台積電的首要因素之一。 EUV光刻機每天耗電3萬度. 之所以EUV光刻機如此耗電,是因為SK 海力士此前曾表示:EUV 的能源轉換效率只有 0.02% 左右。 目前250瓦功率的EUV光刻機,需要輸入0.125萬千瓦的電力才能達到,這個耗電量是傳統氬氟雷射的 10 倍以上。 250W的EUV機器工作一天將會消耗3萬度電。 「極紫外光物理特性與一般常見的紫外光差異極大。

  3. 圖源台積電 從台積電透露的時間表來看其第一個N2節點預計將於2024年或2025年推出與英特爾20A工藝時間相差無幾不過如此謹慎的態度是否影響台積電的發展步伐而沒有背面供電技術的GAA工藝在與英特爾對撞時又是否會處於劣勢地位

  4. 2002年台積電的林本堅博士發明了浸潤式微影技術」,徹底改變了集成電路的生產。 他發現157nm波長的光無法通過水。 浸潤式微影技術. 不過193納米光在水裡折射之後,波長會變成132nm,比大家研究的157nm還要短,可以把解析度提高46%,從而可以直接跳過了157nm波長。 最終,通過水作為介質,將其縮短至134納米。 這就是浸沒式光刻機的原理。 ASML光刻機. 後來,光刻機的龍頭ASML憑藉台積電的方案打敗了尼康,而如今,上微電也憑藉這項技術成功製作出中國第一台第四代浸沒式光刻機。

  5. 至純科技為華力微中芯國際合肥睿力長鑫)、長江存儲合肥晶合台積電南京SK海力士無錫華潤上華士蘭微等一線用戶提供高純工藝系統相關的產品和服務圖片來自PNC至純科技官微

  6. 隨著管道行業的迅速發展,連接管道的方法也越來越多,常用的管道連接方式不知道你們知道幾種? 下面小編就帶大家看看常見的管道連接方式。 螺紋連接. : 又稱絲扣連接,它是通過內外螺紋把管道與管道、管道與閥門連接起來。 這種連接主要用於鋼管、銅管和高壓管道的連接。 2. 焊接連接: 焊接連接作為最傳統的一種連接方式,也是日常中最常用的連接方式,其主要特點是介面牢固耐久、介面處密封度高,不用經常維護,常用的焊接方式有很多種,這裡就不一一介紹了。 3. 承插連接: 在化工管道中,用作輸水的鑄鐵管多採用承插連接。 承插連接適用於鑄鐵管、陶瓷管、塑料管等。 它主要應用在壓力不大的上、下水管路。 4.

  7. 南京百識電子科技有限公司成立於2019年8月是一家專註第三代寬禁帶半導體的晶元製造企業以生產碳化硅及氮化鎵相關外延片為主要業務包含GaN on Silicon、GaN on Sic以及SiC on SiC涵蓋射頻微波等應用。 本文圖片來源於百識電子,經授權使用. 其創始人宣融畢業於台灣交通大學,並從學生時代開始接觸第三代半導體相關領域,撰寫過以第三代半導體材料的氮化鎵相關博士畢業論文,畢業後至工研參加第三代半導體相關工作,任職達11年,後於新竹科學園區繼續從事第三代半導體工作(6年),2019年創辦百識電子,至今已有20年相關行業從業經驗。

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