Yahoo奇摩 網頁搜尋

搜尋結果

      • 金屬氧化物半導體場效電晶體(簡稱:金氧半場效電晶體;英語:,縮寫:),是一種可以廣泛使用在模拟電路與数字電路的場效電晶體。 金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同,可分為电子占多数的N通道型與空穴占多数的P通道型,通常被稱為N型金氧半場效電晶體(NMOSFET)與P型金氧半場效電晶體(PMOSFET)。
      www.wikiwand.com/zh/金屬氧化物半導體場效電晶體
  1. 其他人也問了

  2. 常用於金氧半場效電晶體的電路符號有多種形式最常見的設計是以一條垂直線代表通道Channel),兩條和通道平行的接線代表源極Source與汲極Drain),左方和通道垂直的接線代表閘極Gate),如下圖所示有時也會將代表通道的直線以虛線代替以區分 增強型 (enhancement mode又稱增強式金氧半場效電晶體 或是 空乏型 (depletion mode,又稱空乏式) 金氧半場效電晶體 。 由於 積體電路 晶片上的金氧半場效電晶體為四端元件,所以除了源極(S)、汲極(D)、閘極(G)外,尚有一 基極 (Bulk或是Body)。 金氧半場效電晶體電路符號中,從通道往右延伸的箭號方向則可表示此元件為n型或是p型的金氧半場效電晶體。

  3. 閘極是由金屬氧化層和半導體依序疊在一起所形成類似電容的結構氧化層當做介電質),故命名為金氧半場效電 晶體。 閘極只要加上足夠的正電壓,即可在半導體內靠近氧化層的介面上,吸引足夠多的導電電子形 成通道,使源極與汲極的n. +區導通。 故控制閘極的電壓,等效上就是控制氧化層內的電場,就可以控 制源極與汲極之間的導電特性。 基板本體(body)有時也會接出一隻腳,使MOSFET 變成四隻腳的元 件,在大部分的應用中,基板本體會和源極接在一起,使源極、汲極和基板本體間的pn 接面永遠是 不導通的,如此MOSFET 就變成和JFET 類似的三隻腳元件。 (圖2b)包括三隻接腳與四隻接腳的 NMOS 電路符號。 (圖2a)為一典型的NMOS 的結構示意圖 .

  4. 金氧半場效電晶體(MOSFETs) Adel S. Sedra· Kenneth C. Smith 著. 在本章中你將學到. MOS. 簡介. 電晶體的物理結構,以及它是如何運作的。 電晶體中兩端的電壓是如何操控第三端的電流,以及描述這些電流– 電壓特性的方程式。 如何分析與設計包含電源的電路。 MOS. 電晶體、電阻以及直流. 簡介. 我們已經學過兩端的半導體元件( 例如: 二極體) 我們現在要將注意力轉移到三端元件. 三端元件遠比雙端元件重要,因為它們有多樣的應用,例如: 訊號放大、數位邏輯、記憶體... 簡介. Q:用最簡單的話來說,我們期望的三端元件操作為何? A:利用其中兩端點間的電壓來控制第三端點的電流. 簡介. Q: 三端元件的兩種主要型態為何?

  5. 前者稱為接面場效電晶體(junction field effect transistor,簡稱JFET),後者稱為金氧半場效電晶體(metal-oxide-semiconductor field effect transistor ,簡稱MOSFET)。 1 接面場效電晶體的構造原理與特性. 這裡我們以n 通道JFET 為例來做說明,圖2(a) 為一個n 通道JFET的結構示意圖,源極與汲極以n 型半導體通道連結,閘極則是p+型半導體,個別再藉由歐姆接點接到外界電路。

  6. 金屬氧化物半導體場效電晶體簡稱金氧半場效電晶體英語Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor縮寫:MOSFET),是一種可以廣泛使用在 模擬電路 與 數字電路 的場效電晶體金屬氧化物半導體 場效應管 依照其 溝道 極性的不同可分為電子占多數的N溝道型與空穴占多數的P溝道型通常被稱為N型金氧半場效電晶體NMOSFET與P型金氧半場效電晶體PMOSFET)。 基本介紹. 中文名 :金屬氧化物半導體場效電電晶體. 外文名 :Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor. 簡稱 :金氧半場效電晶體. 縮寫 :MOSFET. 電路符號.

  7. 功率MOSFET是專門處理大功率的電壓和電流的金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET),也是 功率半導體 ( 英語 : power semiconductor device ) 的一種。 和其他功率半導體(例如 絕緣柵雙極電晶體 或 晶閘管 )比較,功率MOSFET的優點是其切換速度快,在低電壓下的 ...

  8. 互補式金氧半(CMOS)製程技術繼續微縮至45 奈米(nm)多重閘極金 氧半場效電晶體便成為一極具競爭力的元件結構以下為常見的二種類 型: (1) 矽覆蓋絕緣層多重閘極金氧半場效電晶體 (Multi-Gate SOI MOSFET) 1

  1. 其他人也搜尋了