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金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同，可分為電子占多數的N通道型與 電洞 占多數的P通道型，通常被稱為N型金氧半場效電晶體（NMOSFET）與P型金氧半場效電晶體（PMOSFET）。 以金氧半場效電晶體（MOSFET）的命名來看，事實上會讓人得到錯誤的印象。 因為MOSFET跟英文單字「metal（ 金屬 ）」的第一個字母M，在當下大部分同類的元件裡是不存在的。 早期金氧半場效電晶體 閘極 使用金屬作為材料，但由於 多晶矽 在製造工藝中更耐高溫等特點，許多金氧半場效電晶體閘極採用後者而非前者金屬。 然而，隨著半導體特徵尺寸的不斷縮小，金屬作為閘極材料最近又再次得到了研究人員的注意。
MOSFET ，簡稱「 MOS 」，其全稱為 金屬—氧化物— 半導體 場效電晶體 （MOSFET：Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）。 無論在 IC 設計裡，還是電路板應用上，都十分廣泛。 尤其在大功率半導體領域，各種結構的 MOSFET 更是發揮著不可替代的作用。 許多電子產品的零件組成，需要「MOSFET」，因此也會與 MOSFET 相關個股有密切相關！ 例如：電腦、平板電腦、智慧型手機及相關工業用品… 等。 不過 MOSFET 是什麼？ 究竟長什麼樣子？ MOSFET 是什麼？ MOSFET 是功率離散元件的主體之一，扮演著電源電子控制的角色（可以想像成是開關）。
金屬氧化物半導體場效電晶體 （簡稱：金氧半場效電晶體；英語：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，縮寫：MOSFET），是一種可以廣泛使用在 模擬電路 與 數字電路 的場效電晶體。 金屬氧化物半導體 場效應管 依照其 溝道 極性的不同，可分為電子占多數的N溝道型與空穴占多數的P溝道型，通常被稱為N型金氧半場效電晶體（NMOSFET）與P型金氧半場效電晶體（PMOSFET）。 基本介紹. 中文名 ：金屬氧化物半導體場效電電晶體. 外文名 ：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor. 簡稱 ：金氧半場效電晶體. 縮寫 ：MOSFET. 電路符號.
2023年1月11日 · 場效電晶體（FET：Field Effect Transistor）是什麼？ 電晶體的種類很多，先從大家耳熟能詳的「MOS」來說明。 MOS的全名是「金屬氧化物半導體場效電晶體 (MOSFET：Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)」， 構造如圖二所示，左邊灰色的區域叫做「源極 (Source)」，右邊灰色的區域叫做「汲極 (Drain)」，中間有塊金屬 (紅色)突出來叫做「閘極 (Gate)」，閘極下方有一層厚度很薄的氧化物 (黄色)，因為中間由上而下依序為金屬 (Metal)、氧化物 (Oxide)、半導體 (Semiconductor)，因此稱為「MOS」。 金屬氧化物半導體場效電晶體 (MOSFET)的結構與工作原理。
2021年10月4日 · 掌握FinFET 技術就是掌握市場競爭力簡而言之，鰭式場效電晶體是閘極長度縮小到10奈米以下的關鍵，擁有這個技術的製程與專利，才能確保未來在半導體市場上的競爭力，這也是讓許多國際大廠趨之若騖的主因，而在過去幾年台積電與三星的競爭中，台積電幾乎是完勝三星，與台積電擁有成熟的鰭式場效電晶體（FinFET）製程與專利密不可分，也使得台積電成為臺灣少數具有國際競爭力的世界級高科技公司。 (本文由教育部補助「AI報報─AI科普推廣計畫」取得網路轉載授權) (Visited 1,129 times, 10 visits today) 分享至.
2021年3月20日 · 場效電晶體的功能是「控制電流的開關與大小」，當我們透過訊號 施加不同電壓在閘極（gate electrode，中上）時，就可以改變汲極（drain，右）與源極（source，左）之間通道（channel）的狀態 ，並進而改變電流。 那麼一般科學家是如何讓電晶體越來越小呢？ 讓電晶體更迷你的重點就在於：讓汲極與源極之間的電流通道（channel）變小。 傳統場效電晶體示意圖。 圖／作者繪製. 開關失靈、耗電與漏電的技術挑戰. 但隨著電晶體的尺寸越來越小，科學家在技術的研發上遇到了三大難題。 首先，傳統電晶體的通道是以矽作為原料，而「閘極」作為電晶體的「工作開關」， 當它的尺寸越來越小時，控制通道電位的能力也會下降 ，也就是說，電晶體作為開關的能力會喪失，就好比一個關不起來的水龍頭。
台積公司於2018年領先全球專業積體電路製造服務領域量產7奈米鰭式場效電晶體（7nm FinFET，N7）技術，此一技術是台積公司量產速度最快的技術之一，並同時針對行動運算應用及高效能運算元件提供優化的製程。 此外，7奈米FinFET強效版（N7+）技術於2019年開始量產，是全球積體電路製造服務領域首個應用極紫外光（EUV）於商業運轉的技術。 N7及N7+技術已為客戶量產5G及高效能運算產品多年，並於2021年開始為客戶量產消費性電子與車用電子產品。 2021年年底，台積公司榮獲2021年IEEE企業創新獎，肯定台積公司在7奈米製程技術上的領先地位。 2019年，台積公司更進一步推出6奈米技術（N6）。
