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2024年4月19日 · 因此在大部分的研究中，底閘極電晶體而非半導體業常見的頂閘極電晶體便成為展現二維材料特性的元件結構。 由此可見，為了達成二維材料在電子元件的應用，二維材料與其他材料介面的處理，便成為了它在實際應用層面的一個重要課題。
2024年4月17日 · 電晶體中有三個端子。. 源極（source）是電荷的供給口，汲極（drain）是電荷的排水口，閘極（gate）是調整電荷流動的水閘。. 透過改變閘極的電位 ...
2024年4月1日 · 電晶體新未來 運用量子干涉更小型節能. 2024-04-01. 編譯／高晟鈞. 來自倫敦瑪麗女王大學、牛津大學、蘭卡斯特大學和滑鐵盧大學的國際研究小組開發了一種新型單分子 電晶體 ，利用量子干涉來控制電子流動，為在電子設備中使用量子效應開闢了新的 ...
2024年4月11日 · netizen 發表於 2024年4月11日 13:00 收藏此文. 根據台積電董事長劉德音和首席科學家黃漢森博士（H.-S. Philip Wong）的說法，3D 晶片組將成為打造全球首款 1 兆電晶體 GPU 的關鍵技術。. 半導體產業一直希望能將更多電晶體塞進處理器中，但正如劉德音和黃漢森 ...
5 天前 · 作者 : Marcello Colozzo. 類別 : 電力電子. 2024-04-22. (0) 評論. 本文針對PNP電晶體中集電極電流的方程進行歸納，並與光電二極體行為進行比較。. 在之前的文章中，我們得出了以下等式：. 對於α，典型值為0.95。. 如前所述，該方程式在所謂的主動區或以下極化 ...
2024年4月3日 · 圖、量子干涉電晶體突破矽基極限，開創電子元件新時代. 現代電子產品的核心元件就是電晶體，隨著元件不斷地縮小，傳統矽基電晶體的製程與效能已逐漸接近極限。. 為突破這個瓶頸，來自英國和加拿大的國際研究團隊利用量子干涉效應，成功研發出 ...
2024年4月15日 · 類別 : IC/電路板/系統設計應用. 2024-04-16. (0) 評論. 在本文中，我們將分享用於評估PNP電晶體輸入特性的實驗室實驗結果···. 在先前文章中介紹的輸入特性是指鍺PNP電晶體，更確切地說，是 圖1 所示的德州儀器 (TI)電晶體2N3371。. 圖1：TI的2N3371鍺電晶體 ...
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